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Investigation on the InAs(1–x)Sbx epilayers growth on GaAs(001)substrate by molecular beam epitaxy

Journal of Semiconductors 2018年第3期39卷 14-18页

作者： D.Benyahia L.Kubiszyn K.Michalczewski a.keblowski P.Martyniuk J.Piotrowski A.Rogalski Institute of Applied Physics Military University of Technology2 Kaliskiego Str.00-908 WarsawPoland Vigo System S.A. 129/133 Poznaflska Str.05-850 O2ar6w MazowieckiPoland

Undoped and Be-doped InAs（1–x）Sbx（0 ≤ x ≤ 0.71） epitaxial layers were successfully grown on lattice mismatched semi-insulating Ga As（001） substrate with 2° offcut towards 〈110〉. The effect of the In As buffer layer on the quality of the grown layers was investigated. Moreover, the influence of Sb/In flux ratio on the Sb fraction was examined. Furthermore, we have studied the defects distribution along the depth of the In As Sb *** addition, the p-type doping of the grown layers was explored. The In As Sb layers were assessed by X-ray diffraction, Nomarski microscopy, high resolution optical microscopy and Hall effect measurement. The In As buffer layer was found to be beneficial for the growth of high quality In As Sb layers. The X-ray analysis revealed a full width at half maximum（FWHM） of 571 arcsec for In As0.87 Sb0.13. It is worth noting here that the Hall concentration（mobility） as low（high） as 5 × 10^（16）cm^（-3）（25000 cm^2 V^（-1）s^（-1）） at room temperature, has been acquired.

关键词： MBE InAsSb Hall effect GaAs X-ray diffraction

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Dark current suppression in HOT LWIR HgCdTe heterostructures operating in non-equilibrium mode

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红外与毫米波学报 2015年第4期34卷 385-390页

作者： Martyniuk P Gawron W Pawluczyk J keblowski A Madejczyk P Rogalski A Institute of Applied Physics Military University of Technology2 Kaliskieg0 Str. 00-908 Warsaw Poland Vigo System S. A. 129/133 Poznaflska Str. 05-850 O z ar6w Mazowiecki Poland

Typically,infrared detectors require cryogenic cooling to limit dark current w hich is directly dependent on Auger generation-recombination mechanism and highly influential in Hg Cd Te-narrow band gap *** Auger suppressed architectures have an advantage over conventional detectors allow ing operation at elevated temperatures>200 *** w ith combination of exclusion and extraction heterojunctions has been proposed to low er Auger *** paper presents a new long-w ave(≈10μm)infrared Hg Cd Te architecture w ith graded gap/doping interfaces and extra barrier located in exclusion heterojunction to suppress dark current for high operating temperature *** barrier implementation reduces dark current by more than 20 A/cm2for room temperature operation.

关键词：红外技术毫米波技术光电技术应用

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