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荧光粉比例对白光LED特性的影响

光谱学与光谱分析 2011年第10期31卷 2680-2683页

作者：郭伟玲崔德胜崔碧峰闫薇薇刘莹北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124

用黄色和橙色硅酸盐荧光粉制备了白光LED，调整黄粉和橙粉的比例得到不同的色温。对样品进行光学测试，发现黄粉与橙粉的比例小于7时，黄光部分的峰值约590nm，比例大于7时，黄光部分的峰值约570nm；显色指数和流明效率都足随色温的增... 详细信息

用黄色和橙色硅酸盐荧光粉制备了白光LED，调整黄粉和橙粉的比例得到不同的色温。对样品进行光学测试，发现黄粉与橙粉的比例小于7时，黄光部分的峰值约590nm，比例大于7时，黄光部分的峰值约570nm；显色指数和流明效率都足随色温的增大先上升后下降，5521K时达到最优值，这是由于低色温时，荧光粉的浓度大导致不能有效激发，光谱中红色成分过多导致显色指数低，高色温时，荧光粉浓度小导致蓝光不能有效利用，光谱中红色成分过少导致显色指数低。对样品进行10-80℃的变温测试，发现流明效率降低并且幅度不同，除了芯片本身的俄歇复合外，还说明黄色和橙色荧光粉随温度上升激发效率下降程度不同，橙色荧光粉的温度特性要优于黄色荧光粉。

关键词：发光二极管荧光粉光谱色温显色指数流明效率

Multi-active region laser diode with a narrow beam divergence angle

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Optoelectronics Letters 2006年第5期2卷 326-328页

作者： LI Jian-jun SHEN Guang-di cui bi-feng ZOU De-su HAN Jun DENG Jun ing University of Technology Beijing 700022 China

A novel large optical cavity laser diode,which consists of multi-active regions cascaded together through tunnel junctions,is *** growing the epi-layers with LP-MOCVD system on GaAs substrate,the ridge waveguide laser... 详细信息

关键词：激光二极管窄带分散角激光结构

Characteristics of High-power GaAs Laser Beams and Their Coupling with Fibers

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Semiconductor Photonics and Technology 2005年第4期11卷 233-238页

作者： YU Henry Hai-ying cui bi-feng TIAN Zeng-xia LIU Ying ZOU De-shu SHEN Guang-di Beijing Laboratory of Optoelectron. Technol. Beijing University of Technology Beijing 100022 CHN

The beams of 980nm high-power LDs are analyzed, and the reasons that aspect ratio of LD beams is high are explained. It is certified by the test that cylindrical lens can efficiently compress the perpendicular divergence angle of the beam. Some typical and popular lensed fibers were compared and analyzed according to coupling characteristics. The factors which affect the coupling efficiency and tolerance of the wedged-shaped GRIN tipped lensed fiber are pointed out, and some methods to reduce the coupling loss of the lensed fibers are proposed finally.

关键词： GaAs LD Lensed fibers Optical coupling mode GRIN fibers

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温度对功率LED光谱特性的影响

光谱学与光谱分析 2011年第6期31卷 1450-1453页

作者：丁天平郭伟玲崔碧峰尹飞崔德胜闫薇薇光电子技术省部共建教育部重点实验室(北京工业大学) 北京100124

制备了两种1 W白光功率发光二极管（LED）,这两种样品分别是对台湾和美国两家公司生产的蓝光芯片,涂敷相同荧光粉和透明硅胶封装而成。对制备好的LED进行了变温光学特性测试,温度变化范围为15~75℃,测试电流为350 mA。结果表明：温度变... 详细信息

制备了两种1 W白光功率发光二极管（LED）,这两种样品分别是对台湾和美国两家公司生产的蓝光芯片,涂敷相同荧光粉和透明硅胶封装而成。对制备好的LED进行了变温光学特性测试,温度变化范围为15~75℃,测试电流为350 mA。结果表明：温度变化对LED的峰值波长,辐射通量、色温等参数都有影响。通过对光谱曲线的数据处理,找到了LED性能随温度的变化关系,并从原理上分析了峰值波长、辐射通量、色温随温度变化的原因,提出了改进白光LED温度特性的建议。

