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ZnS thin films deposition by thermal evaporation for photovoltaic applications

Journal of Semiconductors 2015年第10期36卷 41-44页

作者： K.Benyahia a.benhaya M.S.Aida Electrical Engineering Department University of Hadj Lakhdar Batna Head of Clean Room LEA LaboratoryUniversity of Hadj Lakhdar Batna Physics Department University of Constantine 1Algeria

ZnS thin films were deposited on glass substrates by thermal evaporation from millimetric crystals of ZnS. The structural, compositional and optical properties of the films are studied by X-ray diffraction, SEM microscopy, and UV-VIS spectroscopy. The obtained results show that the films are pin hole free and have a cubic zinc blend structure with （111） preferential orientation. The estimated optical band gap is 3.5 eV and the refractive index in the visible wavelength ranges from 2.5 to 1.8. The good cubic structure obtained for thin layers enabled us to conclude that the prepared ZnS films may have application as buffer layer in replacement of the harmful CdS in CIGS thin film solar cells or as an antireflection coating in silicon-based solar cells.

关键词： ZnS thin films thermal evaporation buffer layer antireflection coating

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Continuous analyticⅠ-Ⅴmodel for GS DG MOSFETs including hot-carrier degradation effects

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Journal of Semiconductors 2012年第1期33卷 41-46页

作者： Toufik Bentrcia Faycal Djeffal Abdel Hamid benhaya Department of Physics University of Batna Batna 05000Algeria LEA Department of Electronics University of BatnaBatna 05000Algeria

We have studied the influence of hot-carrier degradation effects on the drain current of a gate-stack double-gate （GS DG） MOSFET device. Our analysis is carried out by using an accurate continuous current-voltage （I-V） model, derived based on both Poisson＇s and continuity equations without the need of charge-sheet approxi- mation. The developed model offers the possibility to describe the entire range of different regions （subthreshold, linear and saturation） through a unique continuous expression. Therefore, the proposed approach can bring consid- erable enhancement at the level of multi-gate compact modeling including hot-carrier degradation effects.

关键词： GS DG MOSFET hot-carriers degradation effects compact modeling piece-wise models

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