检索结果-南通市图书馆

n^+-p-H gCdTe光伏探测器的化学硫化

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航空兵器 2006年第1期13卷 35-37页

作者：赵晓燕彭震宇鲁正雄中国空空导弹研究院河南洛阳471009

首次采用Na2S.9H2O在n+-p-HgCdTe表面进行化学硫化,然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明,化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度,避免了相应漏电... 详细信息

首次采用Na2S.9H2O在n+-p-HgCdTe表面进行化学硫化,然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明,化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度,避免了相应漏电流的形成。

关键词： n^+-p-HgCdTe 光伏探测器化学硫化 Ⅰ-Ⅴ特性

Au-Al_xGa_(1-x)N MSM结构紫外光电二极管伏安特性研究

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航空兵器 2005年第5期12卷 27-29页

作者：赵岚鲁正雄赵鸿燕成彩晶中国空空导弹研究院河南洛阳471009

在N型AlxGa1-xN(x=0.19～0.25)薄膜表面热蒸发Au金属薄膜,经过退火后制成MSM结构的光电器件.测试其I-V曲线,从金属-半导体MSM结构肖特基二极管的理论模型推导了这种新型紫外器件的理想伏安特性,并将实验结果与理论模型相拟合,为制造导... 详细信息

在N型AlxGa1-xN(x=0.19～0.25)薄膜表面热蒸发Au金属薄膜,经过退火后制成MSM结构的光电器件.测试其I-V曲线,从金属-半导体MSM结构肖特基二极管的理论模型推导了这种新型紫外器件的理想伏安特性,并将实验结果与理论模型相拟合,为制造导弹来袭紫外告警探测器提供研究依据.

关键词： AlGaN 紫外探测器 MSM 伏安特性

表面沟道漏电对长波光伏HgCdTe器件性能的影响

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航空兵器 2005年第6期12卷 20-22页

作者：赵鸿燕彭震宇鲁正雄中国空空导弹研究院河南洛阳471009

研究了表面沟道漏电流对长波n-p HgCdTe光伏器件性能的影响。通过对栅控HgCdTe二极管I-V特性的研究,证实了表面势引入的表面漏电对长波HgCdTe光伏器件反向I-V特性具有较大的影响,提出了改进方向。

关键词：长波光伏HgCdTe器件伏安特性表面漏电流

背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器

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Journal of Semiconductors 2008年第3期29卷 566-569页

作者：成彩晶丁嘉欣张向锋赵鸿燕鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义中国空空导弹研究院洛阳471009 北京大学物理系北京100871

在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%... 详细信息

在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×***1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.

关键词：太阳光盲紫外探测器理想因子串联电阻外量子效率探测率

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X射线衍射技术对InSb材料的无损检测

航空精密制造技术 2008年第2期44卷 45-47页

作者：王武杰赵岚陈慧娟何英杰傅月秋鲁正雄中国空空导弹研究院洛阳471009

采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规律;对晶片上不同位置进行了同一衍射面的ω扫描,得到半峰宽度的mapping,此外,还对材料进行了倒易空间(RSM)扫描。测试结... 详细信息

采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规律;对晶片上不同位置进行了同一衍射面的ω扫描,得到半峰宽度的mapping,此外,还对材料进行了倒易空间(RSM)扫描。测试结果表明InSb材料结晶质量完好,均匀性好,符合制造良好光电器件的标准。

关键词： InSb X射线衍射回摆曲线半峰宽度倒易空间图

背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器

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激光与红外 2009年第2期39卷 187-189页

作者：丁嘉欣成彩晶张向锋张晓兵鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义中国空空导弹研究院河南洛阳471009 北京大学物理系北京100871

在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反... 详细信息

在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。

关键词： AlGaN 背入射线列焦平面太阳光盲探测器

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光照对阳极化InSb探测器性能影响的研究

航空兵器 2008年第5期15卷 62-64页

作者：刘炜彭震宇鲁正雄孙维国司俊杰中国空空导弹研究院河南洛阳471009

使用阳极化钝化方法制造的InSb红外探测器,在可见光照射下,器件反偏漏电流大,零偏阻抗低。通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验,发现阳极化层中的陷阱能级感应n型InSb表面产生反型,p/n结表面附近的反型层与p型层连接后起到分流电... 详细信息

使用阳极化钝化方法制造的InSb红外探测器,在可见光照射下,器件反偏漏电流大,零偏阻抗低。通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验,发现阳极化层中的陷阱能级感应n型InSb表面产生反型,p/n结表面附近的反型层与p型层连接后起到分流电阻作用,导致器件电性能变差。

关键词： InSb 探测器钝化阳极化陷阱能级

InAs/GaSb超晶格红外探测器台面湿法腐蚀研究

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微纳电子技术 2008年第5期45卷 298-301页

作者：陈慧娟郭杰丁嘉欣鲁正雄彭振宇孙维国中国空空导弹研究院河南洛阳471009

研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速... 详细信息

研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速度;在较低的酒石酸和双氧水浓度下,刻蚀速度是由氧化过程控制,且反应速度和双氧水的浓度成正比。腐蚀液配比为酒石酸(3.5g)∶H2O2(4mL)∶HF(1mL)∶H2O(400mL),刻蚀速度约为0.5μm/min。

关键词：砷化铟/锑化镓超晶格化学湿法腐蚀台面刻蚀溶液配比

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村级财务管理“八字诀”

农村工作通讯 2009年第3期 53-53页

作者：鲁正雄云南省楚雄市农业局

村级财务管理是我国农村集体最基本的核算单位。近年来,不少地区村级财务管理混乱、权责不明、账务不实的问题较多,已成为广大

关键词：村级财务管理财会人员农村财务管理民主理财群众理财