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电子束沉积生长高迁移率IMO透明导电薄膜的研究

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光电子．激光 2009年第12期20卷 1599-1601页

作者：陈新亮韩东港孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长... 详细信息

研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长速率至0.04nm/s,高速率生长IMO薄膜,薄膜厚度约50nm。典型薄膜电阻率ρ约为2.5×10-4Ωcm,方块电阻Rs约为22.5Ω,载流子浓度n～5.8×1020cm-3,电子迁移率μ约为47.1cm2V-1s-1,可见光和近红外区域平均透过率约为80%。获得的IMO薄膜光电性能和直接利用低速率生长的薄膜特性相当或更好,并且极大地降低了薄膜生长时间。

关键词：电子束蒸发技术 In2O3:Mo(IMO)薄膜高迁移率太阳电池

电子束反应蒸发制备高迁移率IMO薄膜及其性能研究

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光电子．激光 2011年第7期22卷 1022-1025页

作者：陈新亮韩东港张德坤孙建耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟（In2O3：Mo,IMO）薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3：MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现... 详细信息

研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟（In2O3：Mo,IMO）薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3：MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现薄膜透过率下降的趋势。在1.0 wt.%MoO3掺杂剂含量时,获得最佳薄膜性能,薄膜电阻率ρ约为1.97×10^-4Ω.cm,方块电阻Rs约为18Ω/□,载流子浓度n约为6.85×1020cm^-3,电子迁移率μ约为46.3 cm2.V^-1.s^-1,可见光和近红外区域透过率T约为75%-85%（含玻璃衬底）。这种高迁移率的IMO薄膜有望应用于μc-Si：H薄膜太阳电池以及a-Si：H/μc-Si：H硅叠层薄膜太阳电池。

关键词：电子束反应蒸发技术掺钼氧化铟(In2O3:Mo,IMO)薄膜高迁移率太阳电池

n-i-p型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究

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光电子．激光 2010年第1期21卷 55-58页

作者：倪牮陈新亮曹丽冉张建军薛俊明孙建王先宝韩东港张德坤赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能的影响。结果表明,在合适晶化率的p层上沉积ITO薄膜有利于优化p/ITO界面的接触特性,将其应用于n-i-p型a-Si太阳电池,能够显著改善电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF),最终,在不锈钢(SS)衬底上获得了转换效率为6.57%的单结a-Si太阳电池。

关键词： n-i-p太阳电池不锈钢(SS)衬底 p/ITO界面

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厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响

河北工业大学学报 2010年第6期39卷 1-3页

作者：韩东港陈新亮杨瑞霞赵颖河北工业大学信息工程学院天津300401 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变... 详细信息

通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变得较完善,晶粒增大,薄膜电学性能取得到了改善,在薄膜厚度=150 nm时获得最小电阻率～2.1×10-4 cm,而光学特性有所恶化.通过性能指数比较,d=110 nm厚度的IMO薄膜光电性能较好.

关键词：电子束蒸发技术 In2O3:Mo(IMO)薄膜薄膜厚度高迁移率晶体结构

MOCVD技术生长薄膜电池用绒面结构IMO/ZnO薄膜

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MOCVD技术生长薄膜电池用绒面结构IMO/ZnO薄膜

峨眉山大火成岩省米易晚二叠世正长岩的成因及其对地幔柱-岩石圈相互作用的启示

第十一届全国MOCVD学术会议

作者：林泉陈新亮韩东港孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室

本文利用MOCVD技术在缓冲层IMO薄膜上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜。相比于通常直接生长的ZnO薄膜,IMO缓冲层的应用可有效提高绒面ZnO薄膜晶体质量,薄膜方块电阻可从8Ω降低至6Ω,薄膜电子迁移率从20.1 cm/Vs提高至31.7cm/Vs;光学透过率测... 详细信息

