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氢化松香热稳定性的研究

精细化工 2000年第6期17卷 352-355页

作者：黎跃谭海珠叶江青广西大学林学院广西南宁530001 苍梧松脂厂广西苍梧543100

研究氢化松香在 2 0 0℃、2h条件下的耐热性。氢化松香的铁含量 >2 1 5mg kg、不皂化物质量分数 >7 1% ,其耐热性差 ;WG级以下的松香虽然可制备出氢化松香 ,但其耐热性差 ;用歧化 -精制

关键词：氢化松香耐热性色泽热稳定性松香

水稻双苗材料W3338-986的胚胎发生和遗传研究

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水稻双苗材料W3338-986的胚胎发生和遗传研究

作者：江青贵四川农业大学

学位级别：硕士

水稻双苗可能是由水稻多胚引起，但由于无融合生殖与植物的多胚现象有一定的相关性;本研究是对水稻双苗材料W3338-986进行胚胎发生过程的观察并对其杂交后代进行遗传分析及运用分子标记(SSR)进行无融合生殖检测，以初步阐明W3338-986形... 详细信息

水稻双苗可能是由水稻多胚引起，但由于无融合生殖与植物的多胚现象有一定的相关性;本研究是对水稻双苗材料W3338-986进行胚胎发生过程的观察并对其杂交后代进行遗传分析及运用分子标记(SSR)进行无融合生殖检测，以初步阐明W3338-986形成双苗的类型、遗传特性和与无融合生殖的关联。得到的结果如下： 1．胚胎学观察结果：一共观察了198个石蜡切片的子房，其结果是所有的胚囊均是蓼型胚囊，能观察到极核、助细胞、反足细胞、卵细胞和正常发育的胚，没有观察到有异常现象的胚囊;对175个胚囊进行的荧光观察的结果是：从受精30min后到受精9d和15d中，均没有观察到有异常现象的胚囊，只是在受精13d后的子房中观察到一个双胚胚囊。 2．双苗类型和双苗率统计结果：双苗类型成多样性，主要有异胚芽鞘和共胚芽鞘共生苗、独立双苗、共胚芽鞘双苗和异胚芽鞘双苗;统计结果表明，双苗性状遗传，双苗率的不稳定性遗传;在不同杂交组合后代中，F种子没有发现有双苗的出现，而正反交的F代的双苗率相差不大，但F代的双苗率相差很大。 3．遗传分析结果：在正反交组合的F中，出现双苗与不出现双苗两者的界限很明显，以此为标准，双苗可以看作是质量性状;而两个组合的正反交后代在α水平上都符合1：15的分离比例，W3338-986的双苗性状是受2对隐性基因控制。 ***分析结果：用亲本间有差异的引物对不同组合产生的F、F代的双苗进行扩增，但结果是一致的;即双苗在SSR表现上两两之间是有差异的，在两两之内无差异，即在一个双苗植株中没有出现带型一个和母本一致，另一个和父本一致的情况，这说明双苗W3338-986与无融合生殖可能无关，其双苗是裂生胚产生而来。

关键词：水稻双苗胚胎学遗传分析微卫星标记

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江西大雾塘钨多金属矿床围岩蚀变特征研究

江西大雾塘钨多金属矿床围岩蚀变特征研究

作者：江青霞东华理工大学

学位级别：硕士

大雾塘钨多金属矿床隶属于九岭成矿带,位于扬子板块东南缘江南地块中段,该矿床与石门寺钨矿床(北区)类似,以细脉浸染型和蚀变花岗岩岩型钨矿体为主,并且矿体主要产在燕山期花岗岩株顶部内外接触带上。该矿床蚀变类型众多,其中云英岩化... 详细信息

