检索结果-南通市图书馆

实验技术与管理 2012年第3期 280-282页

作者：鞠家欣鲍嘉明杨兵北方工业大学信息工程学院

通过充分调研,确定"集成电路版图设计"这门课程对于培养学生集成电路设计概念建立、实际动手能力水平的提升具有十分重要的理论和现实意义,对它的研究也是探索微电子专业实践教学新方法的一次尝试。

关键词：微电子集成电路版图设计实践教学

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4H-SiCMESFET频率特性研究

半导体技术 2003年第3期28卷 28-31页

作者：秦建勋卢豫曾鞠家欣电子科技大学微电子所四川成都610054

研究了4H-SiCMESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系。发现常温300K时,4H-SiCMESFET的截止频率随沟道掺杂浓度增加而上升;随沟道厚度的增加而降低;随栅长的增加而下降;随工作温度的增加变化很小,500K以上时略有降低。300K下,在沟... 详细信息

研究了4H-SiCMESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系。发现常温300K时,4H-SiCMESFET的截止频率随沟道掺杂浓度增加而上升;随沟道厚度的增加而降低;随栅长的增加而下降;随工作温度的增加变化很小,500K以上时略有降低。300K下,在沟道掺杂为4×1017cm-3、沟道厚度为0.25mm、栅长0.30mm、栅压偏置为-5V时,模拟得到的截止频率fT达到18.62GHz,显示该器件在高频、高温、大功率领域的极大优越性和应用前景。

关键词：频率特性 4H-SiC MESFET 截止频率

CMOS IC漏极静态电流测试技术的现状与发展

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微电子学 2004年第4期34卷 446-450页

作者：姜岩峰张晓波鞠家欣北方工业大学信息工程学院微电子中心北京市现场总线与自动化技术重点实验室北京100041

　全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势。与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障。作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性... 详细信息

　全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势。与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障。作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性和故障覆盖率,保证集成电路的可靠性。

关键词： CMOS 故障检测漏极静态电流可测试性设计集成电路

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用于减小总谐波失真的乘法器设计

半导体技术 2010年第9期35卷 928-931页

作者：张晋芳鞠家欣刘成陈后金北京交通大学电子信息工程学院北京100191 北方工业大学信息工程学院北京100144

模拟乘法器是实现有源功率因数校正(APFC)的关键模块电路。为了提高APFC电路的性能,在对目前一般芯片中普遍采用校正电路的THD(总谐波失真)较大,导致功率因数较低的原因进行分析研究的基础上,给出了一种高线性度的单像限模拟乘法器,该... 详细信息

模拟乘法器是实现有源功率因数校正(APFC)的关键模块电路。为了提高APFC电路的性能,在对目前一般芯片中普遍采用校正电路的THD(总谐波失真)较大,导致功率因数较低的原因进行分析研究的基础上,给出了一种高线性度的单像限模拟乘法器,该乘法器在经典的电路结构上加以改进,采用双极型和CMOS混合工艺设计,在德国XFAB工艺厂进行流片。仿真测试和流片结果表明,该乘法器消除了传统的APFC电路总谐波失真较大的缺陷,提高了功率因数,并且没有增加版图面积,具有较高性价比,适合嵌入在中小功率APFC芯片中使用。

关键词：乘法器有源功率因数校正总谐波失真高线性度混合工艺

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《集成电路版图设计》课程教学改革与探索

电子世界 2012年第1期 171-172页

作者：鞠家欣鲍嘉明杨兵北方工业大学信息工程学院

《集成电路版图设计》课程对微电子专业学生理解电路设计的概念和工艺技术的认识,起到承前启后的作用,对此课程教学方法的研究有着重要的理论和现实意义。

关键词：集成电路版图教学方法改革

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高共模输入电平的迟滞比较器设计

半导体技术 2011年第8期36卷 623-626页

作者：鞠家欣张晋芳廖永波鲍嘉明杨兵北方工业大学信息工程学院北京100144 北京交通大学电子信息工程学院北京100044 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器。此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳定性还进行了频率补偿的研究,并... 详细信息

