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相协样本下Wilcoxon两样本统计量的渐近分布

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高校应用数学学报（A辑） 2018年第2期33卷 202-210页

作者：黎玲赵亚玲沈小欣秦永松梧州职业学院机电工程系广西梧州543002 浙江师范大学数理与信息工程学院浙江金华321004 广西师范大学数学与统计学院广西桂林541004

研究了相协样本下Wilcoxon两样本统计量的渐近分布的问题.利用Hoeffding分解方法,获得了相协样本下Wilcoxon两样本统计量的渐近分布为正态分布的结果,推广了负相协样本下Wilcoxon两样本统计量的渐近分布的结果.

关键词：相协样本 Wilcoxon两样本统计量渐近分布

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虚拟手术中心脏显示真实感仿真研究

计算机仿真 2018年第5期35卷 334-339,417页

作者：杨志伟陈国栋王娜林惠茹福州大学物理与信息工程学院福建福州350116 福建师范大学福清分校福建福州350300 福建师范大学教育学院福建福州350117

研究虚拟手术系统中心脏显示真实感的问题。在以往研究中,多数研究集中于确定到达观察者眼中的反射光强度,由于只考虑到达心脏表面的入射光和表面法向而对其次表面散射影响欠缺考虑,导致显示真实感不足的问题。为解决心脏显示缺乏次表... 详细信息

研究虚拟手术系统中心脏显示真实感的问题。在以往研究中,多数研究集中于确定到达观察者眼中的反射光强度,由于只考虑到达心脏表面的入射光和表面法向而对其次表面散射影响欠缺考虑,导致显示真实感不足的问题。为解决心脏显示缺乏次表面散射的问题,提出了一种基于次表面散射算法的显示真实感仿真方法来进行研究。通过构建心脏软组织结构物理模型并进行光照分解计算,提高心脏显示的真实感。针对心脏次表面的复杂光照计算,在能量守恒的基础上提出一种改进的辐射度积分算法来进行绘制,并结合延迟着色的思想,提高仿真的实时性。实验结果表明,心脏显示真实感方法能够很好地体现出次表面散射光对心脏显示真实感的影响,对虚拟手术系统的真实感提升具有重要意义。

关键词：虚拟手术次表面散射心脏真实感实时仿真

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椭圆空气孔缺陷光子晶体光纤基模的特性分析

赣南师范大学学报 2018年第3期39卷 36-40页

作者：曾春香廖昆廖健飞赣南师范大学科技学院江西赣州341000 萍乡学院机械与电子工程学院江西萍乡3370557 赣南师范大学物理与电子信息学院江西赣州341000 赣南师范大学光电子材料与技术研究所江西赣州341000

本文设计了一种椭圆空气孔缺陷光子晶体光纤,采用全矢量有限元法结合完美匹配层吸收边界条件对该结构的模场分布、双折射、模有效面积、非线性系数及损耗特性进行了数值计算分析.研究结果表明:在波长为1 550 nm,孔间距Λ为1.3.um时,该... 详细信息

本文设计了一种椭圆空气孔缺陷光子晶体光纤,采用全矢量有限元法结合完美匹配层吸收边界条件对该结构的模场分布、双折射、模有效面积、非线性系数及损耗特性进行了数值计算分析.研究结果表明:在波长为1 550 nm,孔间距Λ为1.3.um时,该光纤可获得10^(-2)数量级的双折射;该光纤的非线性系数高达49.15 W^(-1)·km^(-1),而限制损耗只有1.3.×10^(-4)dB/km;相对于圆空气孔缺陷的光子晶体光纤的优势更加明显.

关键词：光子晶体光纤高双折射高非线性低损耗有限元法

本征缺陷对ZnO:(In,N)薄膜p型导电的影响

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中国科学：物理学、力学、天文学 2018年第4期48卷 94-101页

作者：谭蜜孔春阳李万俊秦国平张红阮海波王冬王江重庆师范大学物理与电子工程学院重庆市光电功能材料重点实验室重庆400047 重庆大学物理学院重庆400030 重庆文理学院新材料技术研究院重庆402160