大雾塘钨多金属矿床隶属于九岭成矿带,位于扬子板块东南缘江南地块中段,该矿床与石门寺钨矿床(北区)类似,以细脉浸染型和蚀变花岗岩岩型钨矿体为主,并且矿体主要产在燕山期花岗岩株顶部内外接触带上。该矿床蚀变类型众多,其中云英岩化等蚀变与矿化关系最为密切。本文通过对该矿床的围岩蚀变的系统研究,对该矿床的热液蚀变过程与成矿机制有了初步的认识。主要完成了对矿床围岩蚀变的矿物学、岩石学、蚀变分带特征的研究,并梳理厘定了蚀变的阶段以及蚀变过程中的元素迁移特征等,对该矿床的成矿作用过程有了新的认识,同时结合大湖塘矿田(地区)已有的研究探讨了围岩蚀变作用对成矿的控制,并理出围岩蚀变与找矿的关系,从而指导找矿勘探工作。通过对研究区的研究,主要取得了以下认识:(1)不同类型矿体其对应蚀变分带特征不同,其中石英大脉型矿体和细脉浸染型矿体的蚀变分带主要是云英岩化带。面型蚀变主要发育在燕山期岩体与晋宁期岩体的内外接触带上。内外接触带的蚀变类型主要为黑鳞云母化、钾长石化、绢云母化、云英岩化、和绿泥石化。由于岩浆活动的多期性,蚀变类型相互叠加。本文将当前岩体中最为发育的蚀变类型作为划分蚀变分带的依据,蚀变分带与内外接触带岩体的岩性密切相关。(2)研究区内有三期岩浆作用,形成了三期岩体,从早到晚分别是斑状花岗岩、白云母花岗岩、花岗斑岩。对各期岩体中蚀变进行了归纳,认为主要分为四个阶段:1、碱性高温热液蚀变;2、碱性中--低温热液蚀变;3、酸性高温热液蚀变;4、中--低温热液蚀变。这四个阶段对应的蚀变分别为:1、钾长石化和黑鳞云母化;2、绢云母化;3、云英岩化;4、绿泥石化等。各期岩浆所表现出来的主要蚀变类型有所差异。(3)通过对蚀变前后岩石主量元素迁移特征研究表明:钾长石化后的岩石由于碱性长石的增加,K2O、Na2O含量增加,Ca O含量也有所增加;黑鳞云母化的岩石中Si O2的含量减少,Ca O、K2O、Na2O含量增加;发生了云英岩化的岩石普遍表现出Si O2含量减少的特征;绢云母化的岩石中绢云母的含量增加,导致主量元素中Mg O、Na2O的含量增加;在各类蚀变过程中,Ti O2或Al2O3的含量相对稳定。特别需要注意的是在早期碱性蚀变中的Ca O的含量普遍呈现升高趋势。这一现象与钨矿成矿作用关系密切。(4)通过对蚀变前后岩石微量元素迁移特征研究表明:发生了云英岩化以及黑鳞云母化的岩石中,W、Cu、Zn、Mo含量明显增加,呈迁入状态。其中云英岩化岩石中W的迁入量最为明显,是其他蚀变岩石中的几倍。而Cu、Zn的迁入则主要表现在黑鳞云母化岩石中。(5)通过对蚀变前后岩石稀土元素迁移特征研究表明:蚀变前后岩石稀土曲线类似,表明两者可能具有相同的源区。各蚀变岩石均表现为轻稀土富集,Eu负异常。(6)通过对钨矿的化学形成条件分析表明,钨矿的形成是由于Ca2+与热液中的[WO4]2-结合后形成Ca WO4。研究区内钨矿的形成正是由于提供了所需的Ca2+。综合大雾塘的矿床地质特征,成矿位置,以及成矿物质来源,认为Ca2+很可能是在早期的碱性蚀变进入到热液当中的,蚀变过程中碱慢慢耗尽,开始由碱性蚀变过渡为酸性蚀变,此时Ca2+再次被析出来,与热液中的[WO4]2-结合形成钨矿。这个过程与云英岩化关系密切,可将云英岩化作为野外地质找矿的标志之一。

