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Self-Organizing Processes in Semiconduct.r Mat.rials Science on t.e Example of Nanost.uct.ring of por-Si

Mat.rials Sciences and Applicat.ons 2013年第8期4卷 1-11页

作者： Kurbangali B. t.nysht.kbaev t.lant.Ait.ukan ainur t. issova Bagdat.A. Rakhymet.v Mukht.r A. Yeleuov Serekbol Zh. t.kmoldin Inst.t.t. of Physics and t.chnology Almaty Kazakhstan

Self-organizat.on processes in semiconduct.r mat.rials on t.e example of nanost.uct.ring of por-Si at.long anodic et.hing of p-t.pe Si in t.e elect.olyt. wit. int.rnal source of t.e current.are shown. In condit.ons of a “soft. et.hing of t.e Si point.defect. are formed and in t.e subsequent.y occurs t.eir spat.al-t.mporal ordering. t.is leads t. t.e ordering pores and t.e nanost.uct.ring of por-Si. Self-organizat.on mechanism of Si nanocryst.llit.s islet. is described by t.e effect. of t.e elast.cally-deformat.ve, defect.vely-deformat.ve and capillary-fluct.at.on forces.

关键词： Porous Silicon Point Defect. Self-Organizat.on Nanost.uct.ring

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