检索结果-南通市图书馆

合金元素和控制轧制对低合金高强度钢抗硫化氢腐蚀的影响

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腐蚀与防护 2005年第9期26卷 402-406页

作者：王斌李春褔范舟陈玉祥油气藏地质及开发工程国家重点实验室成都610500 西南石油学院材料科学与工程学院成都610500

分析了硫化氢腐蚀钢材的原理,针对耐硫化氢腐蚀环境,就合金元素及微合金化、控制轧制对低合金高强度钢组织及性能的影响进行论述,提出了耐硫化氢腐蚀的低合金高强度钢的设计思路。

关键词：硫化氢腐蚀低合金高强度钢合金元素控制轧制

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中国省域城市代谢效率演化及影响因素分析

环境污染与防治 2021年第12期43卷 1625-1630页

作者：罗啸潇王婷廖斌付江月贵州大学管理学院贵州贵阳550025 湖南大学经济与贸易学院湖南长沙410079

运用数据包络分析法中非期望产出的SBM模型对中国2002—2018年省域城市代谢效率进行测算,并分析了时空演化趋势、空间相关性和影响因素。结果表明:中国城市代谢效率呈两极分化,各省域城市代谢效率的空间正相关性逐渐减弱并朝着负相关性... 详细信息

运用数据包络分析法中非期望产出的SBM模型对中国2002—2018年省域城市代谢效率进行测算,并分析了时空演化趋势、空间相关性和影响因素。结果表明:中国城市代谢效率呈两极分化,各省域城市代谢效率的空间正相关性逐渐减弱并朝着负相关性趋势发展;全国城市代谢效率增长速度和水平将趋于完全相同的稳态,但省域间城市代谢效率的差异会持续存在;第二产业比重、政府干预、污染治理和经济发展对全国城市代谢效率起显著负向影响,教育水平和对外开放起显著正向影响。

关键词：城市代谢非期望产出 SBM模型时空演化影响因素 Tobit模型

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高能X射线下水等效材料对水的等效性研究

计量学报 2020年第2期41卷 257-262页

作者：王志鹏邢书明王坤金孙均范富有刘福斌北京交通大学机械与电子控制工程学院北京100044 中国计量科学研究院北京100029

针对水等效材料校准医用加速器中存在的问题,通过对比法测量水体模和3种水等效材料校准医用加速器的剂量学差异,分别给出PTW 30013和IBA FC65-G两种类型探测器在校准深度为5 cm和10 cm的修正因子。针对加速器日稳定性校准的必要性,通过... 详细信息

针对水等效材料校准医用加速器中存在的问题,通过对比法测量水体模和3种水等效材料校准医用加速器的剂量学差异,分别给出PTW 30013和IBA FC65-G两种类型探测器在校准深度为5 cm和10 cm的修正因子。针对加速器日稳定性校准的必要性,通过近7个月的日稳定性测量结果,给出加速器漂移量和引起漂移的可能原因;针对水等效材料在相对测量中对水的等效性,通过测量12个辐射野的输出因子,得出水等效材料在相对测量中与水一致。最后给出水等效材料在高能X射线下水吸收剂量校准时的建议和注意事项。

关键词：计量学水等效材料日稳定性高能X射线绝对剂量输出因子

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集成环境下的零件可制造性分析系统

机床与液压 2005年第4期33卷 10-12,15页

作者：段福斌姜少飞潘双夏浙江科技学院机电系杭州310012 浙江大学CAD&CG国家重点实验室杭州310027

面向制造的设计技术和方法是并行设计技术的重要内容和研究热点之一, 实时的零件可制造性分析系统是DFM技术的重要组成内容。本文采用基于知识的可制造性分析策略, 建立了与三维设计软件Pro/Engineer相集成的零件可制造性分析系统, 并... 详细信息

面向制造的设计技术和方法是并行设计技术的重要内容和研究热点之一, 实时的零件可制造性分析系统是DFM技术的重要组成内容。本文采用基于知识的可制造性分析策略, 建立了与三维设计软件Pro/Engineer相集成的零件可制造性分析系统, 并对其关键技术做了研究。

