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I-V and C-V properties of TiO_2.thin film by pulsed-laser reactive deposition

Chinese Science Bulletin 1998年第16期43卷 1344-1349页

作者： fu zhengwen 1,{1.,{2., fudan University, shanghai 2.0433, china 2. Department of Physics, fudan University, shanghai 2.0433, china laser {1. {2. Fudan University Shanghai China Department of Pnysics Fudan University Shanghai China

TiO-2.thin films have bee deposited on p-Si(1.1. substrates by pulsed-{2. ablation of metallic Ti target in the O-3 ambient. The current-voltage and capacitance-voltage of the Al/TiO-2.Si capacitors are measured. The results show that the dielectric constant of thin film after being annealed at 700℃ is found to be 46, and the border trap density and the interface state density at the TiO-2.p-Si interface are 1.8×1. 1. cm -{1. 2.1. 1. eV -1.cm -2. respectively. The conduction mechanisms of as-deposited films are also discussed.

关键词： TiO-2 dielectric properties electrical properties pulsed-laser deposition.

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