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金属掺杂TiO₂界面层对非晶硅电池效率的影响研究

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材料科学 2016年第3期6卷 142-148页

作者：姚赚赚高云夏晓红鲍钰文黄忠兵湖北大学物理与电子技术学院湖北武汉湖北大学材料科学与工程学院湖北武汉

通过在PIN结构非晶硅(a-Si)电池的透明导电电极(TCO)和P-型非晶Si层间插入一层Nb掺杂的TiO2层,用于改善界面性质并提高电池转化效率。系统研究了不同厚度的Nb掺杂TiO2层薄膜的透光性以及在有光照和无光照时的I-V特性。此外,也比较了具... 详细信息

通过在PIN结构非晶硅(a-Si)电池的透明导电电极(TCO)和P-型非晶Si层间插入一层Nb掺杂的TiO2层,用于改善界面性质并提高电池转化效率。系统研究了不同厚度的Nb掺杂TiO2层薄膜的透光性以及在有光照和无光照时的I-V特性。此外,也比较了具有相同厚度的Nb-TiO2,Zn-TiO2以及纯的TiO2薄膜的光电响应。研究结果表明,厚度为6 nm的Nb-TiO2纳米薄膜具有最佳的光电响应。具有不同厚度Nb-TiO2插入层的非晶硅薄膜电池的性能测试表明,插入6 nm厚Nb-TiO2纳米薄膜的电池有效减小了寄生串联电阻,改善了填充因子,相比无插入层电池光电转化效率提高了8%。

关键词： Nb-TiO2 非晶硅太阳能电池界面效应

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Zn掺杂TiO₂的光催化性能研究

纳米技术 2014年第1期4卷 12-15页

作者：余大凤刘浩鲍钰文高云夏晓红湖北大学物理与电子科学学院武汉湖北大学材料科学与工程学院武汉

以钛酸四丁酯为钛源,醋酸锌为锌源用溶胶凝胶法制备了不同比例Zn掺杂TiO2纳米颗粒,掺杂比例为0 at%~10 at%。用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、能谱分析(EDS)、紫外可见光谱(UV-Vis)等研究手段对所制备的Zn掺杂TiO2纳米颗粒进行分析,... 详细信息

以钛酸四丁酯为钛源,醋酸锌为锌源用溶胶凝胶法制备了不同比例Zn掺杂TiO2纳米颗粒,掺杂比例为0 at%~10 at%。用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、能谱分析(EDS)、紫外可见光谱(UV-Vis)等研究手段对所制备的Zn掺杂TiO2纳米颗粒进行分析,并对样品的光催化活性进行了研究。结果显示400℃退火的样品均为锐钛矿相TiO2,没有ZnO的衍射峰出现,EDS分析结果显示Zn离子存在于TiO2中,说明Zn离子成功掺杂进入TiO2晶格。通过TEM图像和谢乐公式计算可知,Zn掺杂TiO2的平均晶粒尺寸为6~7 nm,掺杂比例为1%的样品光催化降解亚甲基蓝染料效果最好。

关键词： Zn掺杂TiO2 溶胶凝胶法光催性能

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LiF修饰TiO₂改善可见光催化性能研究

纳米技术 2014年第1期4卷 8-11页

作者：刘浩余大凤鲍钰文高云夏晓红湖北大学物理与电子科学学院武汉湖北大学材料科学与工程学院武汉

LiF中Li离子具有较高活性,F离子具有较大电负性,可用来修饰TiO2光催化剂以提高其在可见光下的光催化性能。TiO2粉末与LiF溶液水热反应得到样品,用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子谱(XPS)等分析手段进行表征,发现所制... 详细信息

LiF中Li离子具有较高活性,F离子具有较大电负性,可用来修饰TiO2光催化剂以提高其在可见光下的光催化性能。TiO2粉末与LiF溶液水热反应得到样品,用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子谱(XPS)等分析手段进行表征,发现所制备样品为锐钛矿TiO2晶体,未检测到LiF晶体的存在,表明LiF是以离子形式存在。修饰后的样品具有可见光光催化活性,在可见光照射下可有效降解亚甲基蓝染料,当LiF与TiO2的摩尔比为1:1的时候,样品的光催化活性最好,250分钟降解率能够达到百分之八十。XPS进一步分析发现,修饰后样品中存在的表面吸附羟基和F离子是提高TiO2可见光催化效率的根本原因。

