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Effect of Mg content on the structural and optical properties of Mg_xZn_(1-x)O alloys

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Chinese Science Bulletin 2010年第1期55卷 90-93页

作者： WU ChunXia LU YouMing SHEN DeZhen fan xiwu Photonics Fabrication Science Center Jiangsu University Zhenjiang 212013 China Key Laboratory of Excited State Processes Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics Chinese Academy of Sciences Changchun 130033 China

Mgx Zn1–x O thin films with x = 0, 0.11, 0.28, 0.44, 0.51, and 0.65 were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) sapphire substrates. X-ray diffraction measurement reveals that phase separation of the Mgx Zn1–x O films occurred at x =0.44 and 0.51. Optical absorption spectra show that the absorption edges of the films shift to high-energy side with increasing Mg contents. In resonant Raman spectra, multiple-order Raman peaks originating from ZnO-like longitudinal optical phonons were observed. Moreover, the blue shift and the full width at half maximum of Raman scattering peaks increase continuously with x increasing from 0 to 0.28, which indicates that Zn is substituted by Mg in hexagonal lattice.

关键词：晶体薄膜光学性质生长镁法共振拉曼光谱 X射线衍射测量合金结构

All Optical Modulation Switch for Optical Interconnection

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All Optical Modulation Switch for Optical Interconnection

高密度激发下ZnTe晶体中与自由激子有关的发射

2000 International Conference on Communication Technology(WCC2000·ICCT2000)

作者： Liu Dali Li Gongyu He Xiaodong Hou Shaohua fan Junqing Lin Jiuling fan xiwu Dept.of Commun.Eng. Changchun Post and Telecommun.Inst. Laboratory of Excited State Processes Academia Sinica ChangChun Institute of Physics Academia Sinica

ISBN: (纸本)0780363949

ZnS/ZnSe stratified grating wave filter fabricated by using vacuum coating technique on BK7 glass waveguide is *** room temperature optical controlling modulation switch of the grating wave filter has been realized by means of prism coupling with waveguide under Ar laser *** origin of the optical nonlinearity is attributed to band filling caused by the nonlinear absorption of the material and reflection occured among the multilayer films.

关键词： Stratified grating wave filter Band-filling Vacuum coating technique

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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发光学报 1989年第2期10卷 117-122页

作者：郑宏范希武中国科学院长春物理研究所

在77—300K温度范围内,用N_2分子激光器的3371谱线激发未故意掺杂的p型ZnTe晶体,得到了与自由激子有关的发射。发现随着激发密度的增加,其发光光谱的峰值位置红移而谱带的半宽度展宽,这些结果可以用E_x—e和E_x—E_x的相互作用来解释。

关键词：高密度激发 ZnTe晶体自由激子

基于Be的宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料及激光二极管研究

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光电子．激光 1999年第6期10卷 584-588页

作者：张吉英申德振范希武中国科学院长春物理研究所

宽带Ⅱ－Ⅵ族半导体材料中，铍（Ｂｅ）的硫属化物如ＢｅＴｅ、ＢｅＳｅ和ＢｅＳ与ＺｎＳｅ、ＺｎＳ和ＺｎＴｅ等相比，有较强的共价键性（晶格硬度增大）和大的堆垛层错能，而且与ＧａＡｓ有好的晶格匹配。因此认为ＺｎＳｅ基半导... 详细信息

宽带Ⅱ－Ⅵ族半导体材料中，铍（Ｂｅ）的硫属化物如ＢｅＴｅ、ＢｅＳｅ和ＢｅＳ与ＺｎＳｅ、ＺｎＳ和ＺｎＴｅ等相比，有较强的共价键性（晶格硬度增大）和大的堆垛层错能，而且与ＧａＡｓ有好的晶格匹配。因此认为ＺｎＳｅ基半导体材料中加入Ｂｅ对ＺｎＳｅ蓝绿激光二极管寿命将有明显改善。

关键词：铍激光二极管半导体材料

用光波导方法测量Ⅱ—Ⅵ族半导体的光学非线性和光学双稳

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光谱学与光谱分析 1998年第2期18卷 139-143页

