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用凝胶色谱法测定AE型原油破乳剂的分子量及其分布

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色谱 1987年第1期 55-57+19页

作者：陈德茂,贾鹤年,马玉关胜利油田设计规划研究院化学室胜利油田设计规划研究院化学室胜利油田设计规划研究院化学室山东东营山东东营山东东营

原油破乳剂,通常是一些低分子量共聚物,这些共聚物的分子量和分子量分布对原油破乳剂的质量有一定的影响。用凝胶色谱渐近法校正,直接测定AE型原油破乳剂分子量及其分布,国外有关这方面的工作报道尚不曾多见,国内的研究与应用刚刚在开... 详细信息

原油破乳剂,通常是一些低分子量共聚物,这些共聚物的分子量和分子量分布对原油破乳剂的质量有一定的影响。用凝胶色谱渐近法校正,直接测定AE型原油破乳剂分子量及其分布,国外有关这方面的工作报道尚不曾多见,国内的研究与应用刚刚在开始。本文采用凝胶色谱法,用宽分布标样

关键词：分子量分布原油破乳剂单体组成共聚物凝胶色谱法 AE

等幅中频电药物透入疗法临床应用和原理初步探讨

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中国康复 1987年第2期 63-65页

作者：江必明马玉年杨国举刘木贵第191医院理疗科

利用等幅中频电的增强生物膜通透性的作用,使药物分子经过皮肤或粘膜进入人体,达到治疗疾病和康复的目的,称为等幅中频电药物透入疗法(简称中频药透疗法),是交流电与药物综合应用的尝试。近几年我院临床应用500例,并对其原理进行了初步... 详细信息

利用等幅中频电的增强生物膜通透性的作用,使药物分子经过皮肤或粘膜进入人体,达到治疗疾病和康复的目的,称为等幅中频电药物透入疗法(简称中频药透疗法),是交流电与药物综合应用的尝试。近几年我院临床应用500例,并对其原理进行了初步探讨,现报告如下:一、临床应用本组500例,男319例,女181,年龄4～72岁,大多数为青壮年。应用范围达三十多种疾病,除10例急性扭挫伤外,其余均为慢性的常见病症,主要有术后疤痕112例,肠粘

关键词：中频电流初步探讨药物透入疗法等幅临床应用

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基于多视图特征融合网络的虚拟视图合成

吉林大学学报(工学版) 2025年

作者：朴燕马玉玺长春理工大学电子信息工程学院

当前的新视角合成方法在恢复高频信息方面存在困难，导致生成图像中出现伪影和模糊现象。因此，本研究提出了一种基于多视图特征融合网络的密集视图新视角合成方法。首先，采用基于快速傅里叶变换的抗锯齿编码算法，捕捉高频细节并提高... 详细信息

当前的新视角合成方法在恢复高频信息方面存在困难，导致生成图像中出现伪影和模糊现象。因此，本研究提出了一种基于多视图特征融合网络的密集视图新视角合成方法。首先，采用基于快速傅里叶变换的抗锯齿编码算法，捕捉高频细节并提高虚拟视图的质量。其次，引入基于多尺度特征融合网络，利用Transformer作为聚合函数，通过改进多头注意力机制提取不同尺度的特征信息，并引入先验残差模块以缓解梯度消失问题，用于增强局部特征，提高合成质量。最后，引入颜色监督函数来隐式表示场景的颜色分布，解决颜色失真问题。实验证明，该方法可以快速渲染高质量虚拟视图并输出高质量3D图像，且表现优于其他方法。

关键词：计算机应用多视图特征融合网络神经辐射场新视角合成三维重建 Transformer

基于专利分析的面向6G智能超表面技术发展研究

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无线电通信技术 2025年

作者：马玉芳国家知识产权局专利局专利审查协作天津中心

智能超表面 (Reconfigurable Intelligent Surface，RIS) 技术作为5G-Advanced和6G潜在关键技术之一，具备准无源、连续孔径、易于部署、低功耗、软件可编程、宽频响应和低热噪声等优势，能够重新塑造电磁环境，实现多种功能。通过统计... 详细信息

智能超表面 (Reconfigurable Intelligent Surface，RIS) 技术作为5G-Advanced和6G潜在关键技术之一，具备准无源、连续孔径、易于部署、低功耗、软件可编程、宽频响应和低热噪声等优势，能够重新塑造电磁环境，实现多种功能。通过统计分析了面向6G RIS技术相关专利申请的申请量趋势、区域分布及技术创新主体，并梳理4个主要分支RIS器件、波束赋形、信道估计以及通信感知一体化（Integrated Sensing and Communication，ISAC）的专利技术演进路线，以专利技术演进路线为依托，揭示面向6G RIS技术最新的发展趋势及研究热点。通过全球面向6G RIS专利的跟踪与分析，充分挖掘了专利中承载的技术信息，发挥了专利信息对国内技术发展的引导作用。

关键词：面向6G智能超表面智能超表面器件波束赋形信道估计通信感知一体化

熔炼方式对Ti6242S钛合金棒材组织性能的影响

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金属功能材料 2021年第1期28卷 19-24页

作者：杜彬孙宁宁辛社伟周伟雷云清钱光凝王倩马玉年青海聚能钛业股份有限公司青海西宁810007 西北有色金属研究院陕西西安710016

利用1350 kW型国产化的电子束冷床熔炼(EB)炉及真空自耗熔炼炉制备Ti6242S钛合金铸锭,并对制备的Ф200 mm棒材的微观组织及力学性能进行了对比分析。经EB一次熔炼铸锭的凝固组织均匀、细小,EB熔炼的特性造就了最终棒材力学性能的稳定性... 详细信息