采用射频磁控溅射和离子注入技术,在石英玻璃衬底上制备了In-N共掺ZnO薄膜[ZnO:(In,N)].通过优化退火工艺,成功实现了可重复的p型ZnO:(In,N)薄膜,其空穴浓度约为10^(16)cm^(-3.,并观察到薄膜随退火产生n→p→n电学转变现象.利用X射线衍... 详细信息

采用射频磁控溅射和离子注入技术,在石英玻璃衬底上制备了In-N共掺ZnO薄膜[ZnO:(In,N)].通过优化退火工艺,成功实现了可重复的p型ZnO:(In,N)薄膜,其空穴浓度约为10^(16)cm^(-3.,并观察到薄膜随退火产生n→p→n电学转变现象.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL)等测试手段,研究了掺杂杂质和本征缺陷对薄膜结构和p型导电的影响.发现相较于n型样品,p型ZnO中N相关受主缺陷浓度并不占优,但其本征施主缺陷锌间隙(Zn_i)含量较少,本征受主缺陷氧间隙(O_i)和锌空位(V_(Zn))相对较多.表明薄膜中除N相关受主缺陷(N_O,In_(Zn)-nN_O)对p型导电有贡献之外,本征缺陷(V_(Zn),O_i,Zn_i)对实现薄膜p型导电也有重要作用.因此,如何调控ZnO中本征缺陷是实现其p型转变以及获得稳定p-ZnO薄膜的重要手段.

关键词： p型ZnO 本征缺陷 X射线光电子能谱 Raman 光致发光谱

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基于西门子CT-SIM的医学图像研究

中国医学物理学杂志 2018年第3期35卷 285-291页

作者：肖文君刘伍丰张建川贵州师范大学物理与电子科学学院贵州贵阳550001 河南工业大学电气工程学院河南郑州450001 中国科学院近代物理研究所甘肃兰州730000

为解决在主动式肿瘤治疗中治疗计划系统和加速器控制系统之间的通信问题,需要研发智能终端系统建立DICOM服务器,从而能够在治疗过程中智能地实现位置-剂量联动。智能终端的医学图像数据来自西门子的CT-SIM系统,对该医学图像作了详细的... 详细信息

为解决在主动式肿瘤治疗中治疗计划系统和加速器控制系统之间的通信问题,需要研发智能终端系统建立DICOM服务器,从而能够在治疗过程中智能地实现位置-剂量联动。智能终端的医学图像数据来自西门子的CT-SIM系统,对该医学图像作了详细的研究解析工作。经过研究证实,该图像符合DICOM 3.0标准以及DICOM RT标准,为智能终端系统DICOM服务器的建立提供了理论依据。

关键词： DICOM CT-SIM 智能医学图像 DICOM RT

不同In组分对In_xGa_(1-x)As物理性质影响的研究

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功能材料 2018年第5期49卷 5145-5150页

作者：刘雪飞罗子江周勋王继红魏杰敏王一郭祥郎啟智刘万松丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州师范大学物理与电子科学学院贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025 贵州理工学院贵阳550002

对InxGa1-xAs在x从0~1变化时的晶格常数、原子弛豫情况、分波态密度进行计算,结果表明当In组分增大时,晶格常数增大规律与Vegard定理吻合。体系弛豫后,Ga—As键长变小程度会随In组分增多而变大,In—As键长变小程度基本不随In组分变化;In... 详细信息

对InxGa1-xAs在x从0~1变化时的晶格常数、原子弛豫情况、分波态密度进行计算,结果表明当In组分增大时,晶格常数增大规律与Vegard定理吻合。体系弛豫后,Ga—As键长变小程度会随In组分增多而变大,In—As键长变小程度基本不随In组分变化;In—As—In键角会变小,当In组分超过0.625时,其变小程度非常微弱;Ga—As—Ga键角和Ga—As—In键角有不同程度地变大,且Ga—As—In键角的变化幅度在In组分为0.5时最严重;体系分波态密度的计算结果表明,In掺杂会严重影响GaAs材料的物理性质。

关键词：密度泛函弛豫电子结构键角

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二维新型函数光子晶体带隙结构研究

量子电子学报 2018年第2期35卷 191-196页

作者：刘晓静张斯淇梁禺刘继平马季李宏孟祥东吴义恒陆景彬吉林师范大学物理学院吉林四平136000 吉林大学物理学院吉林长春130012 东北师范大学物理学院吉林长春130012 安庆师范学院物理与电气工程学院安徽安庆246133

