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InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)

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红外与毫米波学报 2008年第2期27卷 81-85页

作者：田招兵顾溢张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子... 详细信息

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子效率的影响.在此基础上提出了两种改进的背照射InGaAs/InP探测器结构,并讨论了其结构参数的优化.

关键词：短波红外光伏型探测器 InGaAs 量子效率

超超临界660MW机组给水泵汽轮机运行特点及故障分析

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热力发电 2011年第5期40卷 63-65页

作者：顾溢华能上海石洞口第二电厂上海200942

华能上海石洞口第二电厂超超临界660 MW机组给水泵汽轮机(小机)为ND(Z)84/79/07型变转速凝汽式汽轮机,采用弹簧基座,可满足主机在各种工况运行时对给水的要求。总结了小机的特点及运行中存在的问题,并对小机的优化运行提出了建议。

关键词：超超临界 660MW机组给水泵汽轮机振动润滑油系统弹簧基座

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超超临界660MW机组汽轮机的特点与性能

热力发电 2011年第3期40卷 9-13页

作者：顾溢华能上海石洞口第二电厂上海200942

介绍了华能上海石洞口第二电厂超超临界660 MW机组汽轮机的特点和性能优势,并对发电机转子、轴封蒸汽温度、补汽阀、高压缸效率等存在的问题提出了优化建议。

关键词：超超临界汽轮机性能振动轴封补汽阀效率

基于BiLSTM-CRF的复杂中文命名实体识别研究

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基于BiLSTM-CRF的复杂中文命名实体识别研究

作者：顾溢南京大学

学位级别：硕士

近年来互联网社交媒体经历了飞速的发展,在这个过程中产生了海量的自然语言数据,这些数据中蕴藏着巨大的价值。命名实体识别技术研究如何从文本中识别具有特定意义的实体,是自然语言处理中最为基础重要的一环,为信息提取、问答系统、句... 详细信息

近年来互联网社交媒体经历了飞速的发展,在这个过程中产生了海量的自然语言数据,这些数据中蕴藏着巨大的价值。命名实体识别技术研究如何从文本中识别具有特定意义的实体,是自然语言处理中最为基础重要的一环,为信息提取、问答系统、句法分析、机器翻译等应用服务,具有相当大的应用价值。但是目前中文命名实体识别方法还存在着一些不足:(1)目前流行的深度学习方法多以字符为粒度,而中文字符向量空间稀疏、信息量不足、含义混淆,制约着整个命名实体识别模型的性能。(2)嵌套命名实体、长文本、上下文错误关联等复杂命名实体问题影响着模型在应用中的效果,尤其是在当下网络文本数据的实际工程应用中,互联网数据规范性差、结构混淆,给命名实体识别工作带来了很大挑战。本文针对这些问题进行了一系列研究,主要工作包括以下几个方面:1)扼要综述了命名实体识别技术的发展历程,分析比较了常见模型的优劣,讨论了“字符向量分布式嵌入-双向长短期记忆网络-条件随机场”模型对于解决中文命名实体识别问题相比其他模型的优势,并对该模型加以实现验证。2)在空间表示优化和全局信息表示的基础上,提出了一种改进的中文字符级特征表示方法。在空间表示优化方面,本文利用了中文构词造句的特征,基于位置信息对中文字符向量的表示进行优化;在信息量扩充方面,本文利用主题模型框架构造出中文字符主题概率向量作为辅助特征,补充特征表示中的全局信息。实验表明,本文改进的中文字符级特征表示方法相比于基础的word2vec训练出的字向量,提高了整体命名实体识别模型的效果。3)分析了实际应用场景下影响中文命名实体识别效果的因素,提出了一个层叠的深度神经网络命名实体识别模型。该模型的低层网络通过改进损失函数和解码方法,对粗粒度的命名实体进行识别,尽量不遗漏潜在的命名实体信息;高层网络接受被低层网络分割后的文本,通过加入卷积层、池化层的方法对命名实体边界精确识别,将最终结果作为整个命名实体识别模型的输出。实验表明该模型在标准数据集和真实网络文本数据下都取得了较好的效果。

