检索结果-南通市图书馆

Investigation of high extraction efficiency flip-chip GaN-based light-emitting diodes

Science in China(Series F) 2009年第8期52卷 1476-1482页

作者： da xiaoli shen guangdi xu chen zou deshu zhu yanxu zhang jianming Institute of Electronic Information and Control Engineering Beijing Optoelectronic Technology Lab Beijing University of TechnologyBeijing 100124 China

In order to obtain higher light output power, the flip-chip structure is used. We studied the ratio of the light of GaN sides before and after fabricating metal reflector on p-GaN. The SiO2/SiNx dielectric film reflectors were deposited through plasma enhance chemical vapor deposition following the fabrication of metal reflector, and then the dielectric film reflectors on the electrodes were etched in order to expose the electrodes to the air. It is found that comparing with the flip-chip GaN-LED without dielectric film reflectors, light output power can be increased by as high as 10.2% after the deposition of 2 pairs of SiO2/SiNx dielectric film reflectors on GaN-LEDs, which cover the sidewalls and the areas without the metal reflector. This result indicates that the high reflector formed by multi-layer dielectric films is useful to enhance the light output power of GaN-based LED, which reflects light from step sidewalls and p-GaN without metal reflector to internal, and then light emits from the surface.

关键词： GaN light emitting diodes SiO2/SiN=dielectric film reflectors plasma enhanced chemical vapor deposition

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：