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等离子体模型碰撞项的比较

物理学报 1986年第7期 947-952页

作者：张承福北京大学物理系

本文在两种碰撞模型(BGK模型和LB模型)下,计算了碰撞对等离子体色散方程的影响。碰撞的主要作用是使色散函数Z()变为广义色散函数W(υ)。分析比较了两种模型下广义色散函数的性质。讨论了碰撞对低频漂移波(局域模)和离声波稳定性的影响... 详细信息

本文在两种碰撞模型(BGK模型和LB模型)下,计算了碰撞对等离子体色散方程的影响。碰撞的主要作用是使色散函数Z()变为广义色散函数W(υ)。分析比较了两种模型下广义色散函数的性质。讨论了碰撞对低频漂移波(局域模)和离声波稳定性的影响。分析表明,LB模型不仅在物理上更为合理,而且在计算及表达形式上也比BGK模型更为简明。

关键词：碰撞模型广义局域模点阵模漂移波函数碰撞项等离子体

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CGH检测抛物面镜及其分析

光电子.激光 1988年第3期 146-149页

作者：王凡麦詠贤华南理工大学物理系

本文讨论了抛物面镜的CGH检测,提出了用矢向差进行面形差计算的观点,分别得到了准确的面形差公式及波差在CGH面上的分布公式,分折了干涉条纹的形成,对一抛物面镜进行了检测。提出了一种新的较为理想的条纹判读法——最佳拟合法,此方法... 详细信息

本文讨论了抛物面镜的CGH检测,提出了用矢向差进行面形差计算的观点,分别得到了准确的面形差公式及波差在CGH面上的分布公式,分折了干涉条纹的形成,对一抛物面镜进行了检测。提出了一种新的较为理想的条纹判读法——最佳拟合法,此方法以干涉图所有的有效条纹的最佳拟合为基准。利用此法对所得的检测干涉图进行判读,结果表明此方法优于美国暂行标准。

关键词： CGH 抛物面镜非球面镜波差面形最佳拟合

GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜

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物理学报 2000年第6期49卷 1132-1135页

作者：刘洪飞陈弘李志强万里黄绮周均铭罗毅韩英军中国科学院物理研究所北京100080 清华大学电子工程系北京100084

采用分子束外延方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长出了 0 3微米厚的GaN薄膜 ,X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明 ,采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜 .

关键词：砷化镓分子束外延生长氮化镓薄膜

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SiO2.辐照热释光的研究

红外研究(A辑) 1987年第1期 67-72页

作者：童少颖侯兰田韩玉华上海交通大学物理系吉林大学物理系

通过测量高纯光纤用非晶SiO2.高纯精制石英晶矿经α射线辐照后产生的2.6eV热释发光（50～450℃）,讨论了α射线在SiO2.产生缺陷的机制、E′心基态电子陷阱的分布及辐射热释光的紫外猝灭。确定了高纯晶体石英颗粒的热释发光具有三个本... 详细信息

通过测量高纯光纤用非晶SiO2.高纯精制石英晶矿经α射线辐照后产生的2.6eV热释发光（50～450℃）,讨论了α射线在SiO2.产生缺陷的机制、E′心基态电子陷阱的分布及辐射热释光的紫外猝灭。确定了高纯晶体石英颗粒的热释发光具有三个本征峰。

关键词：自由激子晶粒高纯石英颗粒发光热释光 SiO2 热释发光捕获电子弛豫辐照发光机制能级 α辐射玻色子 α射线

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磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅱ)

