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Investigations for the Surface of the Oxide Semiconductor Changes by Reduction

Chinese Physics Letters 2016年第5期33卷 84-87页

作者： bonghoon kang Sung-Tae Hwang Department of Visual Optics Far East UniversityChungcheongbuk-doKorea College of Engineering Hansung University

Oxide semiconductor SrTiO3 single crystals are exposed to a reducing atmosphere H2/N2 to induce the reduction of Ti4＋ to Ti3＋ and the release of oxygen from the lattice compensating the reduction of the Ti ions. In a reducing atmosphere H2/N2 the optical edge brings about a red shift. The infrared reflection spectra suggest that the （11） STO single crystal surface can be terminated by the domain of the SrO or TiO2 alternative layer during the reduction. The anisotropy and asymmetry of optical second-harmonic intensity explain a slight shrinkage. The dielectric constant reaches about 6000 and shows almost frequency dependence at all temperatures. With the increasing temperature, the dielectric constant increases rapidly. The high temperature region and low temperature region have activation energies of 0.89 and 1.04, respectively.

关键词： of on in STO as by for

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