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机械抛光后的时效工艺对0Cr25Al5电热合金拉拔性能的影响

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金属热处理 2022年第4期47卷 171-177页

作者：胡静陶科杨庆松李刚张德汉北京首钢吉泰安新材料有限公司北京102206

对机械抛光后的0Cr25Al5电热合金进行了不同温度(150、250、350℃)和不同时间(1、2、3 h)的时效处理,并与抛光前后的力学性能、显微组织以及析出相进行了对比。结果表明:0Cr25Al5电热合金机械抛光后有析出相Cr3C2析出,集中于晶界处分布... 详细信息

对机械抛光后的0Cr25Al5电热合金进行了不同温度(150、250、350℃)和不同时间(1、2、3 h)的时效处理,并与抛光前后的力学性能、显微组织以及析出相进行了对比。结果表明:0Cr25Al5电热合金机械抛光后有析出相Cr3C2析出,集中于晶界处分布,其形状以棒状、针状为主,并伴有少量球状析出相;机械抛光后再经250℃×1 h时效处理时的硬度下降,抗拉强度略有上升、伸长率略有下降,残余应力明显降低,晶粒度大小不变,析出相基本为球形,尺寸较小,分布较为集中且多分布于晶界,为析出相Cr3C2溶解并以离位析出的方式重新形成的Cr7C3,同时由于时效温度较低,氧化膜无再生现象,符合后续拉拔工艺要求。与未时效相比,经250℃×1 h时效处理的0Cr25Al5电热合金在后续拉拔过程的模具损耗、断丝率均明显下降,成材率上升。

关键词：铁铬铝合金机械抛光时效处理析出相

儿童足弓三维发育状态与短距离奔跑能力的相关性分析

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临床小儿外科杂志 2023年第12期22卷 1170-1177页

作者：陶科杨筱轩赵辰白定群李明重庆城市管理职业学院智慧康养学院重庆400015 重庆医科大学附属第一医院骨科重庆400015 重庆医科大学附属第一医院康复科重庆400015 重庆医科大学附属儿童医院骨科重庆400015

目的探讨儿童足弓三维发育状态与儿童短距离奔跑(以下简称短跑)能力的相关性。方法本研究为回顾性研究。选择重庆市某学校7~15岁中小学生共640人作为研究对象,其中男324人,女316