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水性硅基多异氰酸酯固化剂的合成及性能

高分子材料科学与工程 2013年第12期29卷 26-29,34页

作者：吕夏阳颜爱军李会宁王江兵曹德榕华南理工大学化学与化工学院广东广州510641 肇庆千江高新材料科技有限公司广东肇庆526238

烷氧基硅烷与聚乙二醇反应合成硅基聚醚（SPE）；SPE与六亚甲基-1，6-二异氰酸酯（HDI）三聚体反应合成了一系列水性硅基多异氰酸酯固化剂（WSiP）。发现WSiP中硅氧烷含量的增加能够降低产物黏度和提高NCO含量，并且能够提高双组分涂膜... 详细信息

烷氧基硅烷与聚乙二醇反应合成硅基聚醚（SPE）；SPE与六亚甲基-1，6-二异氰酸酯（HDI）三聚体反应合成了一系列水性硅基多异氰酸酯固化剂（WSiP）。发现WSiP中硅氧烷含量的增加能够降低产物黏度和提高NCO含量，并且能够提高双组分涂膜硬度和光泽；另外，随着SPE含量增加，双组分涂膜光泽和耐水性均有所提高；用红外光谱仪和热失重仪测试了双组分涂膜结构和耐热性能。结果表明，WSiP与水性丙烯酸树脂配制的双组分水性聚氨酯涂料硬度达到4H，清漆光泽123°～126°，耐水48h，10％热失重温度为285℃。

关键词：固化剂烷氧基硅烷双组分聚乙二醇硅基聚醚

纳米二氧化硅改性水性聚氨酯固化剂的制备及其涂膜性能研究

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纳米二氧化硅改性水性聚氨酯固化剂的制备及其涂膜性能研究

作者：颜爱军华南理工大学

学位级别：硕士

随着纳米科技的进步，功能型的纳米复合材料已被成功应用到不同领域，而实现纳米材料的均匀分散则是体现其特殊功能的前提条件，利用无机纳米材料改性聚氨酯形成的纳米复合涂料热力学性能和机械性能明显提高，并呈现出一些特殊的性能，... 详细信息

随着纳米科技的进步，功能型的纳米复合材料已被成功应用到不同领域，而实现纳米材料的均匀分散则是体现其特殊功能的前提条件，利用无机纳米材料改性聚氨酯形成的纳米复合涂料热力学性能和机械性能明显提高，并呈现出一些特殊的性能，因而成为近年来聚氨酯改性的主要手段之一，通过纳米粒子改性异氰酸酯进而制备纳米复合材料已被广泛应用。本文通过纳米SiO2与异氰酸酯反应来制备一系列水性聚氨酯固化剂，并用于配制双组份水性聚氨酯涂料（2K WB-PURs），研究了涂膜的结构和性能。以HDI三聚体（HXR）、纳米SiO2为原料，合成一系列纳米SiO2改性聚氨酯固化剂（SG），利用亲水性的聚乙二醇（PEG）改性固化剂SG，制备了一系列纳米SiO2改性水性聚氨酯固化剂（WSG）。考察了SiO2/HXR质量比、PEG质量和NCO/OH摩尔比对固化剂及其双组分聚氨酯涂膜的性能影响。实验结果表明，SiO2以纳米形态在固化剂中保持稳定分散，改性后的涂膜硬度提升1-2H，柔韧性、附着力和抗冲击性良好，明显体现了纳米SiO2的增强增韧功能，且所得2K WB-PURs的热稳定性增强。由于水性硅基多异氰酸酯固化剂（WSiP）与水性丙烯酸树脂配制的双组份水性聚氨酯涂膜性能较好，进一步以纳米SiO2改性WSiP，合成一系列纳米SiO2改性水性硅基多异氰酸酯固化剂（SWSiP），探讨了纳米SiO2对固化剂SWSiP及其配漆形成的2KWB-PURs的机械性能的影响。结果表明，所得双组分水性聚氨酯涂膜平整光滑，表干快且施工时间大于24h，涂膜硬度提升1-2H，且柔韧性、附着力和抗冲击性能良好，以上研究方法为制备性能优异的2K WB-PURs提供了新的思路和途径。作为对比，进一步研究了纳米SiO2对双组份溶剂型聚氨酯涂料（2K SB-PURs）的性能影响，首先以三羟甲基丙烷（TMP）改性TDI后形成的三羟TDI（RG-2-60）、纳米SiO2为原料合成TMP-SiO2-改性聚氨酯固化剂（SRG），再接枝PEG制备了一系列PEG-TMP-SiO2-改性聚氨酯固化剂（PSRG），选取不同类型的羟基丙烯酸树脂作为羟基组分，探讨SRG和PSRG对2K SB-PURs的性能影响。结果表明，SRG和PSRG对涂膜性能的改善作用并没有预期的明显。

关键词：纳米二氧化硅 HDI三聚体双组份水性聚氨酯羟基丙烯酸树脂水性硅基多异氰酸酯

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广东省区块链战略性新兴产业集群培育探索

中国标准化 2023年第11期 137-140页

作者：颜爱军廉贵清李利李鸣广州赛西标准检测研究院有限公司中国电子技术标准化研究院广东省科学技术情报研究所

本文立足于广东省区块链战略性新兴产业集群培育,阐述产业集群培育现状,分析产业优势与发展前景,探讨产业应用推广难点及其建议措施,引入标准化实践理念,为进一步推进产业集群培育提供参考。

