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检索条件"作者=A.V.Alakh.erdyan.s.I.Aleks.ev"
172 条 记 录,以下是171-180 订阅
排序:
C^+注入si形成siC/si异质结构的椭偏光谱
收藏 引用
Journal of semiconductors 2000年 第11期21卷 1086-1091页
作者: 阳生红 李辉遒 莫党 陈第虎 黄世平 中山大学物理系 广州510275 香港中文大学电子工程系材料技术研究中心
用椭偏光谱法测量了 ( 35ke v,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke v,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 si形成的 si C/si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 si C/si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :... 详细信息
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双酞菁镥电学性能的研究
收藏 引用
无机化学学报 1987年 第4期 35-41页
作者: 汪福临 倪嘉缵 谢云芬 刘同明 扬州师范学院 中国科学院长春应用化学研究所 中国科学院化学研究所 北京
测量了(Pc2Lu)H的电阻温度特性曲线、伏安特性曲线和交流电导。室温时电阻率(ρ)为1.2×105Ωcm,激活能△E为0.21ev,不受气氛的影响。伏安特性曲线上转折点电场强度约为7×102v/cm。当频率达107Hz时,ρ才到达平衡,从这里估算出,迁... 详细信息
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