用平面波展开法研究了二维函数光子晶体的带隙结构,其介质柱折射率为空间坐标函数。对TE和TM波带隙结构进行了数值分析,并与二维常规光子晶体(即介质柱折射率为常数)带隙结构进行了比较。研究了介质柱半径r_a、函数系数k和参数b对二维... 详细信息

用平面波展开法研究了二维函数光子晶体的带隙结构,其介质柱折射率为空间坐标函数。对TE和TM波带隙结构进行了数值分析,并与二维常规光子晶体(即介质柱折射率为常数)带隙结构进行了比较。研究了介质柱半径r_a、函数系数k和参数b对二维函数光子晶体带隙结构的影响,结果表明通过改变r_a、k、b的取值,可实现对二维函数光子晶体带隙的调节;二维函数光子晶体存在绝对带隙及半Dirac点.这些结论为光子器件设计提供了新的理论依据.

关键词：量子光学二维函数光子晶体带隙结构绝对带隙半Dirac点

Search for the weak decayψ(3.86)→■+c.c.

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Chinese physics C 2023年第1期47卷 19-27页

作者：麦迪娜 M.N.Achasov P.Adlarson M.Albrecht R.Aliberti A.Amoroso 安美儒安琪白旭红白羽 O.Bakina R.Baldini Ferroli I.Balossino 班勇 V.Batozskaya D.Becker K.Begzsuren N.Berger M.Bertani D.Bettoni F.Bianchi J.Bloms A.Bortone I.Boyko R.A.Briere A.Brueggemann 蔡浩蔡啸 A.Calcaterra 曹国富曹宁 S.A.Cetin 常劲帆常万玲 G.Chelkov 陈琛陈超陈刚陈和生陈玛丽陈申见陈少敏 T.Chen 陈旭荣 X.T.Chen 陈元柏陈卓俊成伟帅初晓 G.Cibinetto F.Cossio 崔佳佳代洪亮代建平 A.Dbeyssi R.E.de Boer D.Dedovich 邓子艳 A.Denig I.Denysenko M.Destefanis F.De Mori 丁勇董静董燎原董明义董翔杜书先 P.Egorov 范玉兰方建房双世方文兴方易 R.Farinelli L.Fava F.Feldbauer G.Felici 封常青冯俊华 K Fischer M.Fritsch C.Fritzsch 傅成栋高涵高原宁高扬 S.Garbolino I.Garzia 葛潘婷葛振武耿聪 E.M.Gersabeck A Gilman K.Goetzen 龚丽龚文煊 W.Gradl M.Greco 谷立民顾旻皓顾运厅关春懿郭爱强郭立波郭如盼郭玉萍 A.Guskov 韩婷婷韩文颖郝喜庆 F.A.Harris 何凯凯何康林 F.H.Heinsius C.H.Heinz 衡月昆 C.Herold M.Himmelreich 侯国一侯颖锐侯治龙胡海明 J.F.Hu 胡涛胡誉黄光顺黄凯旋黄麟钦黄麟钦黄性涛黄燕萍黄震 T.Hussain N Hüsken W.Imoehl M.Irshad J.Jackson S.Jaeger S.Janchiv 纪全姬清平季晓斌季筱璐吉钰瑶贾泽坤姜侯兵姜赛赛江晓山 Y.Jiang 焦健斌焦铮金山金毅荆茂强 T.Johansson N.Kalantar-Nayestanaki 康晓珅 R.Kappert 柯百谦 I.K.Keshk A.Khoukaz P.Kiese R.Kiuchi R.Kliemt L.Koch O.B.Kolcu B.Kopf M.Kuemmel M.Kuessner A.Kupsc W.Kühn J.J.Lane J.S.Lange P.Larin A.Lavania L.Lavezzi 雷祚弘 H.Leithoff M.Lellmann T.Lenz 李翠李聪李春花李澄李德民李飞李刚李慧李贺李海波李惠静 H.N.Li J.Q.Li 李静舒李井文李科 L.J.Li 李龙科李蕾李明浩李培荣李素娴栗帅迎李腾李卫东李卫国李旭红李晓玲李晓宇梁昊梁浩梁浩梁勇飞梁羽铁廖广睿廖龙洲 J.Libby A.Limphirat 林创新林德旭 T.Lin 刘北江刘春秀 D.Liu 刘福虎刘芳刘峰 G.M.Liu H.Liu 刘宏邦刘怀民刘欢欢刘汇慧刘建北刘佳俊刘晶译刘凯刘魁勇刘珂刘亮刘露刘美宏刘佩莲刘倩刘树彬刘桐刘维克刘卫民刘翔刘英刘玉斌刘振安刘智青娄辛丑卢飞翔吕海江吕军光陆小玲卢宇卢云鹏 Z.H.Lu 罗成林罗民兴罗涛罗小兰吕晓睿吕翌丰马凤才马海龙马连良马明明马秋梅马润秋马瑞廷马骁妍马尧 F.E.Maas M.Maggiora S.Maldaner S.Malde Q.A.Malik A.Mangoni 冒亚军毛泽普 S.Marcello 孟召霞 J.G.Messchendorp G.Mezzadri H.Miao 闵天觉 R.E.Mitchell 莫晓虎 N.Yu.Muchnoi Y.Nefedov F.Nerling I.B.Nikolaev 宁哲 S.Nisar 牛艳 S.L.Olsen 欧阳群 S.Pacetti 潘祥潘越 A.Pathak M.Pelizaeus 彭海平 K.Peters 平加伦平荣刚 S.Plura S.Pogodin V.Prasad 齐法制齐航漆红荣祁鸣齐天钰钱森钱文斌钱圳乔从丰秦佳佳秦丽清覃潇平秦小帅秦中华邱进发屈三强 