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工艺参数对阻挡层CMP后互连线厚度一致性的影响

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电子元件与材料 2023年第11期42卷 1370-1376页

作者：王海英王辰伟刘玉岭赵红东河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130 光电信息科学与工程控制和安全技术重点实验室天津300308

为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)后互连线厚度(THK),优化其一致性,研究了抛光液流量、边缘压力及抛光时间等工艺参数对铜(Cu)、介质(TEOS)去除速率,以及对图形片CMP后THK一致性的影响。采用无氧化剂H2O2、无缓蚀剂BTA的弱... 详细信息

为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)后互连线厚度(THK),优化其一致性,研究了抛光液流量、边缘压力及抛光时间等工艺参数对铜(Cu)、介质(TEOS)去除速率,以及对图形片CMP后THK一致性的影响。采用无氧化剂H2O2、无缓蚀剂BTA的弱碱性抛光液对阻挡层材料进行抛光实验,实验结果表明:采用抛光液流量为250 mL/min,抛光压力P1/P2/P3/P4/P5为33.37/13.72/13.24/12.55/11.58 kPa,抛光时间为40 s+20 s的拆分抛光工艺条件下CMP时,得到THK为224.9 nm,片内非均匀性(With-In Wafer Non-Uniformity,WIWNU)为0.92%,极差(Range)为7.82 nm,满足工业生产要求,基于实验结果,还发现此工艺条件下的铜表面形貌更优(表面粗糙度Sq=1.71 nm),对提高CMP后的平整度及可靠性具有重要意义。

关键词：铜互连阻挡层工艺参数互连线厚度去除速率

不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响

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电子元件与材料 2022年第10期41卷 1108-1113页

作者：魏艺璇王辰伟刘玉岭赵红东河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308

为实现铜互连阻挡层化学机械抛光的高平坦化,研究了阻挡层抛光液中表面活性剂的作用。在抛光液中分别添加非离子型表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFC-E)、本课题组研发的Ⅱ型活性剂以及复合表面活性剂,研究其对阻挡层CMP中铜和正硅酸乙酯(... 详细信息

为实现铜互连阻挡层化学机械抛光的高平坦化,研究了阻挡层抛光液中表面活性剂的作用。在抛光液中分别添加非离子型表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFC-E)、本课题组研发的Ⅱ型活性剂以及复合表面活性剂,研究其对阻挡层CMP中铜和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率及一致性的影响。实验结果表明,表面活性剂不仅可以改善Cu和TEOS的去除速率一致性和晶圆全局一致性,还可以降低铜表面的粗糙度,通过复配两种不同的表面活性剂,可以提高Cu和TEOS的去除速率,使Cu和TEOS的剩余厚度片内非均匀性(WIWNU)分别降低至1.39%和1.38%,铜表面粗糙度从5.25 nm降至1.51 nm。基于实验结果,研究并提出了表面活性剂影响抛光液润湿性,从而改善片内非均匀性和铜表面质量的机理。

关键词：化学机械抛光表面活性剂去除速率片内非均匀性粗糙度

茶多酚改性对聚乙烯醇膜吸湿特性及抗氧化活性的影响

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食品科学 2016年第1期37卷 40-44页

作者：陈晨伟段恒贺璇璇谢晶杨福馨俞骏赵旖妮上海海洋大学食品学院上海201306 上海水产品加工及贮藏工程技术研究中心上海201306

研究含不同质量分数茶多酚的聚乙烯醇膜的吸湿特性和抗氧化活性。通过等温吸湿实验研究了含不同质量分数茶多酚(0%、0.5%、1%、1.5%、2%)的聚乙烯醇膜的吸湿特性,并基于常用的等温吸湿模型对实验数据进行拟合表征;通过1,1-二苯基-2-三... 详细信息

研究含不同质量分数茶多酚的聚乙烯醇膜的吸湿特性和抗氧化活性。通过等温吸湿实验研究了含不同质量分数茶多酚(0%、0.5%、1%、1.5%、2%)的聚乙烯醇膜的吸湿特性,并基于常用的等温吸湿模型对实验数据进行拟合表征;通过1,1-二苯基-2-三硝基苯肼(1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl,DPPH)自由基清除实验分析了薄膜的抗氧化活性。结果表明:含不同质量分数茶多酚的聚乙烯醇膜均具有吸湿性,其等温吸湿曲线整体变化趋势相似,属于Ⅱ型等温吸湿曲线;薄膜的平衡含水率随水分活度的增加而显著增加(P0.05);GAB等温吸湿模型对薄膜吸湿性能的拟合效果最好,R^2≥0.996;茶多酚对聚乙烯醇膜的改性使其具有抗氧化活性,DPPH自由基清除率随着薄膜中茶多酚质量分数的增加而显著提高(P<0.01),表明经茶多酚改性后的聚乙烯醇膜的抗氧化性能随薄膜中茶多酚质量分数的增加而增强。经茶多酚改性的聚乙烯醇膜具有吸湿和抗氧化功能,预示其作为塑料复合薄膜内层或中间层应用于湿度敏感型、含高脂肪等干燥易氧化食品包装具有较好的前景。