提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器。此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳定性还进行了频率补偿的研究,并对该电路的稳定性进行了仿真,其仿真结果保证了60°的相位裕度。该迟滞比较器的电路使用华润上华1μm双极晶体管工艺实现,芯片测试结果表明,其上阈值点为7.4 V,下阈值点为6.92 V,迟滞电压约为0.48 V,输出高电平约为0.76 V,电路工作稳定。

关键词：迟滞比较器双极工艺高共模输入电平低功耗频率稳定性

带迟滞的零温度系数欠压闭锁CMOS电路设计

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带迟滞的零温度系数欠压闭锁CMOS电路设计

第十二届全国青年通信学术会议

作者：鞠家欣朱宇帅黄南北方工业大学微电子学系北方工业大学微电子学系北方工业大学微电子学系

本文采用 CMOS 工艺设计了一种带迟滞的零温度系数的欠压闭锁电路。与传统采用 BiCMOS 工艺设计的电路相比,本文电路工艺成本低,易于实现。本文电路由带隙比较器结构产生零温度系数的阈值电压, 提高了欠压闭锁电路阈值电压的精度和温度... 详细信息

本文采用 CMOS 工艺设计了一种带迟滞的零温度系数的欠压闭锁电路。与传统采用 BiCMOS 工艺设计的电路相比,本文电路工艺成本低,易于实现。本文电路由带隙比较器结构产生零温度系数的阈值电压, 提高了欠压闭锁电路阈值电压的精度和温度特性,同时通过反馈实现迟滞,克服了单一阈值的弱抗干扰能力。本文设计的欠压闭锁电路可用于充电器和 DC-DC 转换器等电源管理芯片。

关键词： CMOS 工艺欠压闭锁带隙比较器温度系数迟滞

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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射频能量收集装置的研究进展

电子技术与软件工程 2015年第13期 152-155页

作者：田龙刘征鞠家欣姜岩峰北方工业大学信息工程学院北京市100144

随着无线通信技术的发展,射频能量资源变得越来越丰富,这很可能使低功耗电子设备利用射频能量为自身供电。本文在分析了射频能量收集技术发展现状的基础之上,系统介绍了射频能量收集器的整体结构。基于整体结构的介绍,对关键部分,包括... 详细信息

随着无线通信技术的发展,射频能量资源变得越来越丰富,这很可能使低功耗电子设备利用射频能量为自身供电。本文在分析了射频能量收集技术发展现状的基础之上,系统介绍了射频能量收集器的整体结构。基于整体结构的介绍,对关键部分,包括天线、RF-DC转换电路进展进行了总结;对关键问题,包括天线、灵敏度和转换效率进行了分析。最后阐述了射频能量装置的发展趋势。

关键词：无线通信射频能量收集自身供电

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高压VDMOS物理模型的发展与比较

电子世界 2011年第5期 29-30页

作者：鲍嘉明鞠家欣杨兵戚昊琛张鉴北方工业大学信息工程学院微电子学系合肥工业大学电子科学与应用物理学院

本文研究了高压VDMOS物理模型的发展过程，详细比较了不同高压VD—MOS物理模型的优缺点。可以看出，在高压VDMOS物理模型中，对于半导体基本物理方程，通常是在合理近似的条件下用解析方法求解，不同的模型有着不同的近似方法和近似条... 详细信息

本文研究了高压VDMOS物理模型的发展过程，详细比较了不同高压VD—MOS物理模型的优缺点。可以看出，在高压VDMOS物理模型中，对于半导体基本物理方程，通常是在合理近似的条件下用解析方法求解，不同的模型有着不同的近似方法和近似条件。建立高压VDMOS物理模型的一个重要目的是以此为基础建立高压VDMOS等效电路模型，

关键词： VDMOS 物理模型高压等效电路模型物理方程解析方法近似条件近似方法