关键词： DFM 可制造性分析专家系统并行工程

Physical analysis of normally-off ALD Al_(2)O_(3)/GaN MOSFET with different substrates using self-terminating thermal oxidation-assisted wet etching technique

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Chinese Physics B 2022年第9期31卷 511-518页

作者：黄成玉王金延张斌付振刘芳王茂俊李梦军王鑫汪晨何佳音何燕冬 School of Integrated Circuits Peking UniversityBeijing 100871China Beijing Chip Identification Technology Co. LtdBeijing 102200China

Based on the self-terminating thermal oxidation-assisted wet etching technique,two kinds of enhancement mode Al_(2)O_(3)/GaN MOSFETs(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors)separately with sapphire substrate and Si sub-strate are prepared.It is found that the performance of sapphire substrate device is better than that of silicon substrate.Comparing these two devices,the maximum drain current of sapphire substrate device(401 mA/mm)is 1.76 times that of silicon substrate device(228 mA/mm),and the field-effect mobility(μ_(FEmax))of sapphire substrate device(176 cm^(2)/V·s)is 1.83 times that of silicon substrate device(96 cm^(2)/V·s).The conductive resistance of silicon substrate device is 21.2Ω-mm,while that of sapphire substrate device is only 15.2Ω·mm,which is 61%that of silicon substrate device.The significant difference in performance between sapphire substrate and Si substrate is related to the differences in interface and border trap near Al_(2)O_(3)/GaN interface.Experimental studies show that(i)interface/border trap density in the sapphire substrate device is one order of magnitude lower than in the Si substrate device,(ii)Both the border traps in Al_(2)O_(3) dielectric near Al_(2)O_(3)/GaN and the interface traps in Al_(2)O_(3)/GaN interface have a significantly effect on device channel mobility,and(iii)the properties of gallium nitride materials on different substrates are different due to wet etching.The research results in this work provide a reference for further optimizing the performances of silicon substrate devices.

关键词： atomic layer deposition Al_(2)O_(3)/GaN MOSFET normally-off interface/border traps thermal oxidation-assisted wet etching

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高炉冷却壁热态试验研究

铸造 2007年第8期56卷 856-859页

作者：孙玉福崔金鹤赵靖宇闫兴义于荣斌高英民樊付辉郑州大学材料科学与工程学院河南郑州450002 安阳钢铁集团机制公司河南安阳455004

设计并建造了冷却壁热态试验系统,对铸钢冷却壁和球墨铸铁冷却壁的换热效果进行了工业模拟试验。在冷却水流速为3.0m/s、温度为30℃、炉内温度为1200℃时,铸钢冷却壁和球墨铸铁冷却壁的热面温度分别为:305℃和683℃,冷热面温差分别是:14... 详细信息

设计并建造了冷却壁热态试验系统,对铸钢冷却壁和球墨铸铁冷却壁的换热效果进行了工业模拟试验。在冷却水流速为3.0m/s、温度为30℃、炉内温度为1200℃时,铸钢冷却壁和球墨铸铁冷却壁的热面温度分别为:305℃和683℃,冷热面温差分别是:148℃和308℃;进水温度为40℃,铸钢冷却壁和球墨铸铁冷却壁热面温度分别是446℃和795℃。结果表明:球墨铸铁冷却壁热面温度高于相变温度,内部温度梯度较大,换热效果较差。铸钢冷却壁热面温度远低于相变温度,内部温度梯度较小,换热效果好,有利于提高冷却壁寿命。

关键词：铸钢冷却壁球墨铸铁冷却壁热态试验

异步DS-CDMA系统中的盲联合干扰消除与多用户检测

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信号处理 2013年第6期29卷 668-676页

作者：张江张杭崔志富郭继斌中国人民解放军理工大学通信工程学院江苏南京210007

针对异步DS-CDMA系统存在强恶意干扰时,系统性能急剧下降的问题。本文提出一种采用双天线接收的盲联合干扰消除与多用户检测方案。不同于传统的多用户检测方法,该方案考虑了恶意干扰的影响,首先通过串并变换将恶意干扰等效为多路信号,... 详细信息

