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Comparison of radiation degradation induced by x-ray and 3-MeV protons in 65-nm CMOS transistors
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Chinese Physics B 2016年 第9期25卷 468-473页
作者： 丁李利 Simone Gerardin Marta Bagatin dario bisello Serena Mattiazzo Alessandro Paccagnella State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect Northwest Institute of Nuclear Technology RREACT group Department of Information EngineeringPadova University INFN
The total ionizing dose（TID） response of 65-nm CMOS transistors is studied by 10-ke V x-ray and 3-Me V protons up to 1 Grad（SiO_2） total *** degradation levels induced by the two radiation sources are different to... 详细信息
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