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检索条件"作者=2 Electronic materials Research {3., key {3. of ministry of education, Xi’an Jiaotong university, Xi’an 710049, china"
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静水压下锆锡钛酸铅铁电陶瓷相变和介电性能研究
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物理学报 2011年 第10期60卷 662-667页
作者: 蒋冬冬 谷岩 冯玉军 杜金梅 中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理实验室 绵阳621900 西安交通大学电子材料与器件研究所 西安710049
研究了铌掺杂锆锡钛酸铅铁电陶瓷Pb0.99Nb0.02[(Zr0.90Sn0.10)0.96Ti0.04]0.98O3.PZST90/10-4-2Nb)在静水压(0—3.0MPa)下的电荷释放量和介电性能.对压力诱导的低温铁电三方(FR(LT))→反铁电正交(AO)相变进行了研究.PZST90/10-4-2Nb铁... 详细信息
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稀土氧化钕对铝酸盐长余辉发光材料性能的影响
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中国稀土学报 2001年 第6期19卷 599-601页
作者: 何大伟 崔兴龙 北方交通大学光电子技术研究所 信息存储显示与材料开放实验室北京100044
制备了SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Nd3. 和SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Dy3. ,Nd3. 长余辉材料 ,研究了所合成的材料在不同波段紫外光激发条件下的发光光谱和激发光谱的差异和Eu2 + ,Dy3. ,Nd3. 的摩尔掺杂浓度对材料的余辉性能的影响等。
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Progress on two-dimensional ferrovalley materials
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Chinese Physics B 2024年 第1期33卷 32-43页
作者: 李平 刘邦 陈帅 张蔚曦 郭志新 State key Laboratory for Mechanical Behavior of materials Center for Spintronics and Quantum SystemSchool of Materials Science and EngineeringXi'an Jiaotong UniversityXi'an 710049China State key Laboratory for Surface Physics and Department of Physics Fudan UniversityShanghai 200433China Jinan Aviation Repair Factory Jinan 250000China Department of Physics and electronic Engineering Tongren UniversityTongren 554300China
The electron's charge and spin degrees of freedom are at the core of modern electronic devices. With the in-depth investigation of two-dimensional materials, another degree of freedom, valley, has also attracted treme... 详细信息
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Effects of the 3. transition metal doping on the structural, electronic, and magnetic properties of BeO nanotubes
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Chinese Physics B 2014年 第1期23卷 357-362页
作者: 张建民 宋婉婷 李欢欢 徐可为 JiVincent College of Physics and Information Technology Shaanxi Normal University Xi 'an 710062 China State key Laboratory for Mechanical Behavior of materials Xi'an Jiaotong University Xi' an 710049 China ICMMO/LEMHE Universitd Paris-Sud 1191405 Orsay Cedex France
First-principles calculations have been performed on the structural, electronic, and magnetic properties of seven 3. transition-metal (TM) impurities (V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, and Cu) doped armchair (5,5) and zigz... 详细信息
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The factor contribution to the Chinese industry growth:1952-2007
The factor contribution to the Chinese industry growth:1952-...
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2011 International Conference on Business Management and electronic Information(BMEI 2011)
作者: Zeng xian-feng School of business xi’an International Studies university xi’an china Li Guo-ping School of Economics & Finance xi’an jiaotong university xi’an china
Using the parameter estimation method and latent variable approach,this paper investigates china’s industrial output elasticity and TFP growth,and estimate the contribution of various factors to output growth from 19... 详细信息
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复相弛豫铁电陶瓷的相组成与介电性能
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无机材料学报 1997年 第5期12卷 710-714页
作者: 岳振星 王晓莉 张良莹 姚熹 西安交通大学电子材料研究室
采用两相混合烧结法在Pb(Zn1/3.b23.O3.BaTiO3.PbTiO3.统中制备了弛豫铁电陶瓷材料.相组成研究表明,该陶瓷具有两相共存的复相结构.对复相陶瓷的介电性能进行了研究,结果表明,复相结构可有效地改善弛豫铁电陶瓷的介温特性... 详细信息
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EFFECT OF A VISCOUS LIQUID LAYER ON THE TRANSVERSE SURFACE WAVES IN TRANSVERSELY PIEZOELECTRIC materials WITH UNATTACHED ELECTRODE
EFFECT OF A VISCOUS LIQUID LAYER ON THE TRANSVERSE SURFACE W...
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2010全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者: Feng JIN~1,Peng LI~1,Zheng-hua QIAN~2 1 MOE key Laboratory for Strength and Vibration,School of Aerospace,xi'an jiaotong university xi'an,Shaanxi {3.,P.R.china 2 Department of Mechanical and Environmental Informatics,Tokyo Institute of Technology Tokyo 152-8550,Japan
The propagation of the transverse surface waves in an unbounded piezoelectric half-space with a viscous liquid layer between the half-space surface and an unattached electrode is *** exact dispersion relation is obtai... 详细信息
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Sol-Gel synthesis of luminescent InP nanocrystals embedded in silica glasses
Sol-Gel synthesis of luminescent InP nanocrystals embedded i...
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2004全国太阳能光化学与光催化学术会议
作者: HeqingYang, Darning Huang xi Yao, xingjun Wang, Songhai xie, Yu Fang, Shouxin Liu, xiaoxiao Gu, and Fujian Wang (School of Chemistry & Material Science, Shaanxi Normal university, xian 710062, china Surface Physics Laboratory, Fudan university, Shanghai 20043., china electronic materials research Laboratory, xian jiaotong university, xian 710049, china Department of Chemistry, Fudan university, Shanghai 20043., china
<正> Ⅲ-Vsemiconductor nanocrystals rarely exist as spherical inclusions inside glasses,due to difficultiesduring their preparation。such aS high toxic reagents or fast oxidation under usual glass *** this report a ...
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锆钛酸铅铁电薄膜的制备及在红外探测器中的应用
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太原理工大学学报 2004年 第4期35卷 388-391页
作者: 李建康 姚熹 西安交通大学电子材料研究所
研究了敏感元材料锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜的制备、结构和性能,并采用半导体光刻工艺和化学腐蚀的方法成功地对PZT铁电薄膜进行了刻蚀,同时采用剥离技术对相应的电极实现了图形化。该研究为铁电薄膜在热释电红外探测器中的应用奠定了基础。
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Abnormal dielectric characteristics of PMN- 3.% PT single crystal under dc bias
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Chinese Science Bulletin 2003年 第19期48卷 2038-2040页
作者: xi Zengzhe LI Zhenrong XU Zhuo ZHANG Liangying YAO xi Functional materials research Laboratory Tongji University Shanghai 200092. China key Laboratory of the ministry of education Xi'an Jiaotong University Xi'an 710049 China
The dielectric properties and phase transition behavior of the [001] and [111] oriented PMN-3.%PT single crystal under the different dc bias (E) have been investigated as a function of temperatures. Under the applicat... 详细信息
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