作者：郑宏关郑平范希武中国科学院长春物理研究所

本文报道利用光波导方法在ＧａＡｓ衬底上制备的Ⅱ—Ⅵ族半导体单晶薄膜和超晶格中所观测到的光学吸收、光学非线性和瞬态光学双稳的实验结果。

关键词： Ⅱ-Ⅵ族半导体光学非线性双稳光波导技术

高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响

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发光学报 1989年第1期10卷 17-23页

作者：彭星国范希武张吉英华南师范大学来所中国科学院长春物理研究所

本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580(?)的新发射带,其半高宽(FW... 详细信息

本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580(?)的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。

关键词：掺杂中心发射 ZnSe:Ga,Cu 晶体

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ZnSe单晶质量对其高密度激发发光的影响

发光学报 1989年第4期10卷 278-282页

作者：张吉英范希武杨宝均中国科学院长春物理研究所

用经多次提纯ZnSe原料生长的ZnSe单晶在77K和高密度光激发下观测到了激子—激子(Ex-Ex)散射的P带,随激发密度增加,P带强度增加较快。而在通常的原生ZnSe单晶中只能观测到一个与激子—载流子(Ex—e)散射的E_s′带,观测不到P带。经熔融锌... 详细信息

用经多次提纯ZnSe原料生长的ZnSe单晶在77K和高密度光激发下观测到了激子—激子(Ex-Ex)散射的P带,随激发密度增加,P带强度增加较快。而在通常的原生ZnSe单晶中只能观测到一个与激子—载流子(Ex—e)散射的E_s′带,观测不到P带。经熔融锌中热处理的ZnSe单晶,在上述激发条件下,也观测到了P带。而且此带强度随热处理时间增加而增强。实验表明,P带的产生不仅与激发密度和温度有关,而且还与单晶质量有关。

关键词：硒化锌单晶单晶高密度光激发

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气相外延ZnSe单晶膜的自由激子发光

发光学报 1989年第4期10卷 265-270页

作者：张家骅张吉英范希武中国科学院长春物理研究所

本文在77K和N_2激光器3371谱线高密度激发的VPE ZnSe单晶膜上,首次得到了起因于自由激子与自由激子(Ex-Ex)散射的发光谱带(P带),理论拟合了该谱带的形状并讨论了它的发光特性。文中把在选择的VPE ZnSe外延单晶膜中得到P带的起因归结为这... 详细信息

本文在77K和N_2激光器3371谱线高密度激发的VPE ZnSe单晶膜上,首次得到了起因于自由激子与自由激子(Ex-Ex)散射的发光谱带(P带),理论拟合了该谱带的形状并讨论了它的发光特性。文中把在选择的VPE ZnSe外延单晶膜中得到P带的起因归结为这些ZnSe外延单晶膜的质量较高。

关键词：气相外延硒化锌单晶膜自由激子

ZnS/ZnSe迭层式波导光栅的光调制特性

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中国激光 2000年第2期27卷 113-116页

作者：刘大力李公羽何晓东林久令范俊清徐迈范希武长春邮电学院通信工程系长春130012 中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室长春130021

报道了在ZnS/ZnSe非线性迭层式波导光栅中实现的光控反射特性和光学限制效应,在控制光强为2.60×105W/cm2的Ar+激光作用下,得到对应于二阶Bragg衍射的衍射光偏转角为-2°,相应的折射率变化为-0.049,并得到该材料的非线性折射率系数为-1.... 详细信息

报道了在ZnS/ZnSe非线性迭层式波导光栅中实现的光控反射特性和光学限制效应,在控制光强为2.60×105W/cm2的Ar+激光作用下,得到对应于二阶Bragg衍射的衍射光偏转角为-2°,相应的折射率变化为-0.049,并得到该材料的非线性折射率系数为-1.9×10-7cm2/W,同时得到其光学限制阈值约为140mW(1.42×105W/cm2),限幅阈值为24mW。

关键词：迭层式波导光栅光互连光调制硫化锌硒化锌