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Influence of oxygen partial pressure on properties of N-doped ZnO films deposited by magnetron sputtering

Transactions of Nonferrous Metals Society of China 2010年第12期20卷 2326-2330页

作者：王金忠 E.ElANGOVAN N.FRANCO a.alvese A.REGO R.MARTINS E.FORTUNATO School of Materials Science and Engineering Harbin Institute of Technology Material Science Department CENIMAT/I3N and CEMOP/UNINOVAFCT-UNLCampus de Caparica2829-516 CaparicaPortugal Ion Beam Laboratory Physics DepartmentInstitute of Technology and Nuclear EN.102686-953 SacavemPortugal Center of Molecular Chemistry-Physics Institute of Nanoscience and NanotechnologyComplexo InterdisciplinarIST 1049-001 LisboaPortugal

N-doped ZnO films were radio frequency(RF)sputtered on glass substrates and studied as a function of oxygen partial pressure(OPP)ranging from 3.0×10-4 to 9.5×10-3 Pa.X-ray diffraction patters confirmed the polycrystalline nature of the deposited *** crystalline structure is influenced by the variation of *** force microscopy analysis confirmed the agglomeration of the neighboring spherical grains with a sharp increase of root mean square(RMS)roughness when the OPP is increased above 1.4×10-3 Pa.X-ray photoelectron spectroscopy analysis revealed that the incorporation of N content into the film is decreased with the increase of OPP,noticeably N 1s XPS peaks are hardly identified at 9.5×10-3 *** average visible transmittance(380-700 nm) is increased with the increase of OPP(from～17%to 70%),and the optical absorption edge shifts towards the shorter *** films deposited with low OPP(≤3.0×10-4 Pa)show n-type conductivity and those deposited with high OPP(≥9.0×10-4 Pa)are highly resistive(>105Ω·cm)

关键词： ZnO oxygen partial pressure magnetron sputtering transmittance

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