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Direct Comparison of Catalyst-Free and Catalyst-Induced GaN Nanowires

Nano Research 2010年第7期3卷 528-536页

作者： Caroline Chèze Lutz Geelhaar Oliver Brandt Walter M.Weber Henning Riechert Steffen Münch Ralph Rothemund Stephan Reitzenstein alfred forchel Thomas Kehagias Philomela Komninou George P.Dimitrakopulos Theodoros Karakostas Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik 5-7 HausvogteiplatzBerlin 10117Germany NaMLab gGmbH Dresden 01187Germany Technische Physik Universität WürzburgAm HublandWürzburg 97074Germany Physics Department Aristotle UniversityThessaloniki 54124Greece

GaN nanowires have been grown by molecular beam epitaxy either catalyst-free or catalyst-induced by means of Ni *** identical growth conditions of temperature andⅤ/Ⅲratio,both types of GaN nanowires are of wurtzite structure elongated in the Ga-polar direction and are constricted by M-plane ***,the catalyst-induced nanowires contain many more basal-plane stacking faults and their photoluminescence is *** differences can be explained as effects of the catalyst Ni seeds.

关键词： Nanowire nanocolumn molecular beam epitaxy(MBE) photoluminescence stacking faults catalyst

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