关键词：大雾塘钨矿围岩蚀变元素迁移云英岩化

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农业类上市公司信息透明度评价研究

农业类上市公司信息透明度评价研究

作者：江青霞福建农林大学

学位级别：硕士

目前国内外证券市场上的失信违规现象频发,在这些违规案例的背后,其中信息透明度问题是不可忽视的重要原因之一,提高上市公司信息透明度的重要意义也日渐明显。农业作为中国的支柱产业,为国民经济发展和社会进步提供了强有力的支持,作... 详细信息

目前国内外证券市场上的失信违规现象频发,在这些违规案例的背后,其中信息透明度问题是不可忽视的重要原因之一,提高上市公司信息透明度的重要意义也日渐明显。农业作为中国的支柱产业,为国民经济发展和社会进步提供了强有力的支持,作为农业大国,农业类上市公司是我国农业由传统模式向现代化模式转变的产物。但是,农业类上市公司相对于其他行业的公司而言,其所面临的风险因素更加多样,弱质性也更加明显,因此也就成了信息透明度质量低下的重灾区,但现有关于透明度的研究鲜有涉及农业类上市公司。基于此,本文旨在建立适合农业类上市公司信息透明评价的指标体系,并对农业类上市公司的信息透明度进行排名,以期作为利益相关者的决策依据。本文依据信号传递理论、委托代理理论和有效市场理论,采用规范研究、归纳研究、比较分析、实证研究等方法对农业类上市公司信息透明度问题进行剖析。结合农业类上市公司的特点,本文认为,农业类上市公司信息透明度的评价既涉及一般企业的共性问题,又有自身的突出特色。一方面,农业类上市公司应该重点关注具有农业特色的生物资产、供应商和客户、财税补助、社会责任以及年报披露及时性方面的透明度,通过对农业类上市公司2011-2013年的年报进行分析,发现这几方面的信息透明度存在较大问题。另一方面,农业类上市公司也要兼顾企业信息透明度的共性特征。通过总结现有的研究成果,整理了普遍适用的上市公司信息透明度影响因素,在此基础上结合农业类上市公司的五个特色指标,分别为:生物资产与经营范围披露是否一致、社会责任披露得分、是否披露公司所面临的风险、是否披露供应商和客户信息、财税补贴等,进而构建了一套适合于对农业类上市公司信息透明度进行评价的指标体系,该指标体系共包含5个一级指标、23个二级指标,细化为31个具体指标。以2011-2013年间农业类上市公司的年报为研究对象,收集各项指标的具体数据,运用熵权评价模型对农业类上市公司信息透明度情况打分,并进行最终排序,得到农业类上市公司的具体排名情况。通过公司内部的纵向比较,得出农业类上市公司信息透明度整体水平正处于不断提高之中的结论;通过公司之间的横向比较,得出农业类各上市公司三年间排名较稳定,信息透明度情况波动不大的结论。以上分析结果,可以作为利益相关者依据年报进行决策的依据。此外,将评分靠前和评分靠后的部分公司与深圳证券交易所的信息披露评级进行对比,二者基本一致,这也在一定范围内对本文建立的指标体系合理性进行了检验。

关键词：农业类上市公司信息透明度指标体系信息透明度评价

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稀土掺杂白光发光透明微晶玻璃的研究

稀土掺杂白光发光透明微晶玻璃的研究

作者：江青云中国计量学院

学位级别：硕士

白光LED由于效率高、寿命长、体积小、安全节能环保等诸多优点在照明、背光源、汽车、显示和商业等领域得到广泛的应用。目前商用的LED存在封装工艺复杂，环氧树脂容易老化等问题，因此研究新的发光材料来解决这些问题非常必要。由于微... 详细信息

