检索结果-南通市图书馆

不同衬底和CdCl_2退火对磁控溅射CdS薄膜性能的影响

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物理学报 2013年第15期62卷 481-489页

作者：张传军邬云骅曹鸿高艳卿赵守仁王善力褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海太阳能电池研究与发展中心上海201201

在科宁7059玻璃,FTO,ITO,AZO四种衬底上磁控溅射CdS薄膜,并在CdCl2+干燥空气380C退火,分别研究了不同衬底和退火工艺对CdS薄膜形貌、结构和光学性能的影响.扫描电子显微镜形貌表明:不同衬底原位溅射CdS薄膜的形貌不同,退火后相应CdS薄... 详细信息

在科宁7059玻璃,FTO,ITO,AZO四种衬底上磁控溅射CdS薄膜,并在CdCl2+干燥空气380C退火,分别研究了不同衬底和退火工艺对CdS薄膜形貌、结构和光学性能的影响.扫描电子显微镜形貌表明:不同衬底原位溅射CdS薄膜的形貌不同,退火后相应CdS薄膜的晶粒度和表面粗糙度明显增大.XRD衍射图谱表明:不同衬底原位溅射和退火CdS薄膜均为六角相和立方相的混相结构,退火前后科宁7059玻璃,FTO,AZO衬底上CdS薄膜有H(002)/C(111)最强衍射峰,ITO衬底原位溅射CdS薄膜没有明显的最强衍射峰,退火后出现H(002)/(111)最强衍射峰.紫外-可见分光光度计分析表明:AZO,FTO,ITO,科宁7059玻璃衬底CdS薄膜的可见光平均透过率依次减小,退火后相应衬底CdS薄膜的可见光平均透过率增大,光学吸收系数降低;退火显著增大了不同衬底CdS薄膜的光学带隙.分析得出:上述结果是由于不同衬底类型和退火工艺对CdS多晶薄膜的形貌、结构和带尾态掺杂浓度改变的结果.

关键词： CdS薄膜磁控溅射退火再结晶带尾态

Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3单晶紫外可见近红外光学性质

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红外与毫米波学报 2015年第4期34卷 442-446页

作者：诸佳俊张金中许桂生张小龙余温雷胡志高褚君浩华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室上海200241 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海硅酸盐研究所人工晶体工程中心上海200050 温州医科大学生物医学工程学系浙江温州325035

通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V... 详细信息

通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V,临界点Ea是3.93 e V,临界点Eb是4.65 e V,它们随着温度的上升而下降,在453 K禁带宽度Eg是3.05 eV,临界点Ea是3.57 eV,临界点Eb是4.56 eV.这三个跃迁能量Eg、Ea、Eb分别对应从O 2p到Ti d、Ni d、Pb 6p轨道跃迁.它们随温度上升而下降的变化规律可以用晶格热膨胀和电子声子相互作用理论来解释.通过Tauc-Lorentz色散模型拟合得到了303 K到453 K温度范围的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.3PbTiO_3单晶光学常数及其随温度的变化规律,发现折射率n随着温度的升高而升高.

关键词：铁电单晶透射光谱反射光谱禁带宽度光学常数

PbZr_xTi_(1-x)O_3多层膜中与极性缺陷复合体相关的介电驰豫(英文)

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红外与毫米波学报 2009年第5期28卷 321-324,329页

作者：胡古今张婷孙璟兰朱大明褚君浩戴宁中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 密苏里-堪萨斯城市大学物理系美国堪萨斯64110

研究了由致密PbZr0.38Ti0.62O3和多孔PbZr0.38Ti0.62O3膜层交替排列组成的多层膜在温度为420K时的介电行为.在102～106Hz的频率范围,观测到两种截然不同的介电驰豫.位于低频区的介电损耗峰归因于空间电荷极化.通过俄歇电子谱和电子顺磁... 详细信息

研究了由致密PbZr0.38Ti0.62O3和多孔PbZr0.38Ti0.62O3膜层交替排列组成的多层膜在温度为420K时的介电行为.在102～106Hz的频率范围,观测到两种截然不同的介电驰豫.位于低频区的介电损耗峰归因于空间电荷极化.通过俄歇电子谱和电子顺磁共振谱分析,初步判定遵从Arrhenius律、热激活能为0.49eV的高频介电驰豫则起源于氧空位V¨0和Ti3+形成的极性缺陷复合体V¨0-Ti3+对交变电场的响应.

关键词： PbZr0.38Ti0.62O3多层膜极性缺陷复合体介电驰豫

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窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡

物理学报 2006年第2期55卷 786-790页

作者：朱博桂永胜仇志军周文政姚炜郭少令褚君浩张福甲兰州大学物理系兰州730000 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

通过对调制掺杂的n型Hg_(0.82)Cd_(0.16)Mn_(0.02)Te/Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究,发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中,可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道... 详细信息

通过对调制掺杂的n型Hg_(0.82)Cd_(0.16)Mn_(0.02)Te/Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究,发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中,可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道分裂和依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来.