关键词：聚乙烯醇茶多酚活性包装膜吸湿抗氧化活性

基于协同仿真技术的超宽带射频微系统热电设计

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固体电子学研究与进展 2022年第4期42卷 269-274,286页

作者：朱臣伟刘娟唐昊赵逸涵葛振霆魏然铁清木南京电子器件研究所南京210016 电子科技大学成都611731 云南大学昆明650500

随着芯片集成度提高,射频微系统性能提升、封装尺寸减小和高密度集成技术进步,电热耦合问题日益加剧。针对该问题,本文基于多物理场电热协同仿真方法开展相关研究。研究分为三个层次,首先是器件级热仿真,针对器件的结构进行了热仿真,根... 详细信息

随着芯片集成度提高,射频微系统性能提升、封装尺寸减小和高密度集成技术进步,电热耦合问题日益加剧。针对该问题,本文基于多物理场电热协同仿真方法开展相关研究。研究分为三个层次,首先是器件级热仿真,针对器件的结构进行了热仿真,根据器件的温度冲击仿真计算出温度响应,以预测器件的热稳定性;第二层次是电路级仿真,建立链路的行为级模型,并且根据链路中各级模块的电性能评估预测整体链路的输出参数;第三层次是系统级仿真,建立系统级热-电模型,利用电热的耦合评估电热场效应对各模块性能的影响。

关键词：多物理场场路协同协同仿真

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四线测试机检测锂电池保护板焊盘内阻

印制电路信息 2021年第9期29卷 50-53页

作者：赵强邱成伟陈胜利惠州中京电子科技有限公司广东惠州519029

锂电池保护板主要是针对可充电起保护作用的电路板。焊盘内阻对锂电池有非常重要的影响,内阻高放电时电池发热会严重,过程中损耗功率也高。传统的测量锂电池保护板的方法都是采用低阻测量仪进行手动低效率的检测,而本文主要阐述如何通... 详细信息

锂电池保护板主要是针对可充电起保护作用的电路板。焊盘内阻对锂电池有非常重要的影响,内阻高放电时电池发热会严重,过程中损耗功率也高。传统的测量锂电池保护板的方法都是采用低阻测量仪进行手动低效率的检测,而本文主要阐述如何通过建立资料运用四线测试机进行焊盘点对点的快速检测通过电流时的阻值,并且可以导出测量数据表格便于快速判读和分析。

关键词：锂电池保护板四线测试机内阻

超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究

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电子元件与材料 2022年第4期41卷 392-397页

作者：崔志慧王辰伟刘玉岭赵红东续晨河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308

在铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,由于工艺和材料等因素会产生划伤和沾污等缺陷问题,造成器件失效、良率降低及潜在可靠性等问题。研究了抛光液中活性剂及超滤工艺对CMP后缺陷的影响,提出了活性剂和超滤协同控制CMP后缺陷的作用... 详细信息

在铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,由于工艺和材料等因素会产生划伤和沾污等缺陷问题,造成器件失效、良率降低及潜在可靠性等问题。研究了抛光液中活性剂及超滤工艺对CMP后缺陷的影响,提出了活性剂和超滤协同控制CMP后缺陷的作用机理。通过粒径和大颗粒测试仪表征抛光液粒径和大颗粒数的变化,通过扫描电子显微镜(SEM)和接触角测试仪表征抛光液的变化。通过缺陷检测仪测试验证CMP后缺陷情况。实验结果表明,加入活性剂在未超滤的情况下,抛光液平均粒径从66.1 nm降为65.3 nm,粒径分布更加集中,缺陷总数从4251降低至1480。在此基础上通过研究不同超滤工艺对缺陷的影响,结果显示,在5μm+1μm二级超滤系统下,抛光液大颗粒数量从34.25万颗/mL减少到26.12万颗/mL,经图形片验证,缺陷总数和各缺陷占比显著降低,对于提高电路性能和产品良率有着重要意义。

