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用分子束外延法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe制备的长波和中波红外光电二极管(下)

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红外与激光技术 1990年第1期19卷 45-50页

作者：龚琰民

四、在MBE HgCdTe中砷扩散的p^+-n同质结通过在HgCdTe外延层中扩散砷形成p^+-n同质结。砷在HgCdTe中是p型浅受主。在预要求的平衡条律下,在不生长任何附加外延层的情况下,进行砷扩散。通过将MBE HgCdTe外延层置于含有溶解砷的Hg溶液中... 详细信息

四、在MBE HgCdTe中砷扩散的p^+-n同质结通过在HgCdTe外延层中扩散砷形成p^+-n同质结。砷在HgCdTe中是p型浅受主。在预要求的平衡条律下,在不生长任何附加外延层的情况下,进行砷扩散。通过将MBE HgCdTe外延层置于含有溶解砷的Hg溶液中来形成p^+-n结;

关键词：红外光电二极管 HgCdTe 外延法

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生长高均匀性碲镉汞的一种有机金属气相外延新方法

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红外与激光技术 1985年第2期 43-48页

作者：龚琰民

本文介绍生长碲镉汞(CMT)的一种新方法,它是通过有机金属气相外延(MOVPE)交替地生长出CdTe和HgTe薄层,并使之在生长温度下相互扩散而得到CMT。利用这种方法生长的外延层,纵向和横向都有良好的均匀性,并有反射的表面光洁度。对上好外延... 详细信息

本文介绍生长碲镉汞(CMT)的一种新方法,它是通过有机金属气相外延(MOVPE)交替地生长出CdTe和HgTe薄层,并使之在生长温度下相互扩散而得到CMT。利用这种方法生长的外延层,纵向和横向都有良好的均匀性,并有反射的表面光洁度。对上好外延层作初步电学测量表明:其电学性质是受汞空位支配,而不是受杂质支配。

关键词：外延层气相外延 CdTe MOVPE 有机金属 CMT 碲镉汞固溶体气流速度均匀性衬底温度组份

用普通滑移舟LPE生长Hg1-xCdxTe和退火对外延层性能的影响

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红外与激光工程 1984年第3期 36-41页

作者：龚琰民

在开管H气流系统中,利用普通滑移舟,在（111）A CdTe衬底上;液相外延生长出HgCdTe（0.17≤x≤0.3）外延层。用这种方法生长的x=0.2的外延层,空穴浓度在10—10厘米范围,霍耳迁移率在100—500厘米/伏秒范围。外延层的表面似镜面一般,电子... 详细信息

在开管H气流系统中,利用普通滑移舟,在（111）A CdTe衬底上;液相外延生长出HgCdTe（0.17≤x≤0.3）外延层。用这种方法生长的x=0.2的外延层,空穴浓度在10—10厘米范围,霍耳迁移率在100—500厘米/伏秒范围。外延层的表面似镜面一般,电子显微探针分析（EMPA）得到的外延层的数据表明:在外延层和衬底之间的界面处,有陡变的成份转变。也研究了在250—400℃温度范围内的Hg过压条件下,退火对生成层性能的影响。观测在400℃退火后界面附近组份的变化。与此相反,在250—300℃温度范围内退火,得到了性能良好的n型层,未出现明显的组份变化。同时论证了可以在（111）A CdTe衬底上连续生长Hg,CdTe/HgCdTe的双异质结构。

关键词：外延层衬底基片 x)Cd_xTe Hg LPE 滑移

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混合式红外焦平面阵列

红外与激光技术 1982年第4期 59-73页

作者：龚琰民

本文介绍研制混合式红外焦平面阵列方面的新成果,注意力集中在利用与电荷耦合器件(CCD)多路传输器源耦合的背照射InAsSb和HgCdTe光伏探测器的混合式焦平面阵列。用实验论证了输入电路,电荷撇取和电荷分配的背景抑制能力。介绍了有关均... 详细信息

本文介绍研制混合式红外焦平面阵列方面的新成果,注意力集中在利用与电荷耦合器件(CCD)多路传输器源耦合的背照射InAsSb和HgCdTe光伏探测器的混合式焦平面阵列。用实验论证了输入电路,电荷撇取和电荷分配的背景抑制能力。介绍了有关均匀性方面的数据以及MOS场效应晶体管(MOSFET)输入的阈电压与温度的关系,此关系与理论上的计算值很一致。本文还讨论了与混合式红外焦平面阵列有关的几种噪声问题。对有反馈放大器的源耦合输入电路的噪声进行了分析,结果表明:虽然增加了两个新的噪声源,但是此电路工作的噪声能比单一源耦合输入电路的噪声更小。为了进一步了解焦平面的工作,已经制作了一个与实验数据极一致的噪声性能模型。最后,讨论了混合式焦平面阵列的性能。

关键词：焦平面阵列混合式噪声源 CCD 象元固定图形噪声光伏探测器 MOSFET 等效温差响应率输入电路反馈放大器噪声电流多路传输器

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国外红外多元探测器的水平与动向