关键词：磁性二维电子气自旋分裂 sp-d交换相互作用拍频

SrTiO_3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

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物理学报 2005年第3期54卷 1390-1395页

作者：马建华孙璟兰孟祥建林铁石富文褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3(STO)薄膜 .研究了STO薄膜金属绝缘体半导体 (MIS)结构的介电和界面特性 .结果表明 ,STO薄膜显示出优异的介电性能 ,在 10kHz处的介电常数约为 10 5 ,损耗低于 0 0 1,这来源于多晶结... 详细信息

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3(STO)薄膜 .研究了STO薄膜金属绝缘体半导体 (MIS)结构的介电和界面特性 .结果表明 ,STO薄膜显示出优异的介电性能 ,在 10kHz处的介电常数约为 10 5 ,损耗低于 0 0 1,这来源于多晶结构和良好的结晶性 ;MIS结构中的固定电荷密度Nf 和界面态密度Dit分别约为 1 5× 10 1 2 cm- 2 和(1 4— 3 5 )× 10 1 2 cm- 2 eV- 1 ,这主要与Si STO界面处形成的低介电常数界面层有关 .

关键词：半导体结构界面态密度 Si衬底低介电常数界面特性损耗薄膜 SrTiO3 绝缘体介电性能

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基于人工微结构的大面积高效率近红外吸收器

红外与毫米波学报 2018年第6期37卷 740-745页

作者：陆加良俞伟伟张晓东许昊郝加明孙艳陈鑫孟祥建戴宁禇君浩东华大学理学院上海201620 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049

基于人工微结构超材料的先进理念,设计制备工作波长可调的近红外大面积吸收器.器件制备采用纳米微球化学自组装方法制备顶层金属微结构,该方法可制备大面积样品.实验结果显示,吸收器在近红外波段峰值吸收率超过99%,吸收波长可以通过结... 详细信息

基于人工微结构超材料的先进理念,设计制备工作波长可调的近红外大面积吸收器.器件制备采用纳米微球化学自组装方法制备顶层金属微结构,该方法可制备大面积样品.实验结果显示,吸收器在近红外波段峰值吸收率超过99%,吸收波长可以通过结构单元几何尺寸调节.理论模拟结果不但与实验测量的数据相一致,而且很好地阐述了器件高效光吸收的物理机理.

关键词：吸收器微结构大面积高效近红外

Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器的电学参量分析

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红外与毫米波学报 1999年第4期18卷 317-321页

作者：桂永胜郑国珍郭少令蔡毅褚君浩汤定元中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室昆明物理所

测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中，发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用... 详细信息

测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中，发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关系。

关键词：光导探测器电学参量 SdH测定汞镉碲

不同衬底温度生长的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜椭圆偏振光谱研究

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红外与毫米波学报 2009年第6期28卷 410-413页

作者：李文武李亚巍胡志高朱自强褚君浩华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室上海200241 华东师范大学电子工程系上海200241

采用脉冲激光沉积法（PLD）在不同Si（100）衬底温度下制备了La0.5Sr0.5CoO3（LSCO）导电金属氧化物薄膜.X射线衍射（XRD）分析表明,随着衬底温度升高LSCO薄膜的结晶质量增加,在650℃和700℃下制备的薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜... 详细信息

采用脉冲激光沉积法（PLD）在不同Si（100）衬底温度下制备了La0.5Sr0.5CoO3（LSCO）导电金属氧化物薄膜.X射线衍射（XRD）分析表明,随着衬底温度升高LSCO薄膜的结晶质量增加,在650℃和700℃下制备的薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜.通过椭圆偏振光谱仪测量了400～1100nm波长范围内该导电金属氧化物薄膜的光学性质,采用双Lorentz振子色散关系及三相结构模型（Air/LSCO/Si）拟合获得了薄膜的光学常数.结果表明,薄膜的折射率随着衬底温度的升高而减小,然而在可见-近红外波长范围内消光系数随着衬底温度的升高而增大.这主要与薄膜的晶化质量和导电性能有密切的关系.

关键词：脉冲激光沉积法 La0.5Sr0.5CoO3薄膜椭偏光谱光学常数

Nd掺杂对BiFeO_3薄膜微结构和电学性能的影响

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红外与毫米波学报 2012年第1期31卷 21-25页

作者：高成杨静孟祥建白伟林铁孙璟兰褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室上海200241

采用化学溶液方法,在LaNiO3/Si(100)衬底上生长了Nd掺杂的BiFeO3薄膜.XRD分析结果表明,随着Nd掺杂量的增加,薄膜晶格变小,Nd掺杂量为20%时,薄膜出现杂相.介电测试表明,随着Nd掺杂量的增加,介电常数和损耗减小,Nd掺杂量为2%的薄膜表现出... 详细信息

采用化学溶液方法,在LaNiO3/Si(100)衬底上生长了Nd掺杂的BiFeO3薄膜.XRD分析结果表明,随着Nd掺杂量的增加,薄膜晶格变小,Nd掺杂量为20%时,薄膜出现杂相.介电测试表明,随着Nd掺杂量的增加,介电常数和损耗减小,Nd掺杂量为2%的薄膜表现出很强的介电色散现象并出现介电损耗弛豫峰,其符合类德拜模型特征.随着Nd掺杂量增加,薄膜的漏电流减小,在低电场下,电流输运遵从SCLC模型,在高场下,电流输运遵循Poole-Frenkel模型.分析结果表明Nd掺杂对薄膜微结构和电学性能有显著影响.

关键词：铁电薄膜介电性能 Nd掺杂漏电流