针对异步DS-CDMA系统存在强恶意干扰时,系统性能急剧下降的问题。本文提出一种采用双天线接收的盲联合干扰消除与多用户检测方案。不同于传统的多用户检测方法,该方案考虑了恶意干扰的影响,首先通过串并变换将恶意干扰等效为多路信号,然后利用双天线接收到的两路受扰信号构造超定或适定盲源分离模型,将干扰消除与多用户检测问题转化为一相关源的盲分离问题,最后利用基于最大非高斯性盲源分离算法进行分离,从而实现盲联合干扰消除与多用户检测。该方案可以在未知扩频序列以及信道信息的情况下完成多用户检测,同时实现恶意干扰的消除,提高了系统的抗干扰能力。仿真结果表明该方案对单音干扰、部分频带干扰以及扫频干扰均具有一定的鲁棒性。

关键词：码分多址干扰消除多用户检测盲源分离最大非高斯性

等离子体增强热氧化法制备氧化锌纳米棒及其反应机制

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厦门大学学报（自然科学版） 2019年第2期58卷 254-259页

作者：郭斌傅骏驰渠亚洲程其进厦门大学能源学院福建厦门361102 厦门大学深圳研究院广东深圳518000

提出一种等离子体热氧化法,即通过自制的等离子体增强水平管式炉沉积系统,将金属锌箔在氧气与氩气混合气体中放电生成氧化锌纳米棒,并考察了反应温度、氩气与氧气的流量比以及放电电流对生成的氧化锌的形貌和微观结构的影响.结果发现:... 详细信息

提出一种等离子体热氧化法,即通过自制的等离子体增强水平管式炉沉积系统,将金属锌箔在氧气与氩气混合气体中放电生成氧化锌纳米棒,并考察了反应温度、氩气与氧气的流量比以及放电电流对生成的氧化锌的形貌和微观结构的影响.结果发现:在反应温度为500℃、氩气与氧气流量比(体积比)为9∶1时,有比较均匀、稳定的氧化锌纳米棒的生成;并且随着电流值不断增大,氧化锌纳米棒变长.此外,还提出了在等离子体条件下合成氧化锌纳米棒的生长机制:金属锌在适当的温度条件下加热,形成锌蒸汽并在锌箔表面凝结成金属颗粒;然后在O2-Ar气氛中,在等离子体放电过程中O2能有效地电离为O+、O2+离子,并在氩气辅助下进一步被等离子体转化为活化的氧原子并与锌反应形成氧化锌核,再向富氧的区域延伸,形成氧化锌纳米棒.

关键词：氧化锌等离子体纳米棒生长机制热氧化

化镍浸金工艺之黑盘特征、测试方法介绍及判定标准建议

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印制电路信息 2012年第10期20卷 60-66页

作者：李伏李斌汕头超声印制板(二厂)有限公司广东汕头515065

刚挠结合板是一种兼具刚性PCB的稳定性和FPC的柔软性的新型印刷电路板,其对恶劣应用环境具有很强的抵抗力,有较好的信号传输通路,并可实现不同装配条件下的三维立体组装,因此在医疗与军事设备和通讯方面有重要的应用,我国的线路板制造... 详细信息

刚挠结合板是一种兼具刚性PCB的稳定性和FPC的柔软性的新型印刷电路板,其对恶劣应用环境具有很强的抵抗力,有较好的信号传输通路,并可实现不同装配条件下的三维立体组装,因此在医疗与军事设备和通讯方面有重要的应用,我国的线路板制造企业也正在逐步提高软硬结合板占总体产量的比例。软硬结合板因为材料特性与产品规格的差异,在设备的适用程度上将影响产品良率与稳定度,因此跨入软硬结合板的生产前须先考虑到设备的适用程度;为验证我公司的硬板设备制作软板的可行性,选取一款刚挠结合板作为样品试制作。

关键词：化镍浸金黑盘测试方法判定标准