白光LED由于效率高、寿命长、体积小、安全节能环保等诸多优点在照明、背光源、汽车、显示和商业等领域得到广泛的应用。目前商用的LED存在封装工艺复杂，环氧树脂容易老化等问题，因此研究新的发光材料来解决这些问题非常必要。由于微晶玻璃具有制备周期短、制备工艺简单、稀土离子分布均匀、发光的色坐标容易调控等优点，是一种较好的白光LED材料，近几年来得到了广泛的研究。本论文主要做了以下几个方面的研究： 1、研究了BaYF微晶玻璃的基质组分、制备过程、热处理工艺等，制备了不同Ce掺杂浓度的微晶玻璃，研究了热处理温度以及Ce离子的掺杂浓度对微晶玻璃发光特性的影响，结果表明Ce离子掺杂浓度的改变仅改变了荧光光谱的强度，对发射光谱峰值波长的位置基本无影响，在338nm紫外光的激发下Ce离子的发射光谱范围380nm-480nm，基本覆盖了整个蓝光区域;制备了Tb掺杂BaYF微晶玻璃研究了发光特性以及荧光寿命。在365nm紫外光的激发下，Tb离子出现了蓝光(487nm)，绿光(541nm)，橙光(582nm)和红光(620nm)发光。 2、制备了Ce/Tb共掺BaYF微晶玻璃，研究了Ce/Tb共掺微晶玻璃的发光特性、Ce离子向Tb离子的能量传递以及荧光寿命。在338nm紫外光的激发下，通过调节Ce/Tb离子的掺杂浓度，得到了微晶玻璃发射光谱的色坐标为(0.287，0.336)基本位于白光区域，色温为8000K，显色指数为Ra为65，量子效率为80%，辐射效率为25%。 3、研究了β-ZnSiO微晶玻璃的制备和热处理工艺，在此基础上制备了Sm单掺以及Ce/Sm共掺β-ZnSiO微晶玻璃，研究了Ce/Sm之间的能量传递，发光特性以及荧光寿命，得到了Ce/Sm共掺微晶玻璃的发射光谱的色坐标为(0.315，0.296)，测试的色温为7200K，显色指数Ra为70，量子效率为72%，辐射效率为18%;为了得到更加理想的白光发光微晶玻璃，制备了Ce/Sm/Tb三者共掺的微晶玻璃，研究了它们的发光特性三者共掺发射光谱色坐标为(0.340，0.334)，色温为5800k，显色指数Ra为75，量子效率75%，辐射效率20%。 4、制备了Eu/Eu掺杂β-ZnSiO微晶玻璃，研究了热处理温度对Eu向Eu转换的影响。随着热处理温度的升高Eu的发光占据较大比例，750℃热处理两小时后的微晶玻璃Eu和Eu的发光强度均有增强。随着热处理温度的变化，发射光谱的色坐标从黄光、近白光、蓝光区域均有分布。根据此现象，理论上可以通过对热处理温度的控制实现单一稀土离子掺杂的白光发光微晶玻璃。根据此现象，理论上可以通过对热处理温度的控制得到单一稀土离子掺杂的白光发光微晶玻璃。

关键词：稀土 Eu2+ Ce3+ Sm3+ 白光LED 微晶玻璃能量传递发光

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用正交配置法模拟加氢裂化反应器

石油化工 2008年第9期37卷 915-919页

作者：李群勇江青茵曹志凯厦门大学化学化工学院化学工程与生物工程系福建厦门361005

结合物料平衡、能量平衡和加氢裂化反应动力学方程,按照加氢裂化反应的特点,建立了加氢裂化反应器6集总动态机理模型。反应动力学采用原料油、柴油、航空煤油、重石脑油、轻石脑油、气体6集总模型。对总动态机理模型提出了正交配置法和... 详细信息

结合物料平衡、能量平衡和加氢裂化反应动力学方程,按照加氢裂化反应的特点,建立了加氢裂化反应器6集总动态机理模型。反应动力学采用原料油、柴油、航空煤油、重石脑油、轻石脑油、气体6集总模型。对总动态机理模型提出了正交配置法和龙格-库塔法相结合的求解方法。新的求解方法计算量小、精度高,并且能求得微分数学模型的近似解析解。应用6集总动态机理模型对加氢裂化反应器进行了模拟,考察了模型的预测精度。模拟结果表明,该模型能较好地模拟和预测加氢裂化产品的收率分布和反应器的温度分布,具有较高的预测精度,模型可靠。

