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红外与激光工程 2007年第Z1期36卷 15-18页

作者：雷胜琼昆明物理研究所云南昆明650223

简要报道昆明物理研究所锑化铟体晶材料、弹用锑化铟红外探测器组件和320×256锑化铟焦平面器件的最新进展.

关键词：锑化铟材料探测器组件焦平面

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化学抛光InSb晶片的扫描电镜观测

半导体光电 1992年第3期13卷 239-244页

作者：雷胜琼张星灿昆明物理研究所昆明650223

本文选取5种腐蚀液对 InSb 晶片进行化学抛光。用扫描电镜(SEM)对抛光前后的 InSb 晶片进行了表面形貌、电子束通道图案、表面组分和杂质的对比观测,并对观测结果进行了讨论。实验结果表明:用乳酸液抛光可获得光滑平坦、In/Sb 原子比接... 详细信息

本文选取5种腐蚀液对 InSb 晶片进行化学抛光。用扫描电镜(SEM)对抛光前后的 InSb 晶片进行了表面形貌、电子束通道图案、表面组分和杂质的对比观测,并对观测结果进行了讨论。实验结果表明:用乳酸液抛光可获得光滑平坦、In/Sb 原子比接近1的表面。

关键词：化学抛光面组分 InSb晶片

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InSb混合红外焦平面工艺研究

红外技术 1991年第6期13卷 7-11页

作者：张星灿田种运雷胜琼昆明物理研究所

InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 S... 详细信息

InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 SiCCD 进行互连的基础上,从开发64×64元 InSb 混合红外焦平面着眼,我们进行了64×16元 InSb 光伏面阵的研制,并在 InSb 面阵和 Si 上电镀 In 柱,用我们研制的 HDD-1型红外对准倒焊机进行了对焊,开展了背面辐照 InSb 混合红外焦平面的工艺研究。本文介绍了工艺实验状况,并对工艺实验中有关问题进行了讨论。

关键词：焦平面光伏列阵 InSb 红外探测器

64×64焦平面器件读出电路铟柱列阵工艺设计及实践

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红外技术 2002年第2期24卷 41-45页

作者：雷胜琼姜军周芳杨彬昆明物理研究所云南昆明650223

用铟柱进行探测器芯片与读出电路 (ROIC)之间的电气和机械连接是混合红外焦平面列阵(FPA)最常用的互连方式之一。根据现有的工艺设备和实验条件对在 6 4× 6 4ROIC上生长铟柱进行了优化工艺设计 ,并分析讨论了工艺过程及参数对生长铟柱... 详细信息

用铟柱进行探测器芯片与读出电路 (ROIC)之间的电气和机械连接是混合红外焦平面列阵(FPA)最常用的互连方式之一。根据现有的工艺设备和实验条件对在 6 4× 6 4ROIC上生长铟柱进行了优化工艺设计 ,并分析讨论了工艺过程及参数对生长铟柱质量的影响。通过工艺实践验证 ,在 6 4×6

关键词：铟柱列阵焦平面器件铟柱互连工艺设计红外探测器

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昆明物理所锑化铟红外材料、器件研究进展

昆明物理所锑化铟红外材料、器件研究进展

2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会

作者：雷胜琼昆明物理研究所

简要报道昆明物理研究所锑化铟体晶材料、弹用锑化铟红外探测器组件和320×256锑化铟焦平面器件的最新进展。

关键词：锑化铟材料探测器组件焦平面

来源： cnki会议评论

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企业全面预算管理的绩效研究

中国市场 2022年第8期 160-161页

作者：雷胜琼北京红牛饮料销售有限公司金华分公司浙江金华321000

全面预算管理自20世纪20年代被通用电气、杜邦公司等企业应用后,被越来越多的企业所接受。全面预算管理从最初的计划、协调、生产到具有控制、激励、评价等一系列功能的企业管理方案,在企业的内部控制中占有重要的地位。推行全面预算管... 详细信息

全面预算管理自20世纪20年代被通用电气、杜邦公司等企业应用后,被越来越多的企业所接受。全面预算管理从最初的计划、协调、生产到具有控制、激励、评价等一系列功能的企业管理方案,在企业的内部控制中占有重要的地位。推行全面预算管理是提高企业管理水平的重要措施,近年来我国越来越多的企业开展全面预算管理工作。文章旨在通过科学的程序和方法,对预算管理的执行状况进行衡量,并评价预算管理绩效,为企业实施奖惩提供依据,并进一步优化企业的全面预算管理水平。文章重点研究对全面预算的绩效管控,为预算工作提供指导。

