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Slow Positron Annihilation in Silicide Films Formed by Solid State Interaction of Co/Ti/Si and Co/Si

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Chinese Physics Letters 1994年第4期11卷 231-234页

作者： liU Ping liN Chenglu ZHOU Zuyao ZOU Shichang WENG Huiming HAN Rongdian li bingzong Ion Beam Laboratory Shanghai Institute of MetallurgyAcademia SinicaShanghai 200050 Department of Modern Physics University of Science and Technology of ChinaHefei 230026 Department of Electronic Engineering Fudan UniversityShanghai 200433

Slow positron beam was used to investigate the solid state reaction of Co/Si and Co/Ti/***-energy(0-20 keV)positrons were implanted into samples at different *** Doppler broadening of the annihilation γ-ray energy spectra measured at a number of different incident positron energies is characterized by a line-shape parameter,*** was found that the measured S parameters are sensitive to thin film reaction and crystalline *** particular,the S parameter of epitavial CoSi_(2)formed by the ternary reaction is quite different from that of the polycrystalline CoSi_(2)formed by direct reaction of Co with Si.

关键词： positron parameter annihilation

Study of NiSi/Si Interface by Cross-Section Transmission Electron Microscopy

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Journal of Semiconductors 2006年第2期27卷 223-228页

作者：蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗复旦大学微电子学系上海200433

Different silicidation processes are employed to form NiSi,and the NiSi/Si interface corresponding to each process is studied by cross-section transmission electron microscopy （XTEM）. With the sputter deposition of a nickel thin film,nickel silicidation is realized on undoped and doped （As and B） Si（001） substrates by rapid ther mal processing （RTP）. The formation of NiSi is demonstrated by X-ray diffraction and Raman scattering spectros- copy. The influence of the substrate doping and annealing process （one-step RTP and two-step RTP） on the NiSi! Si interface is investigated. The results show that for one-step RTP the silicidation on As-doped and undoped Si substrates causes a rougher NiSi/Si interface,while the two-step RTP results in a much smoother NiSi/Si interface. High resolution XTEM study shows that axiotaxy along the Si（111） direction forms in all samples, in which specific NiSi planes align with Si（111） planes in the substrate. Axiotaxy with spacing mismatch is also discussed.

关键词： contact interface NiSi nickel silieide solid-state reaction rapid thermal processing

X-RAY MEASUREMENT OF THE GRAIN SIZES OF WSi_(2) FORMED IN COSPUTTERED W-Si FILMS

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Chinese Physics Letters 1986年第12期3卷 569-572页

作者： JIANG Xiaoming HUANG Yonglan WU Ziqin li bingzong Fundamental Physics Center University of Science and Technology of ChinaHefei Department of Electronic Engineering Fudan UniversityShanghai

The broadening of X-ray diffraction peaks has been used successfully to measure the grain sizes of WSi_(2) in cosputtered W-Si films after *** grain size of WSi_(2) increases with annealing temperature and reaches 115nm after annealing at 1000°*** grain sizes are quite similar to that obtained by transmission electron microscope in electron beam coevaporated film and low pressure chemical vapor deposited film.

关键词： sizes grain annealing.

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多发性骨髓瘤驱动基因的筛选

中国肿瘤临床 2023年第1期50卷 8-15页

作者：苏琪庄文卓李炳宗苏州大学基础医学与生物科学学院江苏省苏州市215123 苏州大学附属第二医院血液科

目的:鉴定并比较不同测序方案中多发性骨髓瘤(multiple myeloma,MM)潜在的驱动基因,为探讨MM的发生机制提供研究基础。方法:选择两套数据,一套数据为2016年5月至2020年11月苏州大学附属第二医院84例MM患者的基因组靶向突变测序数据,另... 详细信息

