检索结果-南通市图书馆

Journal of Semiconductors 1993年第11期14卷 659-663页

作者：龚大卫孙恒慧复旦大学李政道物理学综合实验室上海200433

本文用加栅的光电流瞬态谱(PICTS)方法研究了半绝缘砷化镓材料中的深能级缺陷,发现加栅后可使PICTS对EL2等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏,并分析了其中原因,认为材料中费米能级位置对PICTS结果有影响。

关键词：砷化镓光电流瞬态谱

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BARC工艺在亚微米光刻中的应用

固体电子学研究与进展 2005年第4期25卷 545-548,558页

作者：顾志光孙钧郑国祥龚大卫复旦大学材料科学系上海200433 上海先进半导体制造有限公司上海200030

在表面强反射膜-多晶硅上进行亚微米光刻时,采用有机BARC(BottomAnti-ReflectiveCoating)工艺,降低了晶片表面的台阶高度,并有效地抑制了驻波效应,获得良好的光刻图形,从而使产品良率提高了6%～7%。

关键词：驻波效应抗反射膜亚微米深亚微米光刻

PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质

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Journal of Semiconductors 1992年第1期13卷 1-7页

作者：龚大卫陆昉孙恒慧复旦大学物理系上海200433

本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生... 详细信息

本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生富砷样品的PICTS谱中存在负峰N,实验发现它的存在与样品表面状况无关.若考虑该缺陷同时与两种载流子作用,理论计算与实验符合较好.在有些样品中用PICTS方法观察到EL2峰,对于原生样品,发现经快速退火后EL2的体内浓度减小.

关键词： SI-GaAs 深能级缺陷 PICTS法测量

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计算机控制的高分辨率光生电流瞬态谱

复旦学报（自然科学版） 1992年第2期31卷 175-183页

作者：陆昉袁健龚大卫孙恒慧复旦大学物理学系

计算机模拟表明,对于常规的光生电流瞬态谱,如果样品中两个深能级缺陷的信号因位置接近而互相迭加,则在确定这些缺陷的参数时会由于率窗的选取不当而引进很大的误差.为此本文提出了用计算机进行数据采集及处理的高分辨率光生电流瞬态谱H... 详细信息

计算机模拟表明,对于常规的光生电流瞬态谱,如果样品中两个深能级缺陷的信号因位置接近而互相迭加,则在确定这些缺陷的参数时会由于率窗的选取不当而引进很大的误差.为此本文提出了用计算机进行数据采集及处理的高分辨率光生电流瞬态谱HR-PICTS(High Resolution Photo-Incluced Current Transient Spectroscopy).它能分辨出原已不能分辨的信号峰,并使得到的深能级缺陷参数更为准确.此法设备简单、操作方便,只需一次温度扫描就可获得深能级缺陷的各种参数.对半绝缘GaAs的实验结果表明,HR-PICTS为研究半绝缘材料中的深能级缺陷提供了更有力的工具.

关键词：计算机控制深能级 PICTS 半导体

p型Ge_xSi_(1-x)/Si多量子阱的红外吸收及其分析

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物理学报 1997年第4期46卷 740-746页

作者：俞敏峰杨宇沈文忠朱海军龚大卫盛篪王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室复旦大学表面物理国家重点实验室

通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收．测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响... 详细信息

通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收．测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响应峰．理论计算中计及了轻、重和自旋分裂带间的耦合及能带的非抛物性，并自洽考虑了哈特里势和交换相关势．与实验结果比较，认为带之间的耦合，使子带间的跃迁情况变得复杂。

关键词：多量子阱 GeSi 红外吸收

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大跨越单导线装有消振装置时的振动特性

电力建设 1990年第3期11卷 1-13页

作者： M. Falco 梁民杰龚大卫

本文报导了评定旋涡脱出引起的振幅值及其一系列测量的结果,这些测量是在导线上装有不同类型阻尼装置时进行的。此外,本文还提出对单导线装有一个或数个stockbridge型防振锤的振动性能的计算方法,并分析对比了计算结果与实验结果。

关键词：导线消振装置振动特性电力线路

导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质

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物理学报 1998年第7期47卷 1171-1179页

作者：林峰盛篪柯炼朱建红龚大卫张胜坤俞敏峰樊永良王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离．对于ＳｉＧｅ合金和Ｓｉ形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基... 详细信息

用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离．对于ＳｉＧｅ合金和Ｓｉ形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响．发现样品的退火温度为８００℃时，随退火时间延长，激发能增加．对此现象的解释是，由于Ｓｉ，Ｇｅ互扩散，导致界面展宽，量子限制效应降低，重空穴基态位置下降，从而激发能增加．９００℃下退火，由于扩散系数增大和应变弛豫加强，激发能值单调下降，量子限制效应引起的变化被掩盖．对于Ｂ高浓度超薄层掺杂形成的量子阱结构样品，观察到在掺杂层掺杂浓度不变情况下，掺杂厚度的增加会导致量子阱中基态子能级位置下降，从而导致载流子激发能增加．

关键词：硅基量子阱子能级导纳谱基态