本文利用MOCVD技术在缓冲层IMO薄膜上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜。相比于通常直接生长的ZnO薄膜,IMO缓冲层的应用可有效提高绒面ZnO薄膜晶体质量,薄膜方块电阻可从8Ω降低至6Ω,薄膜电子迁移率从20.1 cm/Vs提高至31.7cm/Vs;光学透过率测试表明,复合结构IMO/ZnO薄膜在可见光和近红外区域展现平均透过率～85%;此种新型TCO薄膜适合a-Si/uc-Si薄膜太阳电池应用。

关键词： MOCVD技术 ZnO薄膜 IMO薄膜高迁移率太阳电池

来源： cnki会议评论

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成都理工大学学报(自然科学版) 2025年

作者：韩东星陈越夏瑛成都理工大学地球与行星科学学院

扬子板块西缘广泛发育晚二叠世岩浆活动，包括大规模的溢流玄武岩以及与其时空紧密联系的碱性岩。峨眉山大火成岩省（ELIP）碱性岩具有从钠质到高钾质的复杂成分，其成因仍存在争议。本文采集米易地区的钠质到高钾质正长岩，通过岩石学... 详细信息

扬子板块西缘广泛发育晚二叠世岩浆活动，包括大规模的溢流玄武岩以及与其时空紧密联系的碱性岩。峨眉山大火成岩省（ELIP）碱性岩具有从钠质到高钾质的复杂成分，其成因仍存在争议。本文采集米易地区的钠质到高钾质正长岩，通过岩石学和地球化学研究，探讨地壳物质在米易正长岩复杂成分变化中的作用，并进一步约束ELIP地幔柱-岩石圈相互作用过程。米易正长岩由碱性长石、斜长石、霓辉石构成，其中霓辉石具有富集高场强元素和亏损大离子亲石元素的特征，以及明显的Ta、Sr和Eu的负异常。锆石U-Pb年代学揭示米易正长岩的年龄为258.8±1.7 Ma （MSWD=0.78），属于峨眉山地幔柱活动晚期。米易正长岩具有中等的SiO2含量（58.91～66.19%），高的全碱含量（Na2O+K2O=9.48～11.5%），铝饱和指数介于1.20～1.34，莱特碱度率介于2.17～5.14之间，为典型的碱性岩。岩石相对富集轻稀土元素和亏损重稀土元素，（La/Yb）N=9.38～16.5。岩石具有富集的Sr-Nd-Pb同位素组成((87Sr/86Sr)_t=0.707 26;εNd（t）=-1.87;(206Pb/204Pb)_t=18.835)。热力学模拟结果表明米易正长岩可以由高钛玄武质岩浆分离结晶产生，分离结晶的矿物组合为～35%斜长石、～17%单斜辉石、～11%橄榄石和～4%氧化物。微量元素和同位素模拟结果表明米易正长岩是由受到少量地壳物质混染（～10%）的高钛玄武质岩浆经过30～70%分离结晶产生。因此本文认为在ELIP晚期拉张背景下，由于地幔柱来源的幔源岩浆的结晶分异及其与地壳物质的相互作用，形成了ELIP内带广泛发育的钠质到高钾质正长岩。

关键词：峨眉山大火成岩省碱性岩同化混染和分离结晶作用地幔柱-岩石圈相互作用

基于中空十四面体杆板混杂点阵结构的声学性能与力学性能研究

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中国科学:技术科学 2025年

作者：李凌博杨帆李鹏飞韩东同济大学航空航天与力学学院同济大学民航航空器结构智能辅助适航重点实验室大连理工大学工业装备结构分析优化与CAE软件国家重点实验室上海飞行器力学与控制研究院

点阵结构因其轻质高强、高设计自由度,在承载、缓冲吸能和减振降噪方面具有广阔的应用前景.然而,传统类型的点阵结构很难同时具备较好的吸声性能和较强的承载性能.本文提出了一种新型三维轻质多功能结构——中空十四面体杆板(HTTP)混杂... 详细信息

