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柱对称抛射体超音速绕流Mach-Zehnder干涉图分析的数值解法

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吉林大学自然科学学报 1981年第3期 60-71页

作者：丁培柱潘守甫吉林大学原子与分子物理研究所

本文把作者在文献[1]中对“含激波等离子体光谱的Abel变换”得到的四条物理结论和求解含激波的Abel变换的数值解法直接推广到了柱对称抛射体超音速绕流的Mach-Zehnder干涉图分析上。文中对实验测得的干涉条纹移动δ（x,z）与超音速流场... 详细信息

本文把作者在文献[1]中对“含激波等离子体光谱的Abel变换”得到的四条物理结论和求解含激波的Abel变换的数值解法直接推广到了柱对称抛射体超音速绕流的Mach-Zehnder干涉图分析上。文中对实验测得的干涉条纹移动δ（x,z）与超音速流场中各点处的密度改变ρ（r,z）-ρ0之间的关系得到了与文献[1]类似的三条物理结论,并给出了从观测到的干涉条纹移动δ（x,z）计算流场中各点处的密度改变ρ（r,z）-ρ0所用的全部变换系数公式。本文利用文献[2]中的一张柱对称抛射体超音速绕流的Mach-Zehnder干涉图作了流场密度计算,得到了好的结果。文中还给出了流场中含有多个激波时的简化算法。

关键词：干涉图抛射体超音速绕流 Mach-Zehnder 数值解法计算方法

Variational calculation of the Intrashell 2p^2 ~3.^e State for Heliumlike F^( 7+) ion

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原子与分子物理学报 2000年第4期17卷 743-747页

作者： GUANG Xiao xu 1, WANG Zhi wen(Z.W.Wang) 2(1.Wuhan institute of physics and Mathematics, Chinese Academy of Science, Wuhan 43.071 2.Department of physics,Liaoning Normal {3., Dalian 116029) 中科院武汉物理与数学所湖北武汉 430071 辽宁师范大学辽宁大连 116029

Doubly excited intrashell 2p 2 3. e state in heliumlike F 7+ ion is calculated by using the modified configuration interaction wave function. Using the modified Slater type wave function having up to 3.2 terms, the energy position of the discrete 2p 2 3. e state in F 7+ is determined to be -18.812 629 78 a.u., Several expectation values of r i,r -1 12 and r 12 are also given in the present work. The present results indicate that the modified Slater type wave function in which r coordinates are incorporated is effective and powerful for the description of the 2p 2 3. e state showing strong correlation effect in two electron systems.

关键词：变分计算壳层氟离子氦状态

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锂原子偶极跃迁振子强度的计算

吉林大学自然科学学报 1984年第2期 60-66页

作者：赵永芳潘守甫吉林大学原子与分子物理研究所

本文用Hartree-Fock-Slater（HFS）近似和Xα近似计算了锂原子频率在2×104—4×104(1010秒-1)范围内偶极跃迁的振子强度,同实验结果比较表明Xα近似是工程上大量计算原子振子强度省时可靠的方法。

关键词：计算振子强度 HFS 交换势电子组态偶极跃迁锂原子波函数波动力学

Piezoelectric A1N Thin Films Synthesized by Midfrequency Dualtarget Magnetron Sputtering

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Piezoelectric A1N Thin Films Synthesized by Midfrequency Dua...

第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会

作者： Pu Chen~1,Qicai Peng~1,Guangbin Zhao~1,Lun Zeng~2 (1.School of Material Science and Engineering,Xihua university,chengdu 61003.,P.R.china 2.Southwest {3. of Technical physics,chengdu 610041,P.R china)

AlN thin films were deposited on Si substrates by midfrequency dualtarget magnetron sputtering.X-ray diffraction(XRD) and atomic force microscopy(AFM) are employed to characterize the AlN thin *** order to control structure and roughness of the films for high frequency surface acoustic wave(SAW) devices,the influences of different processing parameters were *** was found that substrate temperature has a great effect on the morphology of the films,the elevated substrate temperature will improve the crystallization and the orientation of the AlN films.

关键词：

SiH Interacting with Si surface and Formation of Hydrogenated Silicon Films:MD study

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SiH Interacting with Si surface and Formation of Hydrogenate...

第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会

作者： Chen Feng1,2, Zhao Cheng-li1,2, Sun Wei-zhong3. He Ping-ni1,Liu Hua-min3. Zhang Jun-yuan3. Lu Xiao-dan1, F. Gou 3.4 1institute of Plasma Surface Interactions, Guizhou university, Guiyang 550025, china 2College of science, Guizhou university, Guiyang 550025, china 3.ey Lab of Radiation physics & Technology Ministry of Education, chengdu 610064, china 4FOM institute for Plasma physics, 3.3. MN Nieuwegein, the Netherlands

Silicon films can be deposited inexpensively at low temperatures and uniformly over large areas using plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)through

关键词： deposited PECVD molecular dynamics hydrogenated amorphous silicon film

S_2(B^3._u^-→X^3._g^-(ν′≥18,0))弥散谱带的自旋-轨道从头计算

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物理学报 2005年第12期54卷 5618-5621页