利用1350 kW型国产化的电子束冷床熔炼(EB)炉及真空自耗熔炼炉制备Ti6242S钛合金铸锭,并对制备的Ф200 mm棒材的微观组织及力学性能进行了对比分析。经EB一次熔炼铸锭的凝固组织均匀、细小,EB熔炼的特性造就了最终棒材力学性能的稳定性。(EB+VAR)棒材的微观组织及力学性能均优于EB棒材,这与VAR重熔的成分均匀化有直接的关系。应用EB炉制备工业化Ti6242S钛合金铸锭的工艺,完全能够满足航空发动机关键零部件的使用要求。

关键词：电子束冷床熔炼 Ti6242S钛合金组织性能

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电针苏醒脑性昏迷30例观察

中国康复医学杂志 1988年第5期 229-229页

作者：马玉年广州军区后勤部桂林白岩山休干所卫生所

我们从1975年～1986年使用电头针疗法苏醒脑性昏迷30例,取得了较为满意效果。30例中,男20例,女10例。颅脑外伤昏迷12例,病毒性脑膜炎昏迷10例;脑膜炎昏迷8例。全部病例均为重型脑性昏迷。方法:取患者头部双侧运动区上1/3各一针刺点,针... 详细信息

我们从1975年～1986年使用电头针疗法苏醒脑性昏迷30例,取得了较为满意效果。30例中,男20例,女10例。颅脑外伤昏迷12例,病毒性脑膜炎昏迷10例;脑膜炎昏迷8例。全部病例均为重型脑性昏迷。方法:取患者头部双侧运动区上1/3各一针刺点,针刺时用三寸毫针(常规消毒、有头发者剃光,注意避开创面)沿头皮下斜刺两寸,接通电针仪选用密波频率每分钟约100次,输出强度从中刺激量至强刺激

关键词：脑性昏迷颅脑外伤昏迷针刺

基于MBE技术进行Ga、Bi原子团簇共沉积制备的研究

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原子与分子物理学报 2025年 73-77页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心

由于GaAs1-xBix半导体具有较大的带隙收缩、良好的温度稳定性和强自旋轨道分裂等物理特性,因此研究其制备工艺对于解决远距探测和污染监测等应用需求,以及促进波长在2～20μm范围内的小型可靠半导体激光器具有重大意义.目前,对于GaAs1-x... 详细信息

由于GaAs1-xBix半导体具有较大的带隙收缩、良好的温度稳定性和强自旋轨道分裂等物理特性,因此研究其制备工艺对于解决远距探测和污染监测等应用需求,以及促进波长在2～20μm范围内的小型可靠半导体激光器具有重大意义.目前,对于GaAs1-xBix材料中Ga、Bi原子团簇共淀积制备的工艺仍存在争议.为此,基于分子束外延（Molecular beam epitaxy, MBE）技术对Ga和Bi共淀积的工艺进行了研究.通过原子力显微镜（Atomic force microscope, AFM）对样品进行表征后发现,先淀积Bi后淀积Ga会导致已形成的Bi原子团簇发生脱附现象,因此该方案不可行;同时淀积Ga和Bi时,Bi原子作为表面活性剂会增加Ga原子团簇的高度,该方案可行,但团簇的整体高度会增加;先淀积Ga后淀积Bi时,Ga原子团簇在二次退火过程中高度会略有降低,因此在Ga和Bi原子团簇的共淀积制备过程中,该方案最佳.研究结果为可控制备GaAs1-xBix量子点（Quantum dots, QDs）提供了重要的实验基础.

关键词： MBE Ga Bi 原子团簇共淀积

基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究

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原子与分子物理学报 2025年第3期42卷 77-84页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结... 详细信息

本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,Ga源温度的升高导致Ga的蒸发量增加,进而沉积在Si衬底表面的Ga原子增多,Ga原子自组装成团簇,最终表现为Ga原子团簇的高度升高.第二组对照实验分别在3 s、6 s、10 s、40 s、50 s、60 s的沉积时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,沉积时长增加导致团簇的高度逐渐增加,主要由新吸附原子和竞争效应驱动.第三组对照实验分别在0 s、60 s、300 s的退火时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,退火时长的增加导致团簇的高度下降和团簇内的原子重新排列和分布有关.第四组对照实验分别在420℃、500℃的退火温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,升温至500℃退火会促进Ga原子团簇呈现有序排列,是表面原子的热运动和Ga原子团簇与Si(100)的晶格匹配度的共同作用的结果.

关键词： MBE Ga原子团簇 Ga源温度沉积时长退火时长

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基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究

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原子与分子物理学报 2025年第2期42卷 79-84页

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇... 详细信息

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇的密度,当温度升高100℃,密度从1.05×10^(11)cm^(-2)降低至2.5×10^(7)cm^(-2),实现对团簇密度4个数量级的可控调节,并且发现Bi原子团簇密度对生长温度的依赖性符合经典成核理论.其次,分别在10 s、15 s、20 s的沉积时长下,制备了密度相同、尺寸各异的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变沉积时长来精细控制Bi原子团簇的尺寸:当沉积时长增加10 s,高度和直径分别从8.5 nm和65 nm增大到13.7 nm和100 nm,实现对团簇尺寸在10 nm高度、80 nm直径范围的可控调节,并且发现Bi原子团簇尺寸对沉积时长的依赖性符合晶体生长动力学.与分子束外延制备传统的Ⅲ族(Al,Ga,In)原子团簇做对比,这些结果可以为制备Ⅴ族原子团簇提供实验参考和指导,从而促进纳米级含Bi材料的制备.

关键词：分子束外延 Bi原子团簇生长温度沉积时长经典成核理论晶体生长动力学

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