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钛金属空芯光纤有机钙钛矿太阳能电池的设计、制备及其特性研究

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光电子．激光 2016年第11期27卷 1163-1168页

作者：郭洪王旭王琳杨平雄敬承斌褚君浩华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室上海200241 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

优化太阳能电池的结构设计可提高太阳能电池对光的捕获能力。本研究工作设计并制备了结构为钛/致密二氧化钛/介孔二氧化钛+有机钙钛矿/空穴传输层/聚合物透明电极层的有机钙钛矿空芯光纤太阳能电池。对不同光照强度和光入射角度下电池... 详细信息

优化太阳能电池的结构设计可提高太阳能电池对光的捕获能力。本研究工作设计并制备了结构为钛/致密二氧化钛/介孔二氧化钛+有机钙钛矿/空穴传输层/聚合物透明电极层的有机钙钛矿空芯光纤太阳能电池。对不同光照强度和光入射角度下电池光生电流和电压的分析表明,空芯光纤结构较平面结构电池在光捕获能力方面有所提升,光照强度在0-20 000lux范围内光生电压近似以对数函数形式增加;平行光入射钛金属空芯光纤有机钙钛矿太阳能电池时,入射角度在30°-50°时达到入射光量与反射次数的平衡,此时光生电压及电流达到较大值。

关键词：太阳能电池金属空芯光纤结构电池有机钙钛矿电池光捕获能力

管控思想下大型中心城区更新方法研究——上海新民洋区域城市更新

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住宅科技 2017年第7期37卷 28-32页

作者：查君储皓同济大学建筑城规学院华东建筑设计研究总院城市设计中心

在管控思想指导下,上海新民洋区域更新实践项目将业态策划、规划控制、建筑设计与项目管控相结合,在管理、引导、行动层面建立一整套切实有效的城市更新设计管控体系,初步探索了大型中心城区更新的方法,引导和控制更新区域项目的有序开发。

关键词：大型中心城区城市更新管控

单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性

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物理学报 2006年第4期55卷 2044-2048页

作者：周文政姚炜朱博仇志军郭少令林铁崔利杰桂永胜褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院半导体研究所北京100083

研究了双子带占据的In_(0·52)Al_(0·48)As/In_(0·53)Ga_(0·47)As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1·5T)下由迁移率谱和多载流... 详细信息

研究了双子带占据的In_(0·52)Al_(0·48)As/In_(0·53)Ga_(0·47)As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1·5T)下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d2ρ/dB2-1/B的快速傅里叶变换谱中,观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频(2f1)外,还观察到对温度不敏感的频率f1-f2.这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量,两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射.

关键词： InAlAs/InGaAs单量子阱 SdH振荡二维电子气磁致子带间散射

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掺砷碲镉汞的研究进展

红外 2012年第4期33卷 1-6页

作者：张小华褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

掺砷碲镉汞是一种用于制作p-on-n器件和实现高性能碲镉汞探测器及多色红外焦平面阵列的关键材料。对掺砷碲镉汞的相关文献进行了归纳分析。砷激活效率与退火条件及砷的浓度直接相关。对于掺砷浓度在10^(16)～10^(18)cm^(-3)范围内的碲镉... 详细信息

掺砷碲镉汞是一种用于制作p-on-n器件和实现高性能碲镉汞探测器及多色红外焦平面阵列的关键材料。对掺砷碲镉汞的相关文献进行了归纳分析。砷激活效率与退火条件及砷的浓度直接相关。对于掺砷浓度在10^(16)～10^(18)cm^(-3)范围内的碲镉汞,通过300℃/16 h和240℃/48 h两步退火可将样品前表面激活为p型材料,但汞空位的浓度相对于背面较高。样品背面靠近衬底处可能存在As_(Te)和As_(Hg)缺陷。

关键词：砷碲镉汞掺杂浓度激活缺陷

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碲化镉薄膜太阳能电池电学特性参数分析

物理学报 2013年第18期62卷 507-512页

作者：赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海太阳能电池研究与发展中心上海201201

用inline方式全部近空间升华方法制备n—CdS／p—CdTe取得了-11％的转换效率（AM1．5）．把其中n—CdS层采用磁控溅射方法取得了-10％的转换效率（AM1．5）．基于其电流密度一电压（J-V）曲线和外量子效率曲线，分析了其拟合关键参数对... 详细信息

