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物理学报 2003年第9期52卷 2342-2346页

作者：盛正卯骆军委浙江大学物理系杭州310028

利用扩展系综法得到了正则系综下水的TIP4P模型的自由能值为 - 2 1.4 85± 0 .0 35kJ mol,并与其他方法所得的结果作了比较 .提出了选择该方法中关键参数 (平衡因子 )的有效方法 ,并讨论了该方法的可移植性 .

关键词：水自由能扩展系综法计算 TIP4P模型平衡因子分子动力学模拟分子团

加强半导体基础能力建设点亮半导体自立自强发展的“灯塔”

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中国科学院院刊 2023年第2期38卷 187-192页

作者：骆军委李树深中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083

在“逆全球化”下产业链“脱钩”愈演愈烈的背景下,当前我国的科技基础能力难以支撑实现高水平科技自立自强的国家战略需求。为此,在党的二十大报告中提出了加强科技基础能力建设。中国科学院院长、党组书记侯建国在《人民日报》撰文指... 详细信息

在“逆全球化”下产业链“脱钩”愈演愈烈的背景下,当前我国的科技基础能力难以支撑实现高水平科技自立自强的国家战略需求。为此,在党的二十大报告中提出了加强科技基础能力建设。中国科学院院长、党组书记侯建国在《人民日报》撰文指出,科技基础既包括各类科技创新组织、科研设施平台、科学数据和文献期刊等“硬条件”,也包括科技政策与制度法规、创新文化等“软环境”。中国科学院在2022年制定了“基础研究十条”,明确中国科学院基础研究的战略定位、重点布局和发展目标,从选题机制、组织模式、条件支撑、人才队伍、评价制度、国际合作等方面提出了一系列有针对性、可操作的政策措施,强调了学风、作风和学术生态建设。

关键词：国家战略需求自立自强逆全球化基础能力建设中国科学院战略定位科研设施科学数据

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大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱

红外与毫米波学报 2005年第3期24卷 207-212页

作者：马宝珊王晓东骆军委苏付海方再利丁琨牛智川李国华中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明... 详细信息

在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.

关键词：凝聚态物理学光致发光压力砷化铟量子点

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物理摆的多吸引子混沌状态实现与理论模拟

浙江大学学报（理学版） 2001年第1期28卷 42-45页

作者：周能锋骆军委蔡阳键浙江大学物理学系浙江杭州310028

本文首先利用一个物理摆实现了多吸引子混沌现象 ,并对产生混沌的关键因素及相图进行了分析 .然后从力学原理出发用计算机对该系统进行了模拟 ,得到了与实验相图符合得很好的理论模拟相图 ,并在模拟相图中验证了混沌对初始状态的敏感性 .

关键词：计算机模拟物理摆多吸引子混沌模拟相图相空间轨道角位移角速度

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用fhi98md研究冰的性质

浙江师大学报（自然科学版） 2000年第4期23卷 395-397页

作者：骆军委周能峰盛正卯浙江大学物理系浙江杭州310028

利用 fhi98md计算了冰的不同温度和不同赝势模型下的晶胞电子基态 ,分别求得系统的静态能量和电子的空间分布 ;对冰的结构弛豫进行了优化并计算了冰的能带结构 .

关键词：分子动力学电子基态能带结构水分析

加强半导体基础能力建设点亮半导体自立自强发展的“灯塔”

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新华文摘 2023年第11期 137-140页

作者：骆军委李树深中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室

关键词：国家战略需求自立自强逆全球化基础能力建设科研设施中国科学院科学数据软环境

Lower bound on the spread of valley splitting in Si/SiGe quantum wells induced by atomic rearrangement at the interface

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Chinese Physics B 2023年第10期32卷 126-133页

作者：王刚管闪宋志刚骆军委 State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China

The achievement of universal quantum computing critically relies on ***,ensuring the necessary uniformity for scalable silicon electron spin qubits poses a significant challenge due to the considerable fluctuations in valley splitting energy(E_(VS))across quantum dot arrays,which impede the initialization of qubit systems comprising multiple spins and give rise to spin–valley entanglement resulting in the loss of spin *** E_(VS)fluctuations have been attributed to variations in the in-plane averaged alloy concentration along the confinement direction of Si/SiGe quantum *** this study,employing atomistic pseudopotential calculations,we unveil a significant spectrum of E_(VS)even in the absence of such concentration *** spectrum represents the lower limit of the wide range of E_(VS)observed in numerous Si/SiGe quantum *** constructing simplified interface atomic step models,we analytically demonstrate that the lower bound of the E_(VS)spread originates from the in-plane random distribution of Si and Ge atoms within SiGe barriers——an inherent characteristic that has been previously ***,we propose an interface engineering approach to mitigate the in-plane randomness-induced fluctuations in E_(VS)by inserting a few monolayers of pure Ge barrier at the Si/SiGe *** findings provide valuable insights into the critical role of in-plane randomness in determining E_(VS)in Si/SiGe quantum devices and offer reliable methods to enhance the feasibility of scalable Si-based spin qubits.