关键词：化学机械抛光缺陷活性剂超滤工艺协同作用

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新型GLSI弱碱性铜抛光液稳定性研究

半导体技术 2017年第12期42卷 913-917页

作者：腰彩红牛新环赵欣王辰伟刘玉岭河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130

随着极大规模集成电路(GLSI)技术节点逐渐降低至28 nm,多层铜布线化学机械抛光过程中弱碱性抛光液的稳定性成为人们研究的热点。以四乙基氢氧化铵作为pH调节剂,配制不同pH值的新型弱碱性抛光液,研究各组抛光液的pH值、粒径、Zeta电位以... 详细信息

随着极大规模集成电路(GLSI)技术节点逐渐降低至28 nm,多层铜布线化学机械抛光过程中弱碱性抛光液的稳定性成为人们研究的热点。以四乙基氢氧化铵作为pH调节剂,配制不同pH值的新型弱碱性抛光液,研究各组抛光液的pH值、粒径、Zeta电位以及铜去除速率、表面粗糙度和去除速率一致性随存放时间(0,12,24,36和48 h)的变化,并与KOH作为pH调节剂的抛光液进行了对比。结果表明,pH值、粒径、Zeta电位在存放时间内基本不变。pH值大于10时平坦化效果较差,pH值为9.0时,平坦化效果较好,0和48 h铜去除速率为530 nm/min和493.1 nm/min,抛光后铜表面粗糙度为0.718和0.855 nm,铜去除速率一致性为4.31%和4.54%,该抛光液加入双氧水后可以稳定存放48 h以上,可满足工业生产的要求。

关键词：稳定性弱碱性铜抛光液四乙基氢氧化铵(TEAH) pH值

抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP后碟形坑及蚀坑的影响

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电子元件与材料 2021年第8期40卷 808-813页

作者：崔志慧王辰伟刘玉岭赵红东李红亮河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130 天津市计量监督检测科学研究院天津300130

为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)过程中产生的碟形坑和蚀坑等缺陷,研究了在低磨料下柠檬酸钾(CAK)和FA/O Ⅱ络合剂协同作用对Cu/TEOS去除速率、碟形坑和蚀坑修正的影响。结果表明:加入质量分数为1%CAK后,TEOS去除速率增加... 详细信息

为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)过程中产生的碟形坑和蚀坑等缺陷,研究了在低磨料下柠檬酸钾(CAK)和FA/O Ⅱ络合剂协同作用对Cu/TEOS去除速率、碟形坑和蚀坑修正的影响。结果表明:加入质量分数为1%CAK后,TEOS去除速率增加了31.6 nm/min,Cu的去除速率无明显变化,说明CAK在不影响Cu去除速率的同时,促进了TEOS的去除;当FA/O Ⅱ络合剂质量分数从0.5%增加到2%时,Cu去除速率增加了11.2 nm/min,TEOS去除速率则降低了23.9 nm/min,说明增大FA/O Ⅱ浓度可以促进Cu去除速率,但也会抑制TEOS的去除。碟形坑和蚀坑测试结果表明:加入质量分数为1%CAK后,碟形坑和蚀坑分别修正了45.5 nm和19.5 nm;随着FA/O Ⅱ质量分数的增加,Cu/TEOS去除速率选择比降低,碟形坑和蚀坑出现加深现象。最后,漏电流和粒径测试结果表明,络合剂能够有效降低漏电流,提高稳定性;而钾离子易引起颗粒聚集,粒径增大。

关键词：化学机械平坦化低磨料络合剂促进剂协同作用

原始彩陶纹饰在现代室内空间中的应用——以仰韶彩陶纹饰为例

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艺术科技 2022年第3期35卷 42-45页

作者：郁晨薇朱昕怡赵怡陶蓓蓓南京林业大学艺术设计学院江苏南京210037

仰韶文化是中国传统文化的源头之一,其中的彩陶纹饰更是从古至今被运用于各个领域的经典装饰元素,具有厚重的历史底蕴和极高的审美价值。文章从原始彩陶纹饰的起源、类别、特点出发,研究讨论仰韶彩陶纹饰的美学特征。通过分析纹饰的后... 详细信息

仰韶文化是中国传统文化的源头之一,其中的彩陶纹饰更是从古至今被运用于各个领域的经典装饰元素,具有厚重的历史底蕴和极高的审美价值。文章从原始彩陶纹饰的起源、类别、特点出发,研究讨论仰韶彩陶纹饰的美学特征。通过分析纹饰的后世演变、在现代其他领域的运用实例等,讨论仰韶彩陶纹饰在现代室内设计中的不同应用手法,并针对彩陶纹饰在室内的不同应用进行实例分析。最后阐述彩陶纹饰为室内设计带来的新的设计潮流和文化内涵,在此基础上进行纹饰的创新发展,将现代元素与中国传统元素有机结合,使文化得到更深刻的传承。

关键词：仰韶文化彩陶纹饰室内设计传统文化