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硬X射线位相衬度成象

物理学报 2000年第12期49卷 2357-2368页

作者：高大超 A.POGANY A.W.STEVENSON T.GUREYEV S.W.WILKINS 麦振洪 Commonwealth Science and Industry Research Organization Manufacturing Science & Technology PB33 Clayton South MDCVictoria3169Australia 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京100080

常规X射线成象技术是建立在吸收衬度和几何光学基础上 .介绍了“in line”位相衬度成象技术和成象理论 .以生物样品为例 ,说明常规X射线吸收衬底成象与位相衬度成象的差别 ,并对X射线源尺寸对成象衬度的影响进行了研究 .此外 ,对吸收衬... 详细信息

常规X射线成象技术是建立在吸收衬度和几何光学基础上 .介绍了“in line”位相衬度成象技术和成象理论 .以生物样品为例 ,说明常规X射线吸收衬底成象与位相衬度成象的差别 ,并对X射线源尺寸对成象衬度的影响进行了研究 .此外 ,对吸收衬底象和位相衬度象的关键参量进行了计算模拟和讨论 .

关键词：位相衬度成象硬X射线

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热处理引起3C-ZnS结构转变的X-射线衍射分析

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发光学报 1983年第2期 35-45页

作者：高大超刘维娜中国科学院长春物理研究所

为了论证层错是硫化锌晶体中交流电致发光的一个必要条件,我们把3C-ZnS单晶体在1100℃热处理后引入了层错。同时,我们对热处理前后的结构,用劳埃背反射法和文献[8、13]推导的公式进行了分析。结果表明,沿3C-结构四个等价方向都可以产生... 详细信息

为了论证层错是硫化锌晶体中交流电致发光的一个必要条件,我们把3C-ZnS单晶体在1100℃热处理后引入了层错。同时,我们对热处理前后的结构,用劳埃背反射法和文献[8、13]推导的公式进行了分析。结果表明,沿3C-结构四个等价方向都可以产生无序、孪晶和2H-结构,而且当热处理时间足够长时,结构转变趋向于一个方向。这些实验结果,在有关的文献中尚未见到。

关键词： ZnS 衍射条纹劳埃衍射衍射花样晶面面(晶体) 晶种面心立方晶体射线衍射分析结构转变

ZnS晶体3C2H结构转变的LAUE衍射图中“奇异点”的标定

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发光学报 1985年第1期 60-67页

作者：高大超刘维娜中国科学院长春物理研究所

在ZnS晶体3C2H结构转变的X—射线Laue衍射分析中,为了解释一维无序造成的异常衍射现象,本文推导了Laue衍射图曲线晶带的“奇异点”计算公式。并应用此公式,计算了ZnSLaue衍射照片上数条晶带上的“奇异点”,计算值与实验值完全吻合。另... 详细信息

在ZnS晶体3C2H结构转变的X—射线Laue衍射分析中,为了解释一维无序造成的异常衍射现象,本文推导了Laue衍射图曲线晶带的“奇异点”计算公式。并应用此公式,计算了ZnSLaue衍射照片上数条晶带上的“奇异点”,计算值与实验值完全吻合。另外,本文还对“奇异点”的形成、特点、标定的意义以及计算公式适用范围进行了讨论。

关键词：奇异点晶带照片衍射图计算公式计算值 LAUE ZnS 晶体结构转变

GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究

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Journal of Semiconductors 1988年第3期 262-268页

作者：高大超冯禹臣袁佑荣中国科学院长春物理研究所中国科学院长春物理研究所长春

作者在MBE法和LPE法生长的GaAlAs/GaAs外延片中观察到了多层膜的X射线干涉条纹.用X射线双晶测角仪记录了这种干涉条纹,并从条纹振荡的周期计算出外延片中相应外延层的厚度.在实验样品具有一定曲率半径(在本实验条件下10—30米)的情况下,... 详细信息

作者在MBE法和LPE法生长的GaAlAs/GaAs外延片中观察到了多层膜的X射线干涉条纹.用X射线双晶测角仪记录了这种干涉条纹,并从条纹振荡的周期计算出外延片中相应外延层的厚度.在实验样品具有一定曲率半径(在本实验条件下10—30米)的情况下,用X射线双晶形貌法摄取了这种干涉条纹相,并对弯曲外延片的成相几何进行了分析;通过测量貌相图上干涉条纹的振荡周期,计算出了外延片的曲率半径.