物理学报 1984年第12期 1640-1649页

作者：柳树政北京大学物理系中央广播电视大学

本文讨论了在磁场中,窄禁带半导体在双光子吸收线附近的三阶非线性,并计算了在带边的几个非线性Faraday旋转峰和Voigt相移峰的位置和相对强度。

关键词：光学性质物理性能带间跃迁高阶能带结构电子能态双光子吸收磁场电磁场窄禁带半导体三阶极化率

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双层结构型微波吸收材料的计算机辅助设计

南京大学学报（自然科学版） 1989年第2期25卷 261-266页

作者：王相元陆怀先胡国有钱鉴王伟南京大学信息物理系南京大学物理系南京大学化学系

本文给出了双层结构型微波吸收材料的计算机辅助设计的方法和例子。不改变涂层的总厚度,其微波吸收性能一般均较单层涂料型的为好。例如,中心频率为10GH_z,厚度为2.m,反射系数阀值为-2.db 时,双层结构型的工作带宽为4.5GH_z,在同样条件... 详细信息

本文给出了双层结构型微波吸收材料的计算机辅助设计的方法和例子。不改变涂层的总厚度,其微波吸收性能一般均较单层涂料型的为好。例如,中心频率为10GH_z,厚度为2.m,反射系数阀值为-2.db 时,双层结构型的工作带宽为4.5GH_z,在同样条件下,单层涂料型的为3.3GH_z。厚度为3.97mm,在7—13GH_z 频率范围内,双层结构型微波吸收材料的最小反射系数阀值为-31db,而单层涂料型为-18db.

关键词：微波吸收材料双层结构型 CAD

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两类典型辐射的解法

韶关大学学报 1995年第4期16卷 49-53页

作者：刘勇韶关大学物理系

本文由李纳－维谢尔势出发，对轫致辐射与同步辐射的典型例题进行求解。

关键词：辐射赫兹振子小环天线轫致辐射同步辐射

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非晶态磁性合金的磁阻和磁击穿现象

物理学报 1987年第10期 1281-1288页

作者：陈慧余宫小玉中国科学技术大学物理系中国科学技术大学物理系

在室温下磁场在0—15kOe范围内测量了非晶态磁性合金(Fe1-xCox)87Cu0.4Si4.4B13.2.横向磁阻△ρ/ρ。发现在高磁场下,磁阻与磁场强度有三种函数关系:（1）磁阻趋于饱和;（2.磁阻随磁场平方正比地增加;（3）对x=0.15的合金,在特殊的电... 详细信息

在室温下磁场在0—15kOe范围内测量了非晶态磁性合金(Fe1-xCox)87Cu0.4Si4.4B13.2.横向磁阻△ρ/ρ。发现在高磁场下,磁阻与磁场强度有三种函数关系:（1）磁阻趋于饱和;（2.磁阻随磁场平方正比地增加;（3）对x=0.15的合金,在特殊的电流、磁场方向和确定的磁场强度下,有磁阻尖峰出现。情况（3）是一种磁击穿现象。磁击穿发生在自旋向上和向下的两片Fermi面之间。这间隙是自旋-轨道隙,其大小是磁化方向的敏感函数。因而磁阻峰的高度和宽度以及对应的磁场强度都是磁场方向的函数。

关键词：磁阻非晶态磁性合金击穿现象磁场方向磁化方向 Fermi 高磁场轨道耦合函数关系自发磁化

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硅锗异质结构中的声子模式

文山学院学报 2011年第3期24卷 49-51页

作者：陈水妹李建华邱学云龙岩学院物理与机电工程学院福建龙岩364000 文山学院数理系云南文山663000

通过求解硅锗量子阱系统中声子的纵波波动方程,得到了声子频率与波矢之间的关系。并对其进行数值计算,结果显示:波矢为零时,不存在声子;在波矢值大于6×105 cm-1时,开始出现一系列声子振动模式;随着波矢的增加,可得到多个量子态不同的... 详细信息

通过求解硅锗量子阱系统中声子的纵波波动方程,得到了声子频率与波矢之间的关系。并对其进行数值计算,结果显示:波矢为零时,不存在声子;在波矢值大于6×105 cm-1时,开始出现一系列声子振动模式;随着波矢的增加,可得到多个量子态不同的声子模,且声子频率随着波矢的增大而增大。

关键词：硅锗量子阱纵波波动方程声子模式