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红外焦平面探测器黑体探测率D_(bb)~*的一些问题的讨论
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红外技术 2002年 第3期24卷 1-4页
作者： 顾伯奇 康蓉 昆明物理研究所 云南昆明650223
介绍了红外焦平面 (简称FPA)探测器黑体探测率D bb的定义和测试方法 ,比较了用点黑体辐射源和面黑体辐射源的对FPA探测器的响应率Rbb测试结果 。
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波段探测率D_(Δλ)的测试方法
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红外技术 1998年 第5期20卷 23-26,14页
作者： 顾伯奇 康蓉 昆明物理研究所
描述了波段探测率的测试方法和实验计算，给出了探测器的测试和计算结果。还描述了红外探测器的波段响应率在遥感技术中的应用，并讨论了用波段探测率（和波段响应率）替代峰值探测率（和峰值响应率）的可能性和优越性。
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HgCdTe、InSb红外光生伏特探测器的低噪声前置放大器的设计与分析
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红外技术 1979年 第1期 14-23页
作者： 顾伯奇
前置放大器的设计不单是一个纯电子学的问题,而是光敏元件如何正确使用的问题,要求前置放大器对探测器提供的噪声降到最小。本文的目的在于介绍红外光生伏特探测器HgCdTe、InSb的噪声机理与工作点的偏置方法,并介绍了前置放大器的噪声... 详细信息
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多元光导HgCdTe探测器均匀性的评价
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红外技术 1998年 第1期20卷 5-8页
作者： 蔡毅 梁宏林 姚英 朱惜辰 顾伯奇 昆明物理研究所
讨论了多元光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器性能参数的均匀性评价问题，对器件性能的测量数据进行了分析。认为在某种探测器规范的条件限制下，多元光导ＨｇＣｄＴｅ探测器探测元的性能参数分布不满足Ｇａｕｓｓ分布，因而用标准偏差来衡量... 详细信息
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HgCdTe和InSb光生伏特红外探测器的零偏压结阻抗的测试与分析
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红外技术 1982年 第5期 44-48+21页
作者： 顾伯奇 水波
本文介绍了测量HgCdTe、InSb光生伏特红外探测器零偏压结阻抗常用的两种测试方法“直流法”和“交流法”,以及我们在这两种方法的基础上提出的“交直流法“和“玻莫合金变压器短路法”。我们用后两种方法测量了元件的零偏压结阻抗;并对... 详细信息
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红外探测器探测率D~*的检测标准
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激光与红外 1984年 第11期 22-26页
作者： 顾伯奇 昆明物理所
本文讨论了红外探测器的探测率D~*,响应率和噪声频谱V_N(f)三个参数,它们是一组重要的红外探测器参数;文章还讨论了在测试InSb和HgCdTe探测器中出现的主要误差。建议:在国内探测器的探测率D~*测试标准中,其D~*的测试误差以10％为宜。
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波段探测率D△λ及其测试方法讨论
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红外与激光技术 1994年 第3期23卷 12-14页
作者： 顾伯奇 康蓉 程进 昆明物理研究所
本文描述了波段探测率、波段响应率Ｒ＿（△λ）的定义及其测试定标方法，同时还描述了１０５Ｋ工作温度的碲镉汞探测器定标中的一些问题。
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波段探测率D△λ替代峰值探测率Dλp的讨论
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航天返回与遥感 1997年 第3期18卷 19-23页
作者： 顾伯奇 康蓉 夏成杰 昆明物理所 昆明650223
文中描述了波段探测器率Ｄλ的定义和计算方法，通过对空间长波红外探测器的波段探测率Ｄ△λ与目标辐射源温度Ｔ的关系讨论。
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3～5μmHgCdTe光电导性能测试和理论分析
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红外技术 1987年 第3期 13-17页
作者： 李凌 郑卫健 顾伯奇 昆明物理研究所
本文介绍了工作温度为193K、3～5μmHgCdTe光电导工作模式,论述了器件的量子效率η,电压响应率R_V,探测器的D,响应时间τ峰值波长λ_p及光电导增益等参数及其与电子迁移率μ_e、载流子浓度n等材料参数的关系。并给出国内若干器件与Mull... 详细信息
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工业标准中温黑体源的性能
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红外技术 1990年 第1期12卷 29-32页
作者： 顾伯奇 季若曦 康蓉 昆明物理研究所
根据黑体辐射源的理论和计算,对影响黑体性能的几个问题,即腔长比、热容量、视场角、温度分布的均匀性等问题进行讨论,设计出一种性能优良、结构简单、使用方便的工业用标准中温黑体源。本文首次提出了视场角概念,并讨论它对黑体性能的... 详细信息
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