点阵结构因其轻质高强、高设计自由度,在承载、缓冲吸能和减振降噪方面具有广阔的应用前景.然而,传统类型的点阵结构很难同时具备较好的吸声性能和较强的承载性能.本文提出了一种新型三维轻质多功能结构——中空十四面体杆板(HTTP)混杂点阵结构,利用增材制造技术制备了实验试样.基于传递矩阵法建立了多级联类亥姆霍兹共振腔的理论模型,并进行了有限元数值模拟和阻抗管实验,实验、理论和数值结果具有良好的一致性.结果表明,板厚0.5 mm的HTTP在第二吸声峰处实现阻抗匹配,同时具有较高的平均吸声系数和宽带半吸收.通过数值均匀化方法和准静态压缩实验研究了HTTP的力学性能,结果表明, HTTP在板厚0.3 mm处实现了弹性各向同性.在压缩过程中杆件与板件相互作用形成了更加稳定的渐进弯曲变形模式,使其在塑性阶段表现出较高且稳定的平台应力.本文提出的HTTP多功能混合点阵结构可同时实现高吸声和强力学性能,为多功能轻质结构的设计提供了一种新的范式.

关键词：混杂点阵结构吸声性能力学性能多功能增材制造

沼液替代化肥对水稻产量、品质和土壤特性的影响

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浙江农业学报 2025年

作者：应永飞韩东轩孟芳俞遴沈佳栾汪开英浙江省畜牧技术推广与种畜禽监测总站浙江大学生物系统工程与食品科学学院杭州市临安区畜牧农机发展中心杭州市临安区植物检疫站杭州市临安区农业农村局

为探究沼液替代化肥对水稻生产的影响，采用田间试验探究了基肥施用3种配比的沼液和化肥（100%化肥、80%化肥+25%沼液、100%沼液）对水稻产量和品质、土壤养分、微生物群落结构，以及土壤、水稻重金属含量的影响。结果表明，基肥全施沼... 详细信息

为探究沼液替代化肥对水稻生产的影响，采用田间试验探究了基肥施用3种配比的沼液和化肥（100%化肥、80%化肥+25%沼液、100%沼液）对水稻产量和品质、土壤养分、微生物群落结构，以及土壤、水稻重金属含量的影响。结果表明，基肥全施沼液处理的水稻结实率、千粒重、产量和稻米品质在3个处理中表现最佳。施用沼液会导致水稻秸秆中的Cu、Zn、As含量增加，存在重金属累积风险，籽粒中的As含量虽显著（P<0.05）增加，但未超过GB2762—2022《食品安全国家标准食品中污染物限量》的限量标准。施用沼液改变了土壤微生物群落结构，增加了微生物的α多样性，提高了电活性菌的相对丰度。综合来看，在该试验条件下，全施沼液可降低肥料成本，增加种植品质和收益，带来最优收益。

关键词：化肥减量沼液土壤特性水稻产量食品安全

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文化的生死问题探源

河北学刊 2025年第1期45卷 91-97页

作者：韩东屏华中科技大学哲学学院

文化的生死作为既成事实,只能是指群体文化的生死。学术界专门研究过文化生死的学者,有斯宾格勒和汤因比。但这二人无论是对文化之生死的指认,还是对文化生死之因的解释,都存在谬误,不能成立。文化作为人类创造力的果实,从生物性意义的... 详细信息

文化的生死作为既成事实,只能是指群体文化的生死。学术界专门研究过文化生死的学者,有斯宾格勒和汤因比。但这二人无论是对文化之生死的指认,还是对文化生死之因的解释,都存在谬误,不能成立。文化作为人类创造力的果实,从生物性意义的现代人类算起,其生即起点是晚期智人的原始群文化,其后相继演变为氏族文化和国家文化,而其死即终点则是文化的主人不复存在之时。其生的成因是人为了满足自身需求所进行的创造,死的原因是群体文化的创造者和使用者被外部力量消灭或打散。

关键词：文化生死群体文化民族文化