目的:鉴定并比较不同测序方案中多发性骨髓瘤(multiple myeloma,MM)潜在的驱动基因,为探讨MM的发生机制提供研究基础。方法:选择两套数据,一套数据为2016年5月至2020年11月苏州大学附属第二医院84例MM患者的基因组靶向突变测序数据,另一套数据从癌症基因组图谱(The Cancer Genome Atlas,TCGA)数据库下载的205例MM全基因组测序数据。在R4.1.0环境下,利用驱动基因识别算法对MM的潜在驱动基因进行挖掘,分析并比较两套数据筛选出的驱动基因及具体突变信息。结果:NRAS、KRAS、TP53、IDH1为两套数据共同识别出的驱动基因。两套数据中突变基因在NOTCH、RTK-RAS、Cell-Cycle、TP53、MYC及WNT通路均有富集。显著突变的NRAS、KRAS、TP53和IDH1在两套数据中发生突变的位点无显著性差异。另外,通过靶向突变测序方法,鉴定出MM新的驱动基因,CBL、BCOR和DNMT3A。结论:通过本研究获得了MM可能的驱动基因,有助于从基因分子层面揭示MM发生发展机制。

关键词：多发性骨髓瘤突变驱动基因靶向测序

不同氮氩比制备的W-Si-N薄膜的阻挡特性研究

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固体电子学研究与进展 2005年第4期25卷 554-558页

作者：屈新萍陆华茹国平李炳宗复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了薄膜沉积条件之一——氮气和氩气流量比对超薄(10nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响。用薄层电阻、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射谱(XRD)、电容-电压(C-V)等方法系统研究了氮氩比对W-Si-N、Cu/W-Si-N/Si以及Cu/W-Si-... 详细信息

研究了薄膜沉积条件之一——氮气和氩气流量比对超薄(10nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响。用薄层电阻、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射谱(XRD)、电容-电压(C-V)等方法系统研究了氮氩比对W-Si-N、Cu/W-Si-N/Si以及Cu/W-Si-N/SiO2/Si结构的热稳定性、电学稳定性的影响。实验发现,W-Si-N薄膜中氮含量对材料的阻挡特性起重要作用,高的氮氩比使薄膜中氮含量增高,薄膜对Cu的扩散阻挡特性增强。

关键词：铜互连扩散阻挡层非晶扩散阻挡层三元阻挡层

A BEEM Study on Effects of Annealing Temperature on Barrier Height Inhomogeneity of CoSi_2/Si Contact Formed in Co-Ti-Si Systems

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Journal of Semiconductors 2002年第1期23卷 6-10页

作者：竺士炀屈新萍茹国平李炳宗复旦大学微电子学系

Ultra thin epitaxial CoSi 2 films are fabricated by solid state reaction of a deposited bilayer of Co(3nm)/Ti (1nm) on n Si(100) substrates at different *** local barrier heights of the CoSi 2/Si contacts are determined by using the ballistic electron emission microscopy (BEEM) and its spectroscopy (BEES) at low *** CoSi 2/Si contact annealed at 800℃,the spatial distribution of barrier heights,which have mean barrier height of 599meV and a standard deviation of 21meV,obeys the Gaussian ***,for a sample that is annealed at 700℃,the barrier heights of it are more *** local barrier heights range from 152meV to 870meV,which implies the large inhomogeneity of the CoSi 2 film.

关键词： BEEM schottky barrier height silicide inhomogeneity

伊布替尼治疗慢性淋巴细胞白血病期间并发隐球菌性脑膜炎一例报告并文献复习

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中华血液学杂志 2020年第5期41卷 428-430页

作者：张涵张晓慧陈萍李炳宗苏州大学附属第二医院血液科 215000

隐球菌病是由隐球菌属引起的一种深部真菌病,致病菌主要是新生隐球菌和格特隐球菌,可侵犯多种器官系统,最常见的是肺和中枢神经系统(CNS)。隐球菌病多为机会性感染,最常发生于免疫功能缺陷群体,如人类免疫缺陷病毒(HIV)感染者[1]。其他... 详细信息

隐球菌病是由隐球菌属引起的一种深部真菌病,致病菌主要是新生隐球菌和格特隐球菌,可侵犯多种器官系统,最常见的是肺和中枢神经系统(CNS)。隐球菌病多为机会性感染,最常发生于免疫功能缺陷群体,如人类免疫缺陷病毒(HIV)感染者[1]。其他高危人群包括:接受糖皮质激素、细胞毒药物、免疫抑制剂治疗患者,晚期恶性肿瘤患者,器官或造血干细胞移植术后患者等[2,3,4]。