关键词：动态机理模型正交配置法加氯裂化反应器数学模型模拟

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江青与吕后

江青与吕后

考虑通信性能的智能电网故障分类与稳定性研究

1977年

作者：沈阳军区后勤部办公室《江青与吕后》编写组编

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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考虑通信性能的智能电网故障分类与稳定性研究

作者：江青云广东工业大学

学位级别：硕士

智能电网是未来电网发展的形态,其规模和复杂程度将极大地增加运行和控制的难度和脆弱性,而且,由于间歇式电源、柔性交流输电技术和与实时电价相关的柔性负荷大规模接入电网,电力系统运行和控制将极度依赖于信息反馈和信息决策。由此,... 详细信息

智能电网是未来电网发展的形态,其规模和复杂程度将极大地增加运行和控制的难度和脆弱性,而且,由于间歇式电源、柔性交流输电技术和与实时电价相关的柔性负荷大规模接入电网,电力系统运行和控制将极度依赖于信息反馈和信息决策。由此,智能电网将发展为物理能量系统和信息系统耦合而成的复杂网络,即电力信息物理融合系统(Cyber-Physical Power System,CPPS)。CPPS架构下,能量流与信息流将深度融合并相互影响,共同决定电力系统的功能和行为特征,可见,智能电网的分析和控制技术将离不开电力信息系统的耦合作用和影响。目前并没有形成CPPS的系统化建模和分析方法,本文设想未来的广域保护控制系统以现有的广域测量系统作为构架基础,因而将广域测量系统作为CPPS框架下的信息系统的表征对象,探索研究信息流的建模分析、基于采集信息时域信号的故障分类以及信息物理系统的动态耦合分析问题。本文首先阐述了广域测量系统(WAMS)时延的组成部分,建立WAMS时延模型,依据相量数据集中器(PDC)处理时延的存在对WAMS时延模型进行改进,并借鉴双邻接条件搜索算法提出矩阵循环搜索算法,用以确定相量测量单元(PMU)子站至WAMS控制中心的信息传输路径,依据各路径的通信时延和可靠度指标确定路径选择方案。然后,针对通信网络中可能出现的丢包问题,应用插值算法预测丢失的采样值数据,在此基础上,应用遗传算法对BP神经网络的初始权值和阈值进行优化,从而直接根据采集信息的时域信号实现故障分类,并以线路故障为例验证了遗传优化BP神经网络算法的故障分类能力。最后,根据建立的时滞电力系统数学模型实现电力系统稳定性分析,采用时域仿真方法,分别采用单机无穷大系统模型和三机九节点系统模型,研究保护控制通信时延和励磁控制信号时延对电力系统稳定性的影响,并就如何减小保护控制通信时延和励磁控制信号时延给出了建议。

关键词：智能电网电力信息物理系统广域测量系统故障分类稳定性

基于平片和斜切蓝宝石衬底上InGaN薄膜的生长研究

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基于平片和斜切蓝宝石衬底上InGaN薄膜的生长研究

作者：江青聪西安电子科技大学

学位级别：硕士

InGaN合金以其优良的光电特性,广泛应用于发光二极管(LED)、激光器(LD)和太阳能电池等器件中。由于其较宽的禁带可调特性,禁带宽度范围从0.64 e V到3.4e V连续可调,InGaN基光电器件发光波长可以覆盖整个太阳能光谱。制备高质量的InGaN... 详细信息

