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Solution processed high performance perovskite quantum dots/ZnO phototransistors

Nano Research 2022年第4期15卷 3660-3666页

作者： Md Mehedi Hasan eric moyen Jewel Kumer Saha Md Mobaidul Islam Arqum Ali Jin Jang Advanced Display Research Center(ADRC) Department of Information DisplayKyung Hee University26Kyungheedae-roDongdaemun-guSeoul 02447Republic of Korea

Phototransistors that can detect visible light have been fabricated using solution processed zinc oxide channel/zirconium oxide gate insulator thin film transistors(TFTs)and room temperature synthesized perovskite quantum dots(PeQDs)as active *** ZnO thin film transistors did not show a photocurrent under visible light ***,ZnO TFTs decorated with PeQDs exhibited enhanced photocurrent upon exposure to visible *** device had a responsivity of 567 A/W(617 A/W),a high detectivity of 6.59×10^(13)Jones(1.85×10^(14)J)and a high sensitivity of 10^(7)(10^(8))under green(blue)light at a low drain voltage of 0.1 *** high photo-responsivity and detectivity under green light resulted from the combination of short ligands in the QDs films and the high mobility of the spray coated ZnO *** results are relevant for the development of low cost and low energy consumption phototransistors working in the visible range.

关键词： ZnO thin film transistors perovskite quantum dots photo-detectors photo-transistors

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