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检索条件"作者=Achari V"
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印度城市中产阶级正常血压、正常高值血压和高血压人群的患病率、知晓率、治疗率及控制率调查
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中华高血压杂志 2013年 第6期21卷 598-598页
作者： Gupta R Deedwania PC achari v Bhansali A Gupta BK Gupta A Mahanta TG Asirvatham AJ Gupta S Maheshwari A Saboo B Jali Mv Singh J Guptha S Sharma KK 罗冬梅 叶鹏
该研究为一多中心研究，研究印度城市中产阶级正常血压、正常高值血压和高血压人群的发病率与影响因素以及知晓率、治疗率和控制率。方法：从11个城市选取中产阶级人群6106名（男3371名，女2735名），评估他们的社会人口学和生物学因素... 详细信息
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Electronic and magnetic properties of v-and Cr-doped zinc-blende AlN
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引用
Communications in Theoretical Physics 2021年 第12期73卷 168-175页
作者： T El-achari F Goumrhar L B Drissi M Drissi El Bouzaidi R Ahl Laamara LPHE-Modeling and Simulations Faculty Of SciencesMohammed V University in RabatMorocco Centre of Physics and Mathematics CPM-MoroccoMohammed V University in RabatMorocco Higher School of Education and Training of El Jadida(ESEF) Chouaib Doukkali UniversityEl JadidaMorocco Laboratoire des Sciences de l’lngenieur pour l’Energie Ecole Nationale des Sciences Appliquees d El Jadida(ENSA-J)BP 1166EL Jadida Plateau24002Morocco College of Physical and Chemical Sciences Hassan II Academy of Sciences and TechnologyKm 4Avenue Mohammed VIRabatMorocco National School of Architecture of Tetouan(ENA) Abdelmalek Essaadi UniversityTetouanMorocco
The electronic and magnetic properties of the zinc-blende aluminum nitride doped with v and Cr are studied using the density functional theory(DFT),namely the KKR-CPA-PBE *** Al N is found to be a wide band gap semico... 详细信息
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