关键词： X射线 GaAlAs/GaAs 干涉条纹双晶形貌迴摆曲线

GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察

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发光学报 1988年第3期 241-248页

作者：冯禹臣高大超袁佑荣中国科学院长春物理研究所

本文介绍了用非平行非对称(+、-)双晶X射线形貌术研究Ⅲ—Ⅴ族化合物外延晶体的设置和原理。分析了外延后形成的弯曲样品造成的衍射效应。对分子束外延(MBE)法生长的GaAs/AlGaAs衬底和外延层分别进行了X射线形貌术观察。讨论了外延层中... 详细信息

本文介绍了用非平行非对称(+、-)双晶X射线形貌术研究Ⅲ—Ⅴ族化合物外延晶体的设置和原理。分析了外延后形成的弯曲样品造成的衍射效应。对分子束外延(MBE)法生长的GaAs/AlGaAs衬底和外延层分别进行了X射线形貌术观察。讨论了外延层中存在的失配位错、生长小丘、沾污和局部微差取向等缺陷。对位错的组态和来源进行了初步分析。本实验结果也表明,有应变超晶格过渡层的MBE法对生长优质的GaAs/AlGaAs外延片是有利的。

关键词：分子束外延形貌观察 GaAs/AlGaAs 晶体射线束位错线形貌术失配位错外延片衬底基片晶面面(晶体) 晶种放大图

用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性

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半导体光电 1987年第2期9卷 -页

作者：冯禹臣高大超袁佑荣中国科学院长春物理所

本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这... 详细信息

本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。

关键词： GaAs/AlGaAs 衬底基片 MBE 激光材料量子阱材料外延层均匀性双晶衍射低温光致发光

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Sr2B5O9Cl发光材料X射线粉末衍射数据的测定

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发光学报 1987年第2期 142-150页

作者：李梅,高大超,吴佩芳,柯立平中国科学院长春物理研究所中国科学院长春物理研究所中国科学院长春物理研究所吉林大学 80届实习生

用衍射仪收集了Sr2B5O9Cl发光材料的X射线粉末衍射图谱（CuKα）,给出了d值大于0.8247的173条衍射线的衍射数据和指标。验证了Peters所给的46条衍射线,补充了其遗漏的9条较弱衍射线和高角度118条衍射线。确认Sr2B5O9Cl多品粉末发光材料... 详细信息

用衍射仪收集了Sr2B5O9Cl发光材料的X射线粉末衍射图谱（CuKα）,给出了d值大于0.8247的173条衍射线的衍射数据和指标。验证了Peters所给的46条衍射线,补充了其遗漏的9条较弱衍射线和高角度118条衍射线。确认Sr2B5O9Cl多品粉末发光材料属四方晶系,空间群是P42212,晶胞参数α=11.362,c=6.500。

关键词：发光材料 Sr2B5O9Cl 光学材料衍射峰晶胞参数射线衍射衍射线空间群符号衍射强度晶面间距粉末衍射 Cl

GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能

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发光学报 1987年第3期 266-272页

作者：冯禹臣高大超袁祐荣江田和生中国科学院长春物理研究所日本松下电器大阪无线电研究室

本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光... 详细信息

本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光致发光性能有明显的改善。

关键词：量子阱材料 MBE 光致发光激光材料 GaAs/AlGaAs 形貌发光性能

立方硫化锌晶体中生成孪晶和六角密堆相的劳埃衍射分析方法

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人工晶体 1986年第2期 134-138页

作者：高大超李梅冯禹臣中国科学院长春物理研究所

本文比较了鉴别面心立方（FCC）基体土生成孪晶和密堆六角结构（HCP）的各种方法,提出用合成劳埃衍射图法分析多套衍射斑点（3—9套）重叠的劳埃照片的方法。通过对热处理后3C-ZnS（FCC 结构）晶体劳埃衍射照片的实例分析,证明了这种方... 详细信息

本文比较了鉴别面心立方（FCC）基体土生成孪晶和密堆六角结构（HCP）的各种方法,提出用合成劳埃衍射图法分析多套衍射斑点（3—9套）重叠的劳埃照片的方法。通过对热处理后3C-ZnS（FCC 结构）晶体劳埃衍射照片的实例分析,证明了这种方法是行之有效的。

关键词：孪晶 HCP FCC 双晶体面心立方晶体晶面晶种分析方法