关键词：命名实体识别双向长短期记忆网络主题模型层叠模型

In_(0.52)Al_(0.48)As/InP的正向和反向异质结在带隙附近的不同光谱现象

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物理学报 2024年第2期73卷 287-292页

作者：吴洋胡晓刘博文顾溢查访星上海大学物理系上海200444 中国科学院上海技术物理研究所上海200083

应用光电导谱(PC)和光致发光谱(PL)研究了由分子束外延在InP(100)衬底上生长In_(0.52)Al_(0.48)As获得的两种异质结外延结构,分别是在InP衬底上生长InAlAs形成的正向异质结样品(样品A:In_(0.52)Al_(0.48)As/InP)和InAlAs层继续生长InP... 详细信息

应用光电导谱(PC)和光致发光谱(PL)研究了由分子束外延在InP(100)衬底上生长In_(0.52)Al_(0.48)As获得的两种异质结外延结构,分别是在InP衬底上生长InAlAs形成的正向异质结样品(样品A:In_(0.52)Al_(0.48)As/InP)和InAlAs层继续生长InP形成的上层为反向异质结的双异质结样品(样品B:InP/In_(0.52)Al_(0.48)As/InP).PL和PC实验采用光从表面入射激发的测量构型,样品测量温度为77 K.样品A的PC谱显示,在激发光能量大于表面In_(0.52)Al_(0.48)As层的带隙时出现了电导陡降的反常变化,还在916 nm波长处呈现一小的电导峰结构.PL谱对应此波长位置则出现很强的发光峰.样品B则未观察到上述光谱特征,该差异可从两类异质结不同的界面电子结构获得解释.

关键词：半导体光谱半导体界面光电导光致发光

组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文)

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红外与毫米波学报 2013年第6期32卷 481-485,490页

作者：方祥顾溢张永刚周立王凯李好斯白音刘克辉曹远迎中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083

通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面... 详细信息

通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构,X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明,使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构,X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性质没有明显的变化.量子阱和探测器结构的这些不同特性需要在器件设计应用中加以考虑.

关键词： InAlAs 缓冲层 X射线衍射光致发光

采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)

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红外与毫米波学报 2011年第6期30卷 481-485页

作者：顾溢王凯李成方祥曹远迎张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039

利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs... 详细信息

利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优.

关键词：光电探测器高In组分缓冲层 InGaAs InAlAs

气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)

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红外与毫米波学报 2006年第4期25卷 241-245页

作者：郝国强张永刚顾溢李爱珍朱诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;... 详细信息

从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善.

关键词：光电子学光电探测器暗电流分析温度特性零偏压下微分电阻与面积乘积

Properties of Strain Compensated Symmetrical Triangular Quantum Wells Composed of InGaAs/InAs Chirped Superlattice Grown Using Gas Source Molecular Beam Epitaxy

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Chinese Physics Letters 2008年第2期25卷 726-729页

作者：顾溢张永刚 State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy of Sciences Shanghai 200050 Graduate School of the Chinese Academy of Sciences Beijing 100049

We investigate the properties of symmetrical triangular quantum wells composed of InGaAs/InAs chirped superlattice, which is grown by gas source molecular beam epitaxy via digital alloy method. In the quantum well structure tensile AlInGaAs are used as barriers to partially compensate for the significant compressive strain in the wells, the strain compensation effects are confirmed by x-ray measurement. The photoluminescence spectra of the sample are dominated by the excitonic recombination peak in the whole temperature range. The thermal quenching, peak energy shift and line-width broadening of the PL spectra are analysed in detail, the mechanisms are discussed.

关键词： 2.1 MU-M TEMPERATURE-DEPENDENCE LASERS PHOTOLUMINESCENCE WAVELENGTH HETEROSTRUCTURE