关键词：企业全面预算绩效评价

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基于财务共享的企业业财融合研究

中国产经 2021年第12期 56-57页

作者：雷胜琼北京红牛饮料销售有限公司金华分公司

随着管理会计理论的高速发展,业财融合也被越来越多的企业所接受,对于实行了财务共享的企业而言,财务人员也需要进行更高附加值的工作,在财务共享模式下开展业财融合也成为未来财务管理的趋势,对此本文探讨了目前企业在实施财务共享下... 详细信息

随着管理会计理论的高速发展,业财融合也被越来越多的企业所接受,对于实行了财务共享的企业而言,财务人员也需要进行更高附加值的工作,在财务共享模式下开展业财融合也成为未来财务管理的趋势,对此本文探讨了目前企业在实施财务共享下的业财融合中存在的问题,并针对所存在的问题提出了优化建议,以期促进财务共享中心建设。

关键词：财务共享企业业财融合

用离子轰击和激光照射的方法使InSb从p型转换为n型

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红外技术 1984年第2期 45-49页

作者： Isao Fujisawa 雷胜琼

有三种方法能在p型锑化铟（InSb）上形成n+层。这就是:（1）以能量为60keV、剂量为1×1015Cm-2的质子进行轰击;（2）以能量为100keV、剂量为2×1015cm-2的硅离子进行轰击;（3）Q开关钕—钇铝石榴石（Nd:YAG）激光器照射。将晶片等时退... 详细信息

有三种方法能在p型锑化铟（InSb）上形成n+层。这就是:（1）以能量为60keV、剂量为1×1015Cm-2的质子进行轰击;（2）以能量为100keV、剂量为2×1015cm-2的硅离子进行轰击;（3）Q开关钕—钇铝石榴石（Nd:YAG）激光器照射。将晶片等时退火30分钟后研究了上述三种效应。（1）和（3）两者可以不经退火直接形成n+层;而方法（2）,开初产生p型层,经200℃以上的温度退火后才转换为n+层。采用方法（2）和（3）得到的n+层能够经受的退火温度达350℃;而用方法（1）得到的n+层,当退火温度超过100℃时,又恢复为p型。采用方法（2）和（3）制备的台面型二极管,77K时,正向电流密度由J=1×10-3exp（qV/1.7kT）A/cm2确定;结电容与反向偏压之间的关系为C∝（VD+|V|）-0.43。其中扩散势VD为0.2V。

关键词：离子轰击晶片激光照射退火温度 InSb

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InSb红外成象器的工艺进展

红外技术 1983年第1期 31-37页

作者： CHING-YEU WEI ,雷胜琼

介绍了制备InSb红外探测器列阵所需要的半导体工艺。业已成功地制备了高质量的MOS（金属—氧化物—半导体）、MOSFET（金属—氧化物—半导体场效应晶体管）以及线列和二维CID（电荷注入器件）列阵器件。确定了MOS电容的界面态密度小于5... 详细信息

介绍了制备InSb红外探测器列阵所需要的半导体工艺。业已成功地制备了高质量的MOS（金属—氧化物—半导体）、MOSFET（金属—氧化物—半导体场效应晶体管）以及线列和二维CID（电荷注入器件）列阵器件。确定了MOS电容的界面态密度小于5×1010厘米-2·电子伏-1。这些结果意味着能够制备自扫描单块列阵。借助探测率（D*）和响应率（R）对线列和二维CID列阵的性能进行了评价。测出了一个64元的线列的平均D*为3.4×1011厘米·赫1/2·瓦-1,这个值相当于背景限D*值的70%。R为1×10-5伏/光子,其均匀性为10%。也得到了32×32元列阵的D*和R值。

关键词：界面态电容电子禁带轻子能带结构 MOSFET 化学气相淀积法氧化物膜 InSb 台面二极管响应率淀积膜探测率离子注入离子掺杂 JFET 二维 CID

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天文观测用InSb红外探测器系统

红外技术 1986年第5期 32-35页

作者：雷胜琼薛南屏曾光丽张云昆明物理研究所云南天文台

本文简略地介绍了云南天文台1982年和1985年从美国红外实验室进口的两套Ihsb(锑化锢)光伏型红外探测器系统(以下简称为系统Ⅰ和系统Ⅱ)。重点介绍了InSb芯片及其主要的性能参数。对两套系统进行了测试,得到了相应的测试数据。最后简略... 详细信息

本文简略地介绍了云南天文台1982年和1985年从美国红外实验室进口的两套Ihsb(锑化锢)光伏型红外探测器系统(以下简称为系统Ⅰ和系统Ⅱ)。重点介绍了InSb芯片及其主要的性能参数。对两套系统进行了测试,得到了相应的测试数据。最后简略地介绍了两套系统近期在天文方面的应用以及对InSb系统的评价。

关键词：红外探测器光伏 IR 探测器实验设备 InSb 电压响应率杜瓦瓶低温容器天文观测