作者：闫冰潘守甫王志刚于俊华吉林大学原子与分子物理研究所长春130012 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家重点实验室哈尔滨150001

采用从头计算方法从理论上解释了实验中双原子分子S_2(B^3._u^-→X^3._g^-吸收谱中谱带(18,0)开始出现的弥散现象.计算了包含自旋-轨道耦合(SOC)的B3.u-和排斥的15Πu,23.u+态的电子势能曲线.对于(18,0)谱带开始弥散,给出了与其他... 详细信息

采用从头计算方法从理论上解释了实验中双原子分子S_2(B^3._u^-→X^3._g^-吸收谱中谱带(18,0)开始出现的弥散现象.计算了包含自旋-轨道耦合(SOC)的B3.u-和排斥的15Πu,23.u+态的电子势能曲线.对于(18,0)谱带开始弥散,给出了与其他文献不同的物理解释.计算结果表明B3.u-与15Πu,23.u+态的SOC作用导致预解离对谱带的弥散起着决定作用,并与实验结果作了比较,符合很好.

关键词： S2 从头计算自旋-轨道耦合预解离

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超音速绕流Mach-Zehnder干涉图分析的Abel变换

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光学学报 1981年第5期 423-432页

作者：丁培柱潘守甫吉林大学原子与分子物理研究所

本文处理了含激波的柱对称或球对称抛射体超音速统流Mach-Zehnder干涉图分析的Abel变换问题。我们对一般的Abel积分方程研究了具有有限个间断点的解的某些性质;将其应用到Mach-Zehnder干涉图的干涉条纹移动δ（x）和密度ρ（x）间的Abe... 详细信息

本文处理了含激波的柱对称或球对称抛射体超音速统流Mach-Zehnder干涉图分析的Abel变换问题。我们对一般的Abel积分方程研究了具有有限个间断点的解的某些性质;将其应用到Mach-Zehnder干涉图的干涉条纹移动δ（x）和密度ρ（x）间的Abel变换上,得到了三个有明显物理意义的结论,（1）干涉图上的任一直线上的干涉条纹移动δ（x）是x的连续函数;（2）若在截面1-1上的圆环r=c处有激波,则当x→c时,δ’（x）～L/（c-x）1/2;（3.若除尖点c外,干涉条纹移动δ（x）是光滑的,limδ’（x）存在,且当x→c时,δ’（x）～L/（c-x）1/2,则流场中于圆环r=c处出现激波,在激波两侧密度跳跃值为Δρ=λ*L/K（2c）1/2,且对r≥c和r

关键词：干涉图超音速绕流 Mach-Zehnder 干涉条纹 Abel

molecular dynamics simulation of the energy effect SiH3. interaction with Si surface

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Molecular dynamics simulation of the energy effect SiH3+ int...

第十五届全国等离子体科学技术会议

作者： Tian Shu-ping~1,Sun Wei-zhong~1,Zhang yan-po~1,Zhao Cheng-li~2,Chen Feng~2,F.Gou~(1,3. (1.Key Lab of Radiation physics & Technology Ministry of Education,chengdu 610064,china 2.College of science,Guizhou {3.,Guiyang 550025,china 3.FOM institute for Plasma physics,3.3. MN Nie jwegein,the Netherlands)

During fabricating hydrogenated silicon films using plasma enhanced chemical vapor deposition method(PECVD),the interactions between SiH ions and surfaces signifincantly affect performances of the deposited *** order to understant the interactions at the atomic scale,we report the molecular dynamics simulations of interactions between SiH and Si *** simulation results show that the deposition rate of Si atoms decrease with increasing incident energy and the deposition rate of H atoms first increased and then *** sedimentary Si,H atoms and the sample surface atoms form hydrogenated amorphous silicon *** hydrogenated amorphous silicon films SiH,SiH and SiH groups are *** the film SiH-SiH, SiH-SiH and SiH-SiH bonds are dominant and few SiH-SiH and SiH-SiH bonds are *** film component changes with depth of hydrogenated amorphous silicon *** discuss the deposition mechanism.

关键词： molecular dynamics simulation deposition rate hydrogenated amorphous silicon film film component.

类He离子基态的Hartree-Fock有限元计算

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计算物理 1988年第3期 289-301页

作者：石嵩丁培柱电子工业部中国软件技术公司吉林大学原子分子物理所

FEM直至七十年代中期才应用于原子分子问题。已有工作虽不多,却说明FEM对一维和二维问题是有效的,但应用于n(≥3.电子原子问題至少在目前是不现实的。我们提出一种FEM与HF方法相结合的方法(HFFEM),在DPS8机上计算了类He离子的基态能量... 详细信息

FEM直至七十年代中期才应用于原子分子问题。已有工作虽不多,却说明FEM对一维和二维问题是有效的,但应用于n(≥3.电子原子问題至少在目前是不现实的。我们提出一种FEM与HF方法相结合的方法(HFFEM),在DPS8机上计算了类He离子的基态能量与平均值,能量计算值与实验值的误差在0.3.～0.03.之间。这种HFFEM可推广应用于各种原子与分子问题。

关键词：基态能量原子分子基态能级电子关联效应 He Hartree-Fock 径向波函数离子元计算