检索结果-南通市图书馆

西安电子科技大学学报 1998年第5期25卷 659-663页

作者：柴常春杨银堂朱作云李跃进西安电子科技大学微电子研究所

简述了在ＳｉＣ材料半导体器件制造工艺中，对ＳｉＣ材料采用干法刻蚀工艺的必要性．总结了近年来ＳｉＣ干法刻蚀技术的工艺发展状况．

关键词：碳化硅干法刻蚀制造工艺

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掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构

Journal of Semiconductors 2007年第10期28卷 1584-1588页

作者：宋久旭杨银堂柴常春李跃进西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点试验室西安710071

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,... 详细信息

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,结果表明随着掺杂浓度的增加能带间隙呈现减小的趋势.

关键词：掺氮电子结构锯齿型单壁碳纳米管第一性原理

电磁脉冲对CMOS与非门的干扰和损伤效应与机理

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强激光与粒子束 2021年第10期33卷 71-78页

作者：孙毅柴常春刘彧千李福星杨银堂西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

利用Sentaurus-TCAD建立了CMOS与非门电路的二维电热模型,仿真研究了在电磁脉冲注入下,CMOS与非门电路产生的扰乱和损伤效应及其机理。结果表明,在EMP注入下,电路输出电压、内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",当注入功率较大时,EMP... 详细信息

利用Sentaurus-TCAD建立了CMOS与非门电路的二维电热模型,仿真研究了在电磁脉冲注入下,CMOS与非门电路产生的扰乱和损伤效应及其机理。结果表明,在EMP注入下,电路输出电压、内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",当注入功率较大时,EMP撤销后输出电压停留在异常值,PMOS源极电流增加,温度不断上升,最终烧毁在PMOS源极,这是因为器件内部产生了闩锁效应。随着脉宽的增加,损伤功率阈值减小而损伤能量阈值增大,通过数据拟合得到脉宽与损伤功率阈值和损伤能量阈值的关系。该结果可对EMP损伤效应进行评估并对器件级EMP抗毁伤加固设计具有指导作用。

关键词： CMOS与非门电磁脉冲干扰效应损伤效应脉宽效应

意愿与能力结合下中国流动人口住房租购需求——285个地级以上城市差异特性及城市和个体交互影响

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城市规划 2024年第6期48卷 47-58页

作者：柴康妮王宇凡冯长春首都经济贸易大学城市经济与公共管理学院北京大学纪检监察机构办公室北京大学城市与环境学院中国城市规划学会常务理事和流域空间规划分会

基于全国流动人口动态监测调查数据和城市数据,综合主观购房意愿和购房支付能力,构建流动人口多元化住房租购需求类型,探究其在285个城市间的空间格局,分析城市和个体两个层面的影响因素及二者的交互效应。研究发现,流动人口住房租购需... 详细信息

基于全国流动人口动态监测调查数据和城市数据,综合主观购房意愿和购房支付能力,构建流动人口多元化住房租购需求类型,探究其在285个城市间的空间格局,分析城市和个体两个层面的影响因素及二者的交互效应。研究发现,流动人口住房租购需求空间分异明显,东南沿海大城市带的流动人口租房需求旺盛,黄土高原和西南地区的流动人口有较强购房意愿但缺乏支付能力。城市和个体因素均产生了影响。流动人口在经济发达的城市租房需求较高,在公共服务完善的城市购房需求较高;定居意愿、在婚状态、家庭迁移和不稳定就业促进了购房需求;跨省流动、乡城流动、年龄、就业状况等个体因素的作用因城市因素而异。研究结果深化拓展了对流动人口住房需求的认识,为合理解决新市民住房问题提供依据。

关键词：流动人口住房需求空间分异多层logistic模型

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微电子专业实验室的建设与探索

实验室研究与探索 2020年第3期39卷 236-240页

作者：娄永乐柴长春樊永祥康海燕西安电子科技大学微电子学院西安710071

随着国内半导体产业的迅速发展,我国微电子方面的人才需求日益增大,建设高水平的微电子专业实验室可以有效提升微电子人才的工程实践能力和创新能力。结合我校的实际情况,分别从微电子专业实验室的建设意义、结构体系、人才队伍建设和... 详细信息

随着国内半导体产业的迅速发展,我国微电子方面的人才需求日益增大,建设高水平的微电子专业实验室可以有效提升微电子人才的工程实践能力和创新能力。结合我校的实际情况,分别从微电子专业实验室的建设意义、结构体系、人才队伍建设和实验室建设成果4个方面进行了探讨,旨在探索适合新时期实验室建设和实验教学的新思路。