关键词： LiF TiO2 光催化水热法

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高性能晶体振荡器及频率校准电路设计

现代电子技术 2014年第9期37卷 148-153页

作者：鲍钰文徐瑶张金辉高云湖北大学湖北武汉430062

设计了一种高性能Pierce晶体振荡器及频率校准电路。采用耗尽型NMOS管实现低功耗的1.5 V基准电压,晶体振荡电路采用基准电压供电,降低了振荡器的功耗同时提高输出频率的精度。为了进一步提高输出频率的精度,芯片内部集成熔丝修调电路,... 详细信息

设计了一种高性能Pierce晶体振荡器及频率校准电路。采用耗尽型NMOS管实现低功耗的1.5 V基准电压,晶体振荡电路采用基准电压供电,降低了振荡器的功耗同时提高输出频率的精度。为了进一步提高输出频率的精度,芯片内部集成熔丝修调电路,通过校正晶振负载电容,实现芯片封装后振荡电路输出频率的校准,校准范围为(-52.216 ppm,54.962 ppm),校准最大步长为3.723 ppm。增加数字方式校准电路,在具有温度检测功能的系统中,可以扩展实现计时的温度补偿功能,提高芯片的计时精度,校准范围为(-189.100 ppm,189.100 ppm),校准步长为3.050 ppm。电路在0.5μm-5 V CMOS工艺上实现。整个时钟芯片版图面积为0.842 mm×0.996 mm。

关键词：晶体振荡器耗尽型NMOS管基准电压供电内置晶振高精度频率校准

非机类工程制图课程“零适应期”教学改革研究

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教育教学论坛 2018年第38期 133-134页

作者：郑克玉张蕾鲍钰文朱艳超吴静湖北大学材料科学与工程学院湖北武汉430062 湖北大学物理与电子科学学院湖北武汉430062

针对综合性大学非机类专业的工程制图课程教学,从教学内容、教学方法以及实践教学等方面进行深化改革和探讨,达到使本课程教学改革成果与社会对毕业生在该课程领域内的技能要求相适应,让学生上岗就能直接胜任本领域的工作,做到学校教育... 详细信息

针对综合性大学非机类专业的工程制图课程教学,从教学内容、教学方法以及实践教学等方面进行深化改革和探讨,达到使本课程教学改革成果与社会对毕业生在该课程领域内的技能要求相适应,让学生上岗就能直接胜任本领域的工作,做到学校教育与社会对人才实际需求"零适应期"无缝对接,培养具有较强综合素质的工程应用型人才。

关键词：非机类工程制图零适应期教学改革

“有意识的教学” 助推自主游戏质量提升——以中班游戏“玩磁铁”为例

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福建教育 2024年第25期 28-31页

作者：吴玫瑰鲍钰清柘荣县第三幼儿园福建幼儿师范高等专科学校

幼儿园教育实践中,将游戏与教学对立或混淆的问题由来已久,制约了幼儿园自主游戏质量的提升。“有意识的教学”强调早期教育中教师应处理好幼儿自主游戏与教师有计划、有目的、深思熟虑的教学之间的关系,认为教师采取模仿和示范、开放... 详细信息

幼儿园教育实践中,将游戏与教学对立或混淆的问题由来已久,制约了幼儿园自主游戏质量的提升。“有意识的教学”强调早期教育中教师应处理好幼儿自主游戏与教师有计划、有目的、深思熟虑的教学之间的关系,认为教师采取模仿和示范、开放式提问、猜测、解释、参与共同思考、问题解决等行为均属拓展幼儿自发经验的“有意识的教学”。以中班游戏“玩磁铁”为例,教师在幼儿发起的自主游戏中,通过“有意识的教学”引发幼儿从感性经验的积累迈向前科学概念的建构。

关键词：有意识教学,自主游戏游戏质量科学游戏

基于取向生长NiO纳米片的室温响应ppb级NO_(2)气体传感器

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功能材料与器件学报 2022年第1期28卷 84-92页

作者：陶体岳张欢欢魏伟高云鲍钰文 Kevin Peter Homewood 夏晓红湖北大学材料科学与工程学院武汉430062

二氧化氮(NO_(2))作为最主要的大气污染物,对水体、土壤、大气以及人体健康有严重危害,研发室温工作、低浓度探测、高响应、便携式的气体传感器是NO_(2)传感器的迫切需求。本文用水热法在石英玻璃衬底上生长(111)取向生长的NiO纳米片薄... 详细信息