InGaN合金以其优良的光电特性,广泛应用于发光二极管(LED)、激光器(LD)和太阳能电池等器件中。由于其较宽的禁带可调特性,禁带宽度范围从0.64 e V到3.4e V连续可调,InGaN基光电器件发光波长可以覆盖整个太阳能光谱。制备高质量的InGaN薄膜是InGaN基光电器件中相当重要的一个环节,对后续器件的性能有着重要的影响。但是目前InGaN薄膜都是在蓝宝石和硅等衬底上的GaN基板上外延生长,由于衬底和外延层之间存在晶格失配,导致GaN层存在大量位错,而且大部分位错会沿着生长方向继续生长,使得InGaN材料晶体质量下降。本文在磁控溅射不同厚度AlN成核层和斜切蓝宝石衬底上外延生长GaN层和InGaN薄膜,制备了高质量的InGaN薄膜,主要研究内容和成果如下:1、调整磁控溅射AlN成核层的厚度可以有效改善薄膜的晶体质量,并且对外延层的应力有调控作用。我们在磁控溅射不同厚度AlN的蓝宝石基板上外延生长了低铟组分和较高铟组分的InGaN薄膜。通过调整AlN层的厚度,GaN层的位错密度降低,样品的晶体质量得到改善。在磁控溅射AlN厚度为25 nm时,GaN层(002)面摇摆曲线的半高宽(FWHM)为36 arcsec,已经达到国际先进水平,样品晶体质量最佳。AFM测试结果显示,低铟组分下,InGaN薄膜表面形貌为二维台阶流,在较高铟组分下,InGaN的生长形貌向台阶聚簇方向发展,并且样品表面粗糙度增大。2、斜切衬底近年来作为改善Ⅲ族氮化物晶体质量的方法之一。本文在斜切0°、0.2°、0.6°、3°和4°的两英寸c面蓝宝石衬底上生长了100 nm厚的InGaN薄膜,用原子力显微镜(AFM)、拉曼(Raman)、光致发光(PL)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)等测试手段进行了表征分析。随着斜切角度的增大,样品表面形貌从二维台阶流向3D生长模式发展。同时,在斜切角度为3°和4°时,样品表面有大量V型坑产生。对样品进行拉曼光谱测试,研究发现这些V型坑是外延层应力释放通道,随着斜切角度的增大,V型坑增多,GaN层所受压应力减小。随后,研究了斜切角度对In并入的影响,在大斜切角度下生长台阶密度变大,原子台阶间距变窄,In原子在台阶处并入量较大,在台阶上升处并入量较小。因此随着斜切角度的增加,InGaN薄膜中的In组分减少,PL带边峰发生蓝移。HRXRD测试结果显示,随着斜切角度的增大,垂直位错和斜切方向上的位错交叠增大,大量位错湮灭,样品的晶体质量得到提高。在斜切4°的衬底上生长的样品晶体质量最好,相对于平片衬底,GaN层(102)面FWHM从448.47 arcsec降至301.71 arcsec,刃位错密度降低为平片样品中刃位错密度的45.1%。3、在溅射AlN厚度为25 nm的蓝宝石衬底上外延生长的样品,其GaN层(002)面FWHM最低,但是刃位错密度较高,而斜切蓝宝石衬底对刃位错有较好的抑制作用。在斜切蓝宝石衬底上溅射25 nm厚的AlN薄膜,以制备更高质量的InGaN和GaN薄膜。衬底斜切角度从0°增加到4°时,(102)面FWHM从442.8 arcsec降低到302.4 arcsec,样品的晶体质量得到进一步的改善。而且在衬底斜切4°时,InGaN带边峰发光强度最强,是衬底斜切0°、0.2°、0.6°、3°样品的五倍,具有优良的发光特性和良好的晶体质量。同时研究了斜切衬底对InGaN薄膜的生长形貌影响,小斜切角度对InGaN薄膜表面形貌有改善作用,生长形貌向均匀二维台阶流方向发展,大斜切角度下,表面形貌向3D生长模式发展,伴随着大量V型坑的形成。HRXRD表征结果发现,磁控溅射AlN成核层可以改善样品的螺位错密度,斜切衬底则可以有效降低样品的刃位错密度。4、最后在InGaN基板上外延生长了LED结构,随着衬底斜切角度从0°增加到4°,LED表面形貌由二维台阶流向台阶聚簇再向三维生长模式发展,小斜切角度对LED表面形貌有改善作用,呈现均匀的台阶流形貌,表面平整光滑。在大斜切角度下,LED表面形貌恶化,表面粗糙度增大。此外PL光谱表征结果发现InGaN层发生相分离现象,出现多个带边峰,在斜切4°时,带边峰FWHM较小,样品晶体质量有所改善。

关键词： InGaN GaN 晶体质量磁控溅射AlN 斜切衬底