关键词：发光二极管温度光谱峰值波长辐射通量色温

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微透镜光纤在半导体激光器中的应用研究

半导体光电 2005年第5期26卷 400-405页

作者：于海鹰邹德恕崔碧峰沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

对几种典型的半导体激光器与光纤的耦合特性进行分析,提出提高耦合效率所采用的微透镜光纤的结构。介绍熔拉型、化学蚀刻型、研磨抛光型、切削型、自聚焦光纤型和铸模型等微透镜光纤的制作原理和工艺以及目前达到的指标,并对各种形式的... 详细信息

对几种典型的半导体激光器与光纤的耦合特性进行分析,提出提高耦合效率所采用的微透镜光纤的结构。介绍熔拉型、化学蚀刻型、研磨抛光型、切削型、自聚焦光纤型和铸模型等微透镜光纤的制作原理和工艺以及目前达到的指标,并对各种形式的透镜光纤进行了评价。提出了提高耦合效率和失调容差、降低插损的新思路。

关键词：微透镜透镜光纤光耦合模式

GaN基功率LED电应力老化早期的退化特性

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发光学报 2012年第1期33卷 93-96页

作者：崔德胜郭伟玲崔碧峰丁艳闫薇薇吴国庆北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124

对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把... 详细信息

对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光LED的负加速因子的增加速度比蓝光LED大,衰减较快。该结果对GaN LED的改进有一定参考价值。

关键词：发光二极管氮化镓电应力 _矿特性光通量

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稳定耦合效率的沟槽结构半导体激光器

发光学报 2017年第5期38卷 636-641页

作者：崔碧峰李莎孔真真黄欣竹凌小涵北京工业大学光电子技术教育部重点实验室北京100124

为了稳定半导体激光器激射光束在光纤传输过程的耦合效率,提出一种沟槽结构的半导体激光器,并对该结构激光器的光束、耦合效率及P-I特性进行研究。在普通条形半导体激光器的脊形区刻蚀了周期性的沟槽结构,来改善半导体激光器有源区的增... 详细信息

为了稳定半导体激光器激射光束在光纤传输过程的耦合效率,提出一种沟槽结构的半导体激光器,并对该结构激光器的光束、耦合效率及P-I特性进行研究。在普通条形半导体激光器的脊形区刻蚀了周期性的沟槽结构,来改善半导体激光器有源区的增益分布。通过对比普通结构与沟槽结构半导体激光器的光束分析,测试其耦合效率以及P-I特性。结果表明:沟槽结构的半导体激光器能够使光腔内模式更加稳定,输出光束更加集中,并避免了"Kink"效应的发生;与此同时,耦合效率提高至97.7%,并且较普通结构激光器更为稳定。沟槽结构半导体激光器有效地解决了光斑跳动问题,稳定了激光器的耦和效率。

关键词：半导体激光器沟槽结构光斑跳动耦合效率

一种与光纤高效耦合的新型大光腔大功率半导体激光器

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物理学报 2007年第7期56卷 3945-3949页

作者：于海鹰崔碧峰陈依新邹德恕刘莹沈光地山东建筑大学济南250101 北京工业大学北京光电子技术实验室北京100022

提出并实现了一种新型多有源区隧道级联大光腔半导体激光器,提高了激光器激射窗口的宽度,得到低于20°的垂直发散角,从而提高了光纤输出的耦合效率.对多种形式和规格的透镜光纤的测试结果表明,耦合效率可以提高30%以上.

关键词：半导体激光器大光腔光纤耦合透镜光纤

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隧道再生半导体激光器的三维稳态热特性研究

半导体光电 2008年第2期29卷 177-180页

作者：张蕾崔碧峰郭伟玲王智群沈光地北京工业大学光电子技术实验室

针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器稳态三维温度分布。模拟结果表明,靠近衬底的有源区的光出射腔面中心的温度最高。在平行于结的方向上,温升集中在脊形电... 详细信息

针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器稳态三维温度分布。模拟结果表明,靠近衬底的有源区的光出射腔面中心的温度最高。在平行于结的方向上,温升集中在脊形电极内;在垂直于结的方向上,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度;沿腔长方向,在光反射腔面附近温度下降较快。随着注入电流的增大,两有源区的温度升高,温差变大。实验测量了不同注入电流下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。

关键词：半导体激光器三维温度分布稳态隧道再生