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Fabrication of 1.55μm Si-Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors

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Journal of Semiconductors 2005年第2期26卷 271-275页

作者：毛容伟左玉华李传波成步文滕学公罗丽萍张合顺于金中王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 北京化工厂北京100022

A novel bonding method using silicate gel as bonding medium is *** reflective SiO 2/Si mirrors deposited on silicon substrates by e-beam deposition are bonded to the active layers at a low temperature of 350℃ without any special treatment on bonding *** reflectivities of the mirrors can be as high as 99 9%.A Si-based narrow band response InGaAs photodetector is successfully fabricated,with a quantum efficiency of 22 6% at the peak wavelength of 1 54μm,and a full width at half maximum of about *** method has a great potential for industry processes.

关键词： RCE photodetector high quantum efficiency direct bonding bonding medium InGaAs

Tunable crystal structure of Cu-Zn-Sn-S nanocrystals for improving photocatalytic hydrogen evolution enabled by copper element regulation

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Journal of Semiconductors 2022年第9期43卷 68-73页

作者： Zhe Yin Min Hu Jun Liu Hao Fu Zhijie Wang Aiwei Tang Key Laboratory of Luminescence and Optical Information Ministry of EducationSchool of ScienceBeijing Jiaotong UniversityBeijing 100044China Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China College of Materials Science and Opto-Electronic Technology University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China

Hydrogen energy is a powerful and efficient energy resource,which can be produced by photocatalytic water *** the photocatalysis,multinary copper-based chalcogenide semiconductor nanocrystals exhibit great potential due to their tunable crystal structures,adjustable optical band gap,eco-friendly,and abundant *** this paper,Cu-Zn-Sn-S(CZTS)nanocrystals with different Cu content have been synthesized by using the one-pot *** regulating the surface ligands,the reaction temperature,and the Cu content,kesterite and hexagonal wurtzite CZTS nanocrystals were *** critical factors for the controllable transition between two phases were ***,a series of quatern-ary CZTS nanocrystals with different Cu content were used for photocatalytic hydrogen *** their band gap,energy level structure,and charge transfer ability were compared *** a result,the pure hexagonal wurtzite CZTS nano-crystals have exhibited an improved photocatalytic hydrogen evolution activity.

关键词： photocatalytic hydrogen evolution wurtzite Cu-Zn-Sn-S nanocrystals

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超薄阳极氧化铝模版的制备

微细加工技术 2008年第5期 12-15页

作者：胡迪白安琪成步文王启明中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083

采用二次阳极氧化铝的方法制备出厚度仅为509 nm超薄多孔阳极氧化铝模版,氧化铝模版上孔洞大小均匀,呈完美的六角分布,孔径为35 nm左右,孔间距约为100 nm。成功地将多孔阳极氧化铝模版转移到硅衬底上,并在磷酸溶液中通孔,使薄膜上小孔... 详细信息

采用二次阳极氧化铝的方法制备出厚度仅为509 nm超薄多孔阳极氧化铝模版,氧化铝模版上孔洞大小均匀,呈完美的六角分布,孔径为35 nm左右,孔间距约为100 nm。成功地将多孔阳极氧化铝模版转移到硅衬底上,并在磷酸溶液中通孔,使薄膜上小孔双向贯通。可以十分方便的利用该模版合成纳米点、纳米柱等纳米结构。

关键词：阳极氧化铝超薄纳米结构

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热光调谐滤波器的高温性能分析

Journal of Semiconductors 2005年第Z1期26卷 200-203页

作者：左玉华毛容伟李传波赵雷蔡晓成步文王启明中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083

研究了热处理对Si基热光Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器的影响,用原子力显微镜分析了高温热退火前后的器件表面变化.发现随着退火温度的升高,器件的透射峰发生蓝移,同时透射峰强度及DBR(distributed Braggreflector)反射率下降.透射峰... 详细信息

研究了热处理对Si基热光Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器的影响,用原子力显微镜分析了高温热退火前后的器件表面变化.发现随着退火温度的升高,器件的透射峰发生蓝移,同时透射峰强度及DBR(distributed Braggreflector)反射率下降.透射峰蓝移是非晶硅和SiO2致密后折射率增大而厚度减小,最终导致DBR中心波长偏短所致;DBR反射率下降和透射峰强度的下降是高温下表面和界面变得起伏较大所致.

