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Large-signal characterizations of DDR IMPATT devices based on group Ⅲ–Ⅴ semiconductors at millimeter-wave and terahertz frequencies
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Journal of Semiconductors 2014年 第8期35卷 69-78页
作者： Aritra Acharyya Aliva Mallik debopriya banerjee Suman Ganguli Arindam Das Sudeepto Dasgupta J.P.banerjee Institute of Radio Physics and Electronics University of Calcutta 92 APC Road Kolkata 700009 India Supreme Knowledge Foundation Group of Institutions Mankundu Hooghly West Bengal 712139 India
Large-signal （L-S） characterizations of double-drift region （DDR） impact avalanche transit time （IM- PATT） devices based on group III-V semiconductors such as wurtzite （Wz） GaN, GaAs and InP have been carried ... 详细信息
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