关键词：区块链创新体系赋能产业集群培育标准化实践路径

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重视子宫内膜癌的防治

中华医学杂志 2024年第10期104卷 715-720页

作者：孔北华宋坤殷爱军山东大学齐鲁医院妇产科济南250012

子宫内膜癌(EC)发病率持续升高并呈现年轻化趋势。针对发病危险因素进行一级预防和高危人群筛查,有望降低EC发病率,实现早诊早治。EC病理学和分子生物学的研究进展加深了人们对EC高度异质性的认识,国际妇产科联盟(FIGO)新分期在手术病... 详细信息

子宫内膜癌(EC)发病率持续升高并呈现年轻化趋势。针对发病危险因素进行一级预防和高危人群筛查,有望降低EC发病率,实现早诊早治。EC病理学和分子生物学的研究进展加深了人们对EC高度异质性的认识,国际妇产科联盟(FIGO)新分期在手术病理基础上融入组织学特征和分子分型,有助于更加精准地判断预后、指导治疗。EC初始治疗规范化十分重要,辅助治疗的选择尚存争议。复发性EC免疫检查点抑制剂疗效显著,已从后线前移一线联合治疗,多种靶向药物成为新的研发方向。EC生存者管理尚需加强。

关键词：子宫内膜肿瘤预防治疗

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不确定正系统的预测控制策略研究

不确定正系统的预测控制策略研究

作者：爱军东北电力大学

学位级别：硕士

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智慧灯杆质量基础服务体系研究

中国标准化 2022年第12期 91-94页

作者：颜爱军吴杜雄周钢黄胜华广州赛西标准检测研究院有限公司深圳赛西信息技术有限公司

本文由智慧城市建设切入智慧灯杆产业,阐述智慧灯杆的发展现状和质量基础,提出夯实智慧灯杆质量基础服务体系的建议、智慧灯杆质量基础的主要研究内容及其服务体系实施路径,以期为促进智慧灯杆产业发展和智慧城市建设提供参考。

关键词：智慧城市智慧灯杆质量基础服务体系

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关键节点双目标优化的虚假信息传播控制模型

西安电子科技大学学报 2024年第1期51卷 201-209页

作者：荆军昌张志勇班爱莹高东钧河南科技大学信息工程学院河南洛阳471023 河南科技大学河南省网络空间安全应用国际联合实验室河南洛阳471023

虚假信息传播控制是全球网络空间安全治理的热点领域。针对目前在线社交网络中的虚假信息传播控制研究,尚未考虑对关键节点集控制所产生的成本开销这一实际问题,提出了一种基于关键节点双目标优化的虚假信息传播控制模型。首先,根据用... 详细信息

虚假信息传播控制是全球网络空间安全治理的热点领域。针对目前在线社交网络中的虚假信息传播控制研究,尚未考虑对关键节点集控制所产生的成本开销这一实际问题,提出了一种基于关键节点双目标优化的虚假信息传播控制模型。首先,根据用户节点在社交网络1-hop和2-hop区域的传播影响力以及节点的度中心性、k-shell等多种复杂网络特征,对两个优化目标(控制效果和控制成本)进行数学形式化表示;其次,设计一种融合自适应非线性策略的位翻转变异算法,实现对离散搜索空间的第2代非支配排序遗传算法改进,并将改进后第2代非支配排序遗传算法用于虚假信息传播关键节点集的选取,从而实现虚假信息传播控制效果最大化,控制成本开销最小化;最后,通过在真实在线社交网络平台上开展实验,分析模型参数对控制成本和控制效果的影响。实验结果表明,该模型与现有方法相比,在控制成本和控制效果的组合指标R TCTE上具有明显的优势。该模型适用于大规模复杂社交网络下最低成本的虚假信息传播控制。

关键词：社交网络虚假信息关键节点遗传算法第2代非支配排序遗传算法

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汽车内饰纺织品质量安全风险探究

汽车零部件 2015年第11期 74-78页

作者：颜爱军广州市标准化研究院广东广州510000

基于汽车内饰纺织品的质量安全风险,概述了国内外相关法规和标准现状、国内外召回信息、消费投诉信息及监督抽查信息,提出多渠道降低汽车内饰纺织品质量安全风险的预警建议。

关键词：汽车内饰纺织品法规和标准安全风险

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微波GaN器件温度效应建模研究

物理学报 2024年

作者：王帅葛晨徐祖银成爱强陈敦军南京大学电子科学与工程学院南京电子器件研究所

通过对GaN HEMT在不同温度下直流特性变化的现象与机理分析，本文基于EEHEMT等效电路模型，针对GaN HEMT漏源电流Ids提出了一种温度效应模型。该模型考虑到温度对GaN HEMT阈值电压、膝点电压、饱和电流等方面的影响，对原始EEHEMT模型中... 详细信息

通过对GaN HEMT在不同温度下直流特性变化的现象与机理分析，本文基于EEHEMT等效电路模型，针对GaN HEMT漏源电流Ids提出了一种温度效应模型。该模型考虑到温度对GaN HEMT阈值电压、膝点电压、饱和电流等方面的影响，对原始EEHEMT模型中的Ids公式进行了修改，将Ids公式中的关键参数与温度建立起适当的函数关系式。修改后的模型能够准确反映GaN HEMT在不同温度下的电性能变化趋势。为了进一步验证该温度效应模型的精确度，本文在片测试了由南京电子器件研究所研制的0.25μm工艺不同尺寸GaN HEMT在-55℃、-25℃、25℃和75℃温度下的直流特性。对比在不同温度下的模型仿真数据与测试结果，两者相对误差均小于5%，表明本文提出的温度效应模型在-55℃～75℃温度下能够精准表征GaN器件的输出特性及转移特性。

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管模型直流特性