关键词：微电子学实验教学实验室建设实验队伍建设

陶瓷衬底上淀积薄膜α－Fe_2O_3材料的微结构和气敏特性研究

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无机材料学报 1996年第3期11卷 493-498页

作者：柴常春彭军郭振琪镇桂芹西安电子科技大学微电子学研究所西北大学现代分析测试中心西安通信学院

本文用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在陶瓷衬底上成功地制备出了具有超微粒结构的α－Ｆｅ_２Ｏ_３气敏薄膜．对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和扫描电子显微分析（ＳＥＭ）．研究了淀积工艺条件对α－Ｆｅ_２Ｏ_３薄膜的粒... 详细信息

本文用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在陶瓷衬底上成功地制备出了具有超微粒结构的α－Ｆｅ_２Ｏ_３气敏薄膜．对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和扫描电子显微分析（ＳＥＭ）．研究了淀积工艺条件对α－Ｆｅ_２Ｏ_３薄膜的粒度的影响．气敏特性研究表明，用ＡＰＣＶＤＩ艺制备的超微粒α－Ｆｅ_２Ｏ_３薄膜对烟雾呈现出很高的灵敏度和良好的选择性，这种薄膜可用于感烟探测器．

关键词：微结构氧化铁气敏性陶瓷薄膜衬底淀积

4H-SiC在Cl_2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究

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真空科学与技术学报 2006年第6期26卷 500-503页

作者：贾护军杨银堂柴常春李跃进西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

采用Cl2+Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺研究,分析了气体流量、气体混合比、反应室压力I、CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响.得到的最大蚀速率为194 nm/min,表面均方根粗糙度为1.237 nm... 详细信息

采用Cl2+Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺研究,分析了气体流量、气体混合比、反应室压力I、CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响.得到的最大蚀速率为194 nm/min,表面均方根粗糙度为1.237 nm,Cl/Si原子浓度比约为0.97%∶99.3%。

关键词：碳化硅刻蚀感应耦合等离子体刻蚀速率

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SiC VDMoS特性的影响因素分析

微电子学 2008年第2期38卷 211-214页

作者：张娟柴常春杨银堂徐俊平宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件。对阈值电压和漏极电流的分析表明,在Vds=0.1 V、Vgs=15 V时,阈值电压随栅氧化层厚度... 详细信息

研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件。对阈值电压和漏极电流的分析表明,在Vds=0.1 V、Vgs=15 V时,阈值电压随栅氧化层厚度的增大而线性增大,随沟道长度的增加而增大;而漏极电流密度则随栅氧化层厚度的增加而减小,随沟道长度的增加而减小。

关键词： SiC VDMOS 栅氧化层沟道长度

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硅基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理

Journal of Semiconductors 2008年第12期29卷 2403-2407页

作者：柴常春杨银堂张冰冷鹏杨杨饶伟西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

针对Si基双极型低噪声放大器(LNA),用脉冲调制150MHz射频信号在其输入端进行了能量注入实验,研究结果表明Si基LNA的噪声系数和增益特性都是注入能量的敏感参数.样品解剖和电路仿真显示能量作用使LNA内部晶体管出现基极/发射极金属化损伤... 详细信息

针对Si基双极型低噪声放大器(LNA),用脉冲调制150MHz射频信号在其输入端进行了能量注入实验,研究结果表明Si基LNA的噪声系数和增益特性都是注入能量的敏感参数.样品解剖和电路仿真显示能量作用使LNA内部晶体管出现基极/发射极金属化损伤,基极金-半接触电阻增大导致了LNA噪声系数增大,而Si基双极器件hFE随时间正向漂移损伤模式使LNA增益随注入能量的增加而增大.研究表明,由于能量作用下损伤效应的复杂性,以往可靠性研究中单纯采用增益的变化来衡量器件与电路的损伤效应的方法是不全面的.

关键词：能量注入低噪声放大器噪声增益损伤机理

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基于SRAM的FPGA互连线结构简述

电子科技 2008年第2期21卷 28-32页

作者：刘丽樊宇柴常春西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071

FPGAs为信号处理、密码学和存储系统等领域提供了一个可编程的平台。可以在同一块芯片上配置不同的编程数据来实现相应的逻辑功能。可编程互连线资源是FPGA的重要功能模块。文中介绍了产生这种结构的原因以及层次式互连线结构是一种合... 详细信息

FPGAs为信号处理、密码学和存储系统等领域提供了一个可编程的平台。可以在同一块芯片上配置不同的编程数据来实现相应的逻辑功能。可编程互连线资源是FPGA的重要功能模块。文中介绍了产生这种结构的原因以及层次式互连线结构是一种合理、灵活、优化的连线方式,并且对于实现电路功能、提高电路性能都有重要作用。

关键词： FPGAs 互连线开关矩阵