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NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应

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物理学报 2015年第24期64卷 298-303页

作者：韩方彬张文旭彭斌张万里电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时,NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中,由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE,此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSRE上,实验测量所得电压为VISHE和VSRE的叠加.为了区分这两种不... 详细信息

NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时,NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中,由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE,此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSRE上,实验测量所得电压为VISHE和VSRE的叠加.为了区分这两种不同机理对电压的贡献,本文采取旋转外加静磁场的方法,通过分析所测电压随磁场角度的变化从而分离出VISHE的大小.研究结果表明,相比于单层NiFe(20nm)薄膜样品,NiFe(20nm)/Pt(10nm)双层膜样品中由于NiFe自旋注入到Pt中导致铁磁共振线宽增加.与逆自旋霍尔效应产生的电压相比,自旋整流效应的贡献较小,但不可忽略.本文工作有助于认清铁磁/非磁性金属材料中的自旋相关效应,并提供了一种准确的分析逆自旋霍尔效应的方法.

关键词：铁磁共振自旋整流效应自旋抽运逆自旋霍尔效应

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毫米波单片平衡放大器

电子元件与材料 2019年第1期38卷 72-77页

作者：贾晨阳韩方彬彭龙新南京电子器件研究所江苏南京210016

研制了一款毫米波(26～40 GHz)平衡式单片放大器芯片。放大器基于0. 15μm GaAs pHEMT工艺,实现了毫米波全频段(26～40 GHz)增益放大。采用Lange桥平衡结构,使放大器较于单边放大器有更好的输入输出驻波比,更大的1 dB增益压缩输出功率... 详细信息

研制了一款毫米波(26～40 GHz)平衡式单片放大器芯片。放大器基于0. 15μm GaAs pHEMT工艺,实现了毫米波全频段(26～40 GHz)增益放大。采用Lange桥平衡结构,使放大器较于单边放大器有更好的输入输出驻波比,更大的1 dB增益压缩输出功率。设计时结合pHEM T晶体管小信号和大信号模型,采用自偏和RLC并联负反馈结构,在减小芯片面积的同时提高了电路的稳定性。放大器芯片尺寸仅1. 6 mm×1. 6 mm,在工作频率26～40 GHz内,测试结果表明:输入、输出驻波比小于1. 5,增益在11 dB附近,平坦度在±0. 5 dB,1 dB增益压缩输出功率大于11 dBm。测试结果验证了设计的正确性。

关键词：毫米波平衡式单片放大器 GaAs pHEMT Lange桥

基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制

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固体电子学研究与进展 2021年第1期41卷 14-17,23页

作者：张亦斌吴少兵李建平韩方彬李忠辉陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和... 详细信息

报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和最大频率分别为105 GHz和235 GHz。基于70 nm工艺制备的自偏压三级低噪声放大器,在33~40 GHz小信号增益大于27 dB,典型噪声系数为1.5 dB。

关键词： GaN高电子迁移率晶体管 Ka波段电子束直写低噪声放大器

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毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器

固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 169-173页

作者：贾晨阳彭龙新刘昊凌志健李建平韩方彬南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路... 详细信息

设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路,减小了噪声,提高了电路稳定性。测试结果表明,该毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器在33~37GHz频带内,增益达到22dB,增益平坦为±1dB,输入驻波小于2,输出驻波小于1.5,噪声小于3.0dB,输出1dB增益压缩点(P1dB)大于5dBm,可以承受15W的脉冲输入功率。

关键词：毫米波限幅低噪声放大器 PIN二极管 pHEMT晶体管

0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC

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固体电子学研究与进展 2024年第2期44卷 125-130页

作者：郝翔王维波闫俊达袁巍韩方彬陶洪琪南京电子器件研究所南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016

基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提... 详细信息

基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提高高频增益,扩展带宽,改善噪声。常温在片测试结果表明,在3.3 V单电源供电下,0.6~18.0 GHz频带内该款低噪声放大器噪声系数典型值1.5 dB,小信号增益约15 dB,增益平坦度小于±0.9 dB,输入、输出电压驻波比典型值分别为1.7和1.8,1 dB压缩点输出功率典型值14 dBm,功耗72.6 mW,芯片面积1.5 mm×1.2 mm。

关键词：超宽带低噪声放大器共源共栅单片微波集成电路砷化镓

基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片

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固体电子学研究与进展 2022年第6期42卷 429-434,472页

作者：孔令峥彭龙新陶洪琪张亦斌闫俊达王维波韩方彬南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开... 详细信息