关键词： quantum wells valley splitting alloy concentration fluctuation

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中国半导体面临的八大困境 001

中国半导体面临的八大困境

中国科学报

作者：骆军委胡珉琦

经过半个多世纪的发展，半导体已经长成一个巨人，1美元半导体产品可以撬动100美元GDP。6月，美国两党参议院先后提出《为半导体生产建立有效激励措施》《美国晶圆代工业法案》，呼吁投入370亿美元以维护本土半导体战略竞争优势。资本... 详细信息

经过半个多世纪的发展，半导体已经长成一个巨人，1美元半导体产品可以撬动100美元GDP。6月，美国两党参议院先后提出《为半导体生产建立有效激励措施》《美国晶圆代工业法案》，呼吁投入370亿美元以维护本土半导体战略竞争优势。资本和研发投入对保持半导体行业的竞争

关键词：研发投入半导体行业

来源： cnki报纸评论

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深空探测自主运行的一种可信性技术体系

空间科学学报 2024年第2期44卷 228-240页

作者：党炜骆军委郑作环敖亮李博李鹏熊盛阳许鹏程宋恒旭胡剑桥冯业为中国科学院空间应用工程与技术中心北京100094 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院数学与系统科学研究院应用数学研究所北京100190 中国科学院微电子研究所北京100029 中国运载火箭技术研究院北京100076 中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室北京100190 中国科学院空间科学与应用总体部北京100094 中国科学院可靠性保障中心北京100094 中国科学院大学北京100049

未认知与不确定性是深空探测任务的基本特征.本文基于战略导向的体系化基础研究,建立了一种面向科学价值最大化的探测场景和以可靠性为核心技术基础的深空探测自主运行可信性技术体系.分析研究了深空探测场景下的可靠性概念;面向精确感... 详细信息

未认知与不确定性是深空探测任务的基本特征.本文基于战略导向的体系化基础研究,建立了一种面向科学价值最大化的探测场景和以可靠性为核心技术基础的深空探测自主运行可信性技术体系.分析研究了深空探测场景下的可靠性概念;面向精确感知、最优计算、准确决策、快精准执行的目标要素,提出了深空探测自主运行的可信性体系框架以及“需求-认知-工程”总体技术架构;针对自主运行可信性的关键技术难点,开展了可靠性导向的多物理场、强耦合白盒建模,复杂网络故障传播机制分析,COTS元器件深空探测应用的高可靠保证,以及“模型+数据+知识”一体的融合机制分析等研究.对该技术体系的关键技术验证策略及其最小系统在卫星星座中的应用进行了验证,结果表明,所提出的技术体系具有较高的工程价值.

关键词：深空探测自主运行可靠性可信性多物理场复杂网络

Band structure engineering and defect control of oxides for energy applications

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Chinese Physics B 2018年第11期27卷 112-119页

作者： Hui-Xiong Deng Jun-Wei Luo Su-Huai Wei State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049 China Beijing Computational Science Research Center Beijing 100193 China

Metal oxides play an essential role in modern optoelectronic devices because they have many unique physical properties such as structure diversity, superb stability in solution, good catalytic activity, and simultaneous high electron conductivity and optical transmission. Therefore, they are widely used in energy-related optoelectronic applications such as photovoltaics and photoelectrochemical（PEC） fuel generation. In this review, we mainly discuss the structure engineering and defect control of oxides for energy applications, especially for transparent conducting oxides（TCOs） and oxide catalysts used for water splitting. We will review our current understanding with an emphasis on the contributions of our previous theoretical modeling, primarily based on density functional theory. In particular, we highlight our previous work：（i） the fundamental principles governing the crystal structures and the electrical and optical behaviors of TCOs;（ii） band structures and defect properties for n-type TCOs;（iii） why p-type TCOs are difficult to achieve;（iv） how to modify the band structure to achieve p-type TCOs or even bipolarly dopable TCOs;（v） the origin of the high-performance of amorphous TCOs; and（vi） band structure engineering of bulk and nano oxides for PEC water splitting. Based on the understanding above, we hope to clarify the key issues and the challenges facing the rational design of novel oxides and propose new and feasible strategies or models to improve the performance of existing oxides or design new oxides that are critical for the development of next-generation energy-related applications.

关键词： band-structure engineering defect control oxides density functional theory