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Coherent-interface-induced strain in large lattice-mismatched materials:A new approach for modeling Raman shift

Nano Research 2022年第3期15卷 2405-2412页

作者： andrian v.kuchuk Fernando Mde Oliveira Pijush K.Ghosh Yuriy I.Mazur Hryhorii v.Stanchu Marcio D.Teodoro Morgan E.Ware Gregory J.Salamo Institute for Nanoscience and Engineering University of ArkansasFayettevilleAR 72701USA Departamento de Física Universidade Federal de São CarlosSão CarlosSP 13565-905Brazil Department of Electrical Engineering University of ArkansasFayettevilleAR 72701USA

Strain engineering as one of the most powerful techniques for tuning optical and electronic properties of III-nitrides requires reliable methods for strain *** this work,we reveal,that the linear model based on the experimental data limited to within a small range of biaxial strains(ve Raman study of strain with nanometer-scale spatial resolution is not valid for the binary wurtzite-structure group-III nitrides GaN and ***,we found that the discrepancy between the experimental values of strain and those calculated via Raman spectroscopy increases as the strain in both GaN and AlN ***,a new model has been developed to describe the strain-induced Raman frequency shift in GaN and AlN for a wide range of biaxial strains(up to 2.5%).Finally,we proposed a new approach to correlate the Raman frequency shift and strain,which is based on the lattice coherency in the epitaxial layers of superlattice structures and can be used for a wide range of materials.

关键词： Raman spectroscopy strain lattice coherency III-nitrides high-resolution X-ray diffraction(HRXRD)

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