关键词：隐球菌性脑膜炎慢性淋巴细胞白血病免疫功能缺陷隐球菌病机会性感染细胞毒药物深部真菌病器官系统

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原发结外非霍奇金淋巴瘤110例临床分析

中国肿瘤临床 2009年第23期36卷 1333-1335,1339页

作者：陈萍李炳宗王盼君傅晋翔苏州大学附属第二医院血液科江苏省苏州市215004

目的:探讨原发结外非霍奇金淋巴瘤(PE-NHL)的发病情况、临床特点、诊断及治疗。方法:回顾性分析苏州大学附属第二医院2001年1月～2008年5月收治的PE-NHL 110例。结果:110例PE-NHL占同期收治恶性淋巴瘤患者的60.11%(110/183);原发部位广... 详细信息

目的:探讨原发结外非霍奇金淋巴瘤(PE-NHL)的发病情况、临床特点、诊断及治疗。方法:回顾性分析苏州大学附属第二医院2001年1月～2008年5月收治的PE-NHL 110例。结果:110例PE-NHL占同期收治恶性淋巴瘤患者的60.11%(110/183);原发部位广泛,常见部位依次为胃肠道21.82%(24/110)、Waldeve环10.91%(12/110)、鼻腔和软组织各9.10%(10/110)、纵隔7.27%(8/110)、其他少见部位41.82%(46/110);首发表现以原发器官肿大或肿块为主(77.27%),无特异性;90例患者国际预后指数(IPI)评分:低、中、高危组分别占41.11%、44.44%、14.44%。93例进行免疫分型:B细胞型69.90%,T细胞型30.10%;95例接受治疗,CR 61.05%,PR 16.84%,总有效率77.89%,中位生存时间30个月(2～86个月),5年总生存率27%。24例原发胃肠道非霍奇金淋巴瘤(PGIL),其临床特征与非原发胃肠道组比较无统计学差异,治疗23例,CR 65.21%,PR 17.39%,总有效率82.60%,中位生存时间24个月(2～78个月),5年总生存率30%。结论:本组资料中PE-NHL比例高迭60.11%,超过结内淋巴瘤;其首发部位广泛,临床表现多样但无特异性;全面认识本病、遵循合理的诊治模式是提高疗效的关键。

关键词：原发结外淋巴瘤原发胃肠道淋巴瘤诊断治疗

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人羊膜来源成体干细胞的多向分化潜能

生物工程学报 2009年第5期25卷 754-760页

作者：史明霞李维佳李炳宗李静赵春华昆明医学院第一附属医院血液科昆明650032 苏州大学附属第二医院血液科苏州215004 中国医学科学院中国协和医科大学基础医学研究所组织工程中心北京100005

干细胞治疗被认为是一种非常有潜力的治疗手段,其中成体干细胞由于不存在伦理问题,更为广大学者所青睐。本研究成功从人羊膜间质细胞中分离纯化出具有自我更新能力和多向分化潜能的成体干细胞。首先从羊膜间质细胞中通过极限稀释法进一... 详细信息

干细胞治疗被认为是一种非常有潜力的治疗手段,其中成体干细胞由于不存在伦理问题,更为广大学者所青睐。本研究成功从人羊膜间质细胞中分离纯化出具有自我更新能力和多向分化潜能的成体干细胞。首先从羊膜间质细胞中通过极限稀释法进一步分离得到羊膜来源成体干细胞(Amnion-derived stemcells,ADSC),分析其形态、生长方式及主要的免疫表型,并在体外分别将其向脂肪、成骨、内皮、肝细胞及神经细胞诱导分化。结果发现,ADSC在适宜条件下能够向3个胚层的细胞分化,经连续传代30次,其形态及表型稳定,并仍保持多向分化潜能。证实了ADSC的干细胞特性,可能为细胞治疗及干细胞工程提供种子细胞的新来源。

关键词：羊膜成体干细胞分化