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Effect of SnCl2 and SnCl4 precursors on SnSx thin films prepared by ultrasonic spray pyrolysis

Journal of Semiconductors 2017年第6期38卷 18-23页

作者： Z.Hadef K.Kamli A.Attaf M.S.Aida b.chouial Laboratoire des Semi-Conducteurs Faculte des Sciences Universite Badji Mokhtar Annaba Algeria Laboratoire de physique des couches minces et applications LPCMA Universite de Biskra Algeria Laboratoire de Couches Minces et Interfaces Faculte des Sciences Universite de Constantine Algeria

Thin films of SnSx,semiconductors,have been successfully synthesized by ultrasonic spray pyrolysis technique,using two precursors namely：tin（II）chloride and tin（IV）chloride,*** solutions were prepared by the dilution of different Sn molarities of the two precursors *** precursor molarities were varied from 0.04 to 0.07 mol/L,whereas that of S was fixed at 0.1 mol/*** present work focuses on the effect of the different precursor’s molarities on the nature and the properties of the prepared thin films in order to optimize the growth conditions.X-ray diffraction analysis reveals that the precursor’s molarities alter the grain size of the prepared films,which varied from 8 to 14 nm and from 12 to 16 nm,according to the used *** films analysis by SEM,shows that the SnS2 films are more dense and smooth than the SnS *** composition of the elements is analysed with an EDX spectrometer,and the obtained result for M（sn）=0：07 mol/L indicates that the atomic ratio of Sn to S is 51.57：48：43 and 36：64 for films synthesized from the first and second precursors *** measurements show that the conductivity behavior depends on the used precursors and their molarities.

关键词： precursors ultrasonic spray tin sulfide semiconductor thin films characterization

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