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Optimization of silicon-on-insulator based optical switch using tapered waveguides

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Optoelectronics Letters 2007年第5期3卷 326-328页

作者： LI Zhi-yong chen shao-wu YU Jin-zhong State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing100083 China

Optimized 2×2 switches based on silicon-on-insulator (SOI) were demonstrated. In the design, single mode rib waveguidesand multimode interferences (MMIs) are connected by tapered waveguides to reduce the mode coupling loss between thetwo types of waveguides. The average insertion loss of the switches is about -16.9 dB and the excess loss of one is measuredof -1.3 dB. The worst crosstalk is larger than 25 dB. Experimental results indicate that some of the main characteristics ofoptical switches are improved in the modified design, which is according with theoretic analysis. The novel design can beused to improve the characteristics of optical switch matrixes based on 2×2 switch units.

关键词：光学开关集成电路波导绝缘体

A 2×2 SOI mach-zehnder thermo-optical switch based on strongly guided paired multimode interference couplers

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Optoelectronics Letters 2007年第5期3卷 334-336页

作者： YANG Di WANG Yi-quan LV Mi chen shao-wu YU Jin-zhong Institute of Physics and Engineering Central University for Nationalities Beijing 100081China. State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China.

A silicon-on-insulator 2× 2 Mach-Zehnder thermo-optical switch is developed based on strongly guided paired multimode interference couplers. The multimode-interference couplers were etched deeply for improving coupler characteristics such as self-imaging quality, uniformity and fabrication toierance. The proposed switch achieves good performances, including a low insertion loss of -11.0dB, a fiber-waveguide coupling loss of-4.3dB and a fast response speed measured to be 3.5 and 8.8 μs for raise and fall switching time, respectively.

关键词：光学开关干涉连接器集成电路多状态

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光纤光栅外腔半导体激光器改进模型分析

中国激光 2005年第2期32卷 156-160页

作者：徐庆扬陈少武中国科学院半导体研究所光电研发中心北京100083

　改进了基于耦合腔激光器模型的光纤光栅外腔激光器静态分析模型,在考虑了激光器和光纤光栅之间的耦合效率后,将光从激光器耦合进光纤光栅的耦合系数η1 和从光纤光栅反馈回激光器的耦合系数η2 推导进描述耦合腔的散射矩阵元中,修正... 详细信息

　改进了基于耦合腔激光器模型的光纤光栅外腔激光器静态分析模型,在考虑了激光器和光纤光栅之间的耦合效率后,将光从激光器耦合进光纤光栅的耦合系数η1 和从光纤光栅反馈回激光器的耦合系数η2 推导进描述耦合腔的散射矩阵元中,修正了耦合腔模型的表达式。发现两个耦合系数η1 与η2 之积的大小对增益曲线产生具体影响。分析表明短外腔及短的光纤光栅长度决定了损耗曲线最低处单纵模振荡,激光管芯与光纤端面的反射率也对阈值电流、边模抑制比产生明显影响,尤其对于激光器端面反射系数比较大的情况,可以通过仔细设计空气间隙的长度实现外腔模和法布里珀罗(F P)模式的匹配。

关键词：激光技术半导体激光器光纤光栅耦合效率

一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关(英文)

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光子学报 2008年第5期37卷 931-934页

作者：杨笛余金中陈少武中央民族大学理学院北京100081 中国科学院半导体研究所北京100083

本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模... 详细信息

本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03dB,插入损耗-0.6dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-6.8dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3dB,开关时间为6.8μs.

关键词：热光开关多模干涉耦合器 SOI

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印前图像质量的综合控制

包装工程 2007年第8期28卷 232-234页

作者：陈绍武深圳职业技术学院深圳518055

图像从扫描到输出,其质量控制是1个整体的、综合的过程。在印前操作系统的范围内从图像扫描、分色校正和输出设备校正3个方面给出了印前图像处理的质量控制方法。

关键词：印前图像质量控制校正

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数字化工作流程在印刷工艺中的应用

包装工程 2007年第4期28卷 39-41页

作者：陈绍武深圳职业技术学院深圳518055

主要介绍了数字化工作流程在印前和印刷中的应用情况,包括电脑拼大数码打样和JDF工作流程的应用,以及数字化工作流程在实际应用中尚存在的一些问题。

关键词：数字化工作流程应用问题

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短距离胶带运输机胶带更换方法的改进

化工矿物与加工 2011年第7期40卷 31-32页

作者：陈绍武瓮福(集团)有限责任公司

介绍了一种新型的短距离胶带运输机胶带更换方法,该法与传统方法比具有更换安全、省时、对生产影响小等特点。

关键词：胶带运输机胶带更换方法改进

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平版印刷中润版液的检测与分析

包装工程 2008年第4期29卷 180-182页

作者：陈绍武深圳职业技术学院深圳518055

主要介绍把平版印刷的润版液参数要求及其在印刷过程中的作用,以及检测的方法。并重点分析了润版液的主要成分和添加剂在润版液中所起的作用以及对印刷的影响。

关键词：平版印刷润版液检测添加剂

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一种新型2×2 SOI热光开关

光电子．激光 2007年第11期18卷 1280-1282,1285页

作者：杨笛余金中陈少武陈媛媛中央民族大学物理与电子工程学院北京100081 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利... 详细信息

设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差。基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs。

关键词：热光开关配对多模干涉耦合器 SOI 开关时间