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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
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日期分布

主题

  • 2 篇 mesfet
  • 1 篇 噪声系数
  • 1 篇 匹配电路
  • 1 篇 波段
  • 1 篇 千兆赫
  • 1 篇 结构器件
  • 1 篇 器件参数
  • 1 篇 单片
  • 1 篇 fet
  • 1 篇 微波性能
  • 1 篇 线路放大器
  • 1 篇 频段
  • 1 篇 栅长
  • 1 篇 击穿电压
  • 1 篇 功率增益
  • 1 篇 氧化铝衬底
  • 1 篇 gaas
  • 1 篇 低噪声放大器
  • 1 篇 凹槽

作者

  • 2 篇 a.higashisaka
  • 1 篇 asamitsu higashi...
  • 1 篇 张俊杰
  • 1 篇 张绵
  • 1 篇 蔡西媛

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"作者=Asamitsu Higashisaka"
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GaAs功率MESFET性能与器件参数关系的实验研究
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微纳电子技术 1984年 第3期 29-35页
作者： asamitsu higashisaka 张绵
用实验的方法研究了GaAs功率MESFET性能与器件参数的关系。功率增益、输出功率随栅长的变化很灵敏,随着栅长的增加,功率增益的率是1.7dB/μm,输出功率的降低率是0.67dB/μm。栅指的宽度对微波性能的影响不明显,在8GHz下栅指宽度一直增大... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
20GHz频段单片GaAsFET低噪声放大器
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引用
微纳电子技术 1981年 第6期 55-60页
作者： A.higashisaka 蔡西媛
研制出一种20GHz频段单片砷化镓场效应低噪声放大器。通过得到在半绝缘砷化镓衬底上的微带线传输特性来完成设计和制造。研制的羊片放大器由亚微米栅GaAsMESFET和在半绝缘砷化镓衬底上制作输入和输出分布参数匹配电路所构成,尺寸为2.75... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
斜凹槽结构的砷化镓功率MESFET
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引用
微纳电子技术 1980年 第2期 86-87页
作者： A.higashisaka 张俊杰
通过采用斜凹槽结构改进了砷化镓功率 MESFET 的性能。在6千兆赫波段,增益4分贝下,得到最大输出功率为15瓦,在11千兆赫波段,3分贝增益下为4.3瓦。由于采用了高掺杂（n+）漏区或陡凹槽结构,已制成具有高源-漏击穿电压的砷化镓功率 MESFE... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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