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Growth and low-energy electron m.croscopy characteri- zation of m.nolayer hexagonal boron nitride on epitaxial cobalt

引用

Nano Research 2013年第5期6卷 335-347页

作者： carlo m. orofeo satoru suzuki hiroyuki kageshima hiroki hibino NTT Basic Research Laboratories NTT Corporation A tsugi Kanagawa 243-0198 Japan

Low-energy electron m.croscopy （LEEm. has been used to study the structure, initial growth orientation, growth progression, and the num.er of layers of atom.cally thin hexagonal boron nitride （h-BN） film.. The h-BN film. are grown on heteroepitaxial Co using chem.cal vapor deposition （CVD） at low pressure. Our findings from.LEEm.studies include the growth of m.nolayer film.having two, oppositely oriented, triangular BN dom.ins com.ensurate with the Co lattice. The growth of h-BN appears to be self-lim.ting at a m.nolayer, with thicker dom.ins only appearing in patches, presum.bly initiated between dom.in boundaries. Reflectivity m.asurem.nts of the thicker h-BN film. show oscillations resulting from.the resonant electron transm.ssion through quantized electronic states of the h-BN film., with the num.er of m.nim. scaling up with the num.er of h-BN layers. First principles density functional theory （DFT） calculations show that the positions of oscillations are related to the electronic band structure of h-BN.

关键词： chem.cal vapor deposition cobalt dom.in boundaries hexagonal boron nitride low-energy electronm.croscopy (LEEm.

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