K.H.Rashid C.F.Redmer 任旷洁 A.Rivetti V.Rodin M.Rolo 荣刚 Ch.Rosn Institute of High Energy physics Beijing 100049China Beihang university Beijing 100191China Beijing Institute of Petrochemical Technology Beijing 102617China Bochum Ruhr-university D-44780 BochumGermany Carnegie Mellon university PittsburghPennsylvania 15213USA Central china normal university Wuhan 430079China Central South university Changsha 410083China china Center of Advanced Science and Technology Beijing 100190China COMSATS university Islamabad Lahore CampusDefence RoadOff Raiwind Road54000 LahorePakistan Fudan university Shanghai 200433China G.I.Budker Institute of Nuclear physics SB RAS(BINP) Novosibirsk 630090Russia GSI Helmholtzcentre for Heavy Ion Research GmbH D-64291 DarmstadtGermany Guangxi normal university Guilin 541004China Guangxi university Nanning 530004China Hangzhou normal university Hangzhou 310036China Hebei university Baoding 071002China Helmholtz Institute Mainz Staudinger Weg 18D-55099 MainzGermany Henan normal university Xinxiang 453007China Henan university of Science and Technology Luoyang 471003China Henan university of Technology Zhengzhou 450001China Huangshan college Huangshan 245000China Hunan normal university Changsha 410081China Hunan university Changsha 410082China Indian Institute of Technology Madras Chennai 600036India Indiana university BloomingtonIndiana 47405USA AINFN Laboratori Nazionali di Frascati I-00044FrascatiItaly INFN Sezione di Perugia I-06100PerugiaItaly university of Perugia I-06100PerugiaItaly INFN Sezione di Ferrara I-44122FerraraItaly university of Ferrara I-44122FerraraItaly Institute of Modern physics Lanzhou 730000China Institute of physics and Technology Peace Avenue 54BUlaanbaatar 13330Mongolia Jilin university Changchun 130012China Johannes Gutenberg university of Mainz Johann-Joachim-Becher-Weg 45D-55099 MainzGermany Joint Institute for Nuclear Research 141980 DubnaMoscow regionRussia Justus-Liebig-Universitaet Giessen II.Physikalisches InstitutHeinrich-Buff-Ring 16D-35392 GiessenGermany Lanzhou U

Using(448.1±2.9)×10^(6)ψ(3.86)for the weak baryonic decayψ(3.86)→Λc+∑-+c.c..The analysis procedure is optimized using a blinded *** significant signal is observed,and the upper limit on the branching fraction(B... 详细信息

关键词： weak decay upper limit BESIII detector