用inline方式全部近空间升华方法制备n—CdS／p—CdTe取得了-11％的转换效率（AM1．5）．把其中n—CdS层采用磁控溅射方法取得了-10％的转换效率（AM1．5）．基于其电流密度一电压（J-V）曲线和外量子效率曲线，分析了其拟合关键参数对于电池性能的影响程度，并从理论分析上把目前器件性能参数与当今前沿性能参数以及其理论值进行比较，指出了如何提高电池转换效率（町）的方法：提高开路电压（Voc）、短路电流（Jsc）和填充因子（FF）．

关键词：碲化镉电池电流密度-电压曲线外量子效率曲线电学特性

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硅基薄膜太阳电池研究进展

红外 2010年第5期31卷 1-7页

作者：窦亚楠褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

硅基薄膜电池主要包括氢化非晶硅电池、氢化微晶硅电池、多晶硅薄膜电池以及硅薄膜叠层电池。本文归纳了硅基薄膜材料和器件的微观结构、光学和电学特性,讨论了硅基薄膜电池性能的优化设计,并介绍了近期的研究进展情况,比如,氢化非晶硅... 详细信息

硅基薄膜电池主要包括氢化非晶硅电池、氢化微晶硅电池、多晶硅薄膜电池以及硅薄膜叠层电池。本文归纳了硅基薄膜材料和器件的微观结构、光学和电学特性,讨论了硅基薄膜电池性能的优化设计,并介绍了近期的研究进展情况,比如,氢化非晶硅抗反射涂层、晶粒为几个纳米的微晶硅材料、中间插入反射层的新型叠层电池结构以及具有高稳定性的多晶硅薄膜电池CSG。

关键词：硅基薄膜电池氢化非晶硅氢化微晶硅多晶硅薄膜

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HgMnTe磁性半导体研究概述

红外 2011年第5期32卷 1-8页

作者：朱亮清褚君浩中国科学院上海技术物理研究所上海200083

HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域。同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱... 详细信息

HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域。同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱导绝缘体-金属相变、巨Faraday旋转效应、光致磁化效应和磁极化子效应等特殊光电特性和磁学特性。因此,HgMnTe材料具有许多潜在应用,如磁控光电子器件、量子计算和量子通讯,并可能是实现自旋电子学的一种候选材料。

关键词： HgMnTe 磁性半导体磁交换作用自旋电子学

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锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性

红外与毫米波学报 2008年第3期27卷 169-171,184页

作者：胡古今商景林张婷谢婧孙璟兰褚君浩戴宁中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

研究了特异结构锆钛酸铅PbZr0.38Ti0.62O3(PZT)多层膜的铁电和介电特性.同均一相PZT薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应.在100V极化电压下,多层膜的平均剩余极化强度达42.3μC/cm2,矫... 详细信息

研究了特异结构锆钛酸铅PbZr0.38Ti0.62O3(PZT)多层膜的铁电和介电特性.同均一相PZT薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应.在100V极化电压下,多层膜的平均剩余极化强度达42.3μC/cm2,矫顽场为43kV/cm.大的极化强度值归因于大的膜厚和多孔结构有效释放膜内张应力的结果.室温低频限下,PZT多层膜的表观相对介电常数超过2000.极为有趣的是,在所研究的频率范围,PZT多层膜具有两种截然不同的介电驰豫.低频介电损耗峰源自空间电荷极化;而遵从Arrhen ius律的高频介电响应可能同与氧空位VO¨相关的极性缺陷复合体有关.

关键词： PZT多层膜铁电介电极性缺陷复合体

肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V暗性能的影响

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物理学报 2013年第16期62卷 473-478页

作者：赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海太阳能电池研究与发展中心上海201201 华东师范大学信息科学技术学院上海200241

采用数学模拟方法分析了不同背接触势垒高度(φb)对于CdS/CdTe薄膜电池的J-V(电流密度-电压)方程的影响,得出了势垒高度与roll-over的变化对应关系.采用相应Cu/Mo背电极的CdS/CdTe薄膜电池在220—300K的变温J-V曲线的数值分析与理论分... 详细信息

采用数学模拟方法分析了不同背接触势垒高度(φb)对于CdS/CdTe薄膜电池的J-V(电流密度-电压)方程的影响,得出了势垒高度与roll-over的变化对应关系.采用相应Cu/Mo背电极的CdS/CdTe薄膜电池在220—300K的变温J-V曲线的数值分析与理论分析相对照,分析了背势垒对于J-V曲线拟合参数的影响.修正了φb与反向饱和电流(Jb0)关系式,理论与实验符合得非常好.

关键词： CdS CdTe薄膜伏安特性肖特基势垒 roll—over