关键词：热光效应 Fabry-Perot 可调谐滤波器热处理

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基于双速缓冲阀推移系统的压力特性研究

机电工程 2024年第6期41卷 1002-1010页

作者：张卜文寇子明吴娟李程彭艳伟太原理工大学机械与运载工程学院山西太原030024 华北科技学院应急装备学院河北廊坊065201 矿山流体控制国家地方联合工程实验室山西太原030024 潞安化工集团余吾煤业公司山西长治046000

综采工作面液压支架推移系统的定位控制由智能化开采的关键技术支撑,井下高压大流量工况下,现有支架开关换向阀启闭瞬间会引起系统压力流量突变,影响元件寿命以及执行机构运动的精度和平稳性。为此,设计了用于液压支架推移回路的双速缓... 详细信息

综采工作面液压支架推移系统的定位控制由智能化开采的关键技术支撑,井下高压大流量工况下,现有支架开关换向阀启闭瞬间会引起系统压力流量突变,影响元件寿命以及执行机构运动的精度和平稳性。为此,设计了用于液压支架推移回路的双速缓冲阀结构。首先,展开了对推移系统及双速缓冲阀的理论研究,分析了双速缓冲阀对系统启动、运行过程压力的影响;其次,建立了阀及推移回路的SimulationX模型,仿真分析了关键参数对阀压降以及液压执行系统速度的影响;最后,搭建了模拟实验台,研究了不同供液压力流量下双阀串联推移系统的压力特性。研究结果表明:启用双速缓冲阀后,减小了系统的压力和速度变化幅值,降低了阀前压力波动及其对系统压力的影响;在不同的系统压力、流量下,改善了阀后压力特性,增强了稳态压力抗干扰性;验证了方案的有效性,为井下阀控缸方案及后续阀的优化提供依据。

关键词：开关换向阀液压支架推移系统双阀串联双速阀缓冲性能压力响应特性 SimulationX

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微腔调制常温Ge量子点光致发光特性

Journal of Semiconductors 2005年第Z1期26卷 20-23页

作者：李传波毛容伟左玉华成步文余金中王启明中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083

报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.... 详细信息

报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合得很好,变功率实验也进一步证实了该结论.

关键词：微腔光致发光 Ge量子点调制

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高压强下外延生长的差分RHEED原位监测

真空科学与技术 1998年第6期18卷 470-474页

作者：雷震霖杨乃恒于卓成步文李代宗余金中王启明东北大学机械系沈阳110003 中国科学院半导体研究所北京100083

给出了能在较高压强（10（-1）Pa）下进行原位监控生长的差分RHEED系统的设计思想、结构性能等，同时给出了在LMBE技术中实际应用的结果，包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化。阐述了产生这一现象的原因，提出了需要进一步研究... 详细信息

给出了能在较高压强（10（-1）Pa）下进行原位监控生长的差分RHEED系统的设计思想、结构性能等，同时给出了在LMBE技术中实际应用的结果，包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化。阐述了产生这一现象的原因，提出了需要进一步研究和改进的问题。

关键词：反射式高能电子衍射外延生长激光薄膜

外延生长Ge_(1-x)Sn_x合金的研究进展

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材料导报 2010年第21期24卷 90-93,117页

作者：苏少坚汪巍胡炜玄张广泽薛春来左玉华成步文王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝。采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差。采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSn... 详细信息

Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝。采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差。采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金,但是所用的Sn气体源难以获得。综述了Ge1-xSnx合金外延生长的研究进展。

关键词： Ge1-xSnx 合金外延分凝

1.55μm Fabry-Perot Thermo-Optical Tunable Filter with Amorphous-Si as Cavity

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Journal of Semiconductors 2003年第9期24卷 911-915页

作者：左玉华蔡晓毛容伟黄昌俊成步文李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心北京100083

A 1.55μm Fabry-Perot (F-P) thermo-optical t unable filter is *** cavity is made of amorphous silicon (a-Si) layer grown by electron-beam evaporation *** to the excellent thermo-optical property of a-Si,the refractive index of the F-P cavity will be changed by heating;the transmittance resonant peak will therefore shift *** measured tuning rang is 12nm, FWHM (full-width-at-half-maximum) of the transmissi on peak is 9nm,and heating efficiency is 0.1K/*** large FWHM is mainly due to th e non-ideal coating deposition and mirror *** improvements to increase the efficiency of heating are suggested.

关键词： thermo-optical effect Fabry-Perot tunable filter a-Si