二氧化氮(NO_(2))作为最主要的大气污染物,对水体、土壤、大气以及人体健康有严重危害,研发室温工作、低浓度探测、高响应、便携式的气体传感器是NO_(2)传感器的迫切需求。本文用水热法在石英玻璃衬底上生长(111)取向生长的NiO纳米片薄膜,通过对水热反应前驱体中六水氯化镍(NiCl_(2)·6H_(2)O)浓度的调控实现对NiO纳米片取向性、致密度和薄膜厚度的调节。基于该薄膜的NO_(2)传感器可在室温工作,对10 ppb NO_(2)的响应达到19%,且对低浓度NO_(2)有良好的选择性。

关键词：传感器室温取向生长 NiO NO_(2)

纳米片阵列NiO锂离子电池负极材料赝电容性能研究

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功能材料与器件学报 2023年第1期 33-40页

作者：赵晨雨李双鹏周佳盈袁怡肖煌夏晓红鲍钰文高云湖北大学材料科学与工程学院武汉430062

采用水热法和化学浴沉积法,在碳布(CC)表面构建NiO纳米片阵列(CC/NiO)。两种方法制备的NiO均为片状立方晶型的NiO,水热法制备的NiO结晶性优于化学浴法制备的NiO。将两种方法制备的CC/NiO作为锂离子电池负极材料,测试其电化学性能。发现... 详细信息

采用水热法和化学浴沉积法,在碳布(CC)表面构建NiO纳米片阵列(CC/NiO)。两种方法制备的NiO均为片状立方晶型的NiO,水热法制备的NiO结晶性优于化学浴法制备的NiO。将两种方法制备的CC/NiO作为锂离子电池负极材料,测试其电化学性能。发现在2 mA/cm^(2)的电流下经过500圈的循环后,水热法制备的CC/NiO负极材料的容量高出水浴法制备的CC/NiO负极材料近22%,表现出了优异的电化学性能。其原因主要在于水热法制备的CC/NiO纳米片生长平直并且结晶性好,使得其赝电容带来的超理论容量增加,在1.0 mV/s的扫速下赝电容占总容量的贡献为80%左右。

关键词：赝电容效应负极材料氧化镍

电场方向对一维断裂纳米通道连接处水桥结构的影响

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物理学报 2024年第9期73卷 70-77页

作者：孟现文中国矿业大学材料与物理学院徐州221116

电场影响纳米通道内的水分子的电偶极矩取向,进而影响纳米通道内的水分子的传输.为了有效发掘水分子在纳米通道内的传输特点,必须研究更复杂的纳米通道结构.最新一种构造复杂纳米通道的方式是构造断裂纳米通道.在研究断裂纳米通道内的... 详细信息

电场影响纳米通道内的水分子的电偶极矩取向,进而影响纳米通道内的水分子的传输.为了有效发掘水分子在纳米通道内的传输特点,必须研究更复杂的纳米通道结构.最新一种构造复杂纳米通道的方式是构造断裂纳米通道.在研究断裂纳米通道内的水分子的动力学特点时,通常是在零电场或单一电场方向下进行的,电场方向对断裂纳米通道内的水分子的影响机理尚不明确,这制约了部分场控分子器件的设计.为了探究该问题,本文采用分子动力学模拟方法,系统研究了电场方向从0°变化到180°的过程中,电场方向对完整纳米通道以及断裂长度分别为0.2和0.4 nm的断裂纳米通道内的水分子的占据数、传输、水桥、电偶极矩偏向等性质的影响.结果表明,在1 V/nm的电场强度作用下,这三种纳米通道内的水分子的占据数、传输等差别主要集中在电场方向与管轴夹角为90°时,此时完整纳米通道内能形成稳定的水链,断裂长度为0.2 nm的纳米通道的连接处能形成不稳定的水桥,而断裂长度为0.4 nm的纳米通道的连接处不能形成水桥.此外,模拟发现当电场极化方向与管轴夹角为90°时,增大电场的强度,断裂纳米通道连接处的水桥更容易断裂.

关键词：电场断裂纳米通道方向

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