研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开关使用0.15μm高压高功率工艺。低噪声放大器采用电流复用结构以降低功耗,功率放大器采用三级电抗式匹配网络以提高芯片输出功率。测试结果表明,在14~18 GHz频带内,发射通道线性增益≥30 dB,饱和输出功率≥40.5 dBm,功率附加效率典型值为23%;接收通道线性增益为24 dB(±0.2 dB),噪声系数典型值为2.3 dB,功耗仅为140 mW(5 V/28 mA)。芯片面积为4.0 mm×3.0 mm。

关键词：多功能芯片氮化镓双栅长单片微波集成电路收发 Ku波段

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抗流感病毒抗生素研究开发进展(英文)

中国抗生素杂志 2004年第7期29卷 443-448,i001页

作者：顾觉奋韩方中国药科大学南京210009

流感是严重危害人类健康的急性病毒性呼吸道传染病 ,由于流感病毒抗原变异 ,常规疫苗尚不能有效预防流感的暴发与流行。因此 ,抗流感病毒药物研究在流感治疗中具有重要意义。本文就近年来国外抗流感病毒药物研究进展 ,包括微生物来源的... 详细信息

流感是严重危害人类健康的急性病毒性呼吸道传染病 ,由于流感病毒抗原变异 ,常规疫苗尚不能有效预防流感的暴发与流行。因此 ,抗流感病毒药物研究在流感治疗中具有重要意义。本文就近年来国外抗流感病毒药物研究进展 ,包括微生物来源的新型抗生素司他弗林 (stachyflin)和乙酰司他弗林 (acetylstachyflin) ,FR1982 4 8,FR1915 12 ,10 - norparvulenone的发现 ,以及经计算机分子模拟设计的氨基酸类 NA抑制剂、环戊烷类 NA抑制剂 RWJ- 2 70 2 0 1(BCX- 1812 )等的开发情况进行概述。

关键词：流感病毒新型抗流感病毒抗生素计算机分子模拟设计

基于图像分析和非蒸发水量的复合胶凝材料的水化程度的定量分析（英文）

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硅酸盐学报 2015年第10期43卷 1331-1340页

作者：阎培渝韩方晖清华大学土木工程系土木工程安全与耐久教育部重点实验室北京100084

定量确定复合胶凝材料中的水泥与矿物掺合料的反应程度对于研究它们的反应机理和微观结构发展非常重要。采用扫描电镜观察结合能谱分析,确定了在20、45和60℃水化的复合胶凝材料中的水泥、矿渣粉或粉煤灰的反应程度。用灼烧失重法测定... 详细信息

定量确定复合胶凝材料中的水泥与矿物掺合料的反应程度对于研究它们的反应机理和微观结构发展非常重要。采用扫描电镜观察结合能谱分析,确定了在20、45和60℃水化的复合胶凝材料中的水泥、矿渣粉或粉煤灰的反应程度。用灼烧失重法测定了复合胶凝材料浆体的非蒸发水量。结果表明:水化温度对于水泥的水化程度影响很小。在实验温度范围内,水泥-矿渣粉复合胶凝材料中的水泥的反应程度随着矿渣粉含量的增加而提高;但是水泥-粉煤灰复合胶凝材料中的水泥的反应程度在高温时低于纯水泥的反应程度。水化温度的提高降低了水泥的反应程度,但提高了矿渣粉或粉煤灰的反应程度。复合胶凝材料的反应程度随着矿物掺合料掺加比例的提高而降低。复合胶凝材料的反应程度与其非蒸发水量之间存在线性关系。

关键词：复合胶凝材料水化图像分析扫描电子显微镜能谱仪非蒸发水量反应程度

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韩方自述对“无字天书”系列绘画的思考

美术文献 2013年第6期 114-115页

作者：韩方

"太初有道,道与神同在,道就是神。"曾几何时,在追索贤者先哲文明的逡巡中,被这句话深深勒住了颈项。自以为曾经寻找到了答案,在字符流淌的清凉吹袭间,被轻轻推倒。我不愿判断茶杯的红色,是因为对视觉的质疑;不敢妄言身体的快乐,是因为... 详细信息

"太初有道,道与神同在,道就是神。"曾几何时,在追索贤者先哲文明的逡巡中,被这句话深深勒住了颈项。自以为曾经寻找到了答案,在字符流淌的清凉吹袭间,被轻轻推倒。我不愿判断茶杯的红色,是因为对视觉的质疑;不敢妄言身体的快乐,是因为对感官的不确信。天边夕阳西下时,我们应该感慨流连吗?味觉、哭泣、疼痛、平静……它们被触发时,我们承受并且要去表达。在这意志和表象的世界里,我们到底存在吗?

关键词：不敢妄言字符流美术出版社当代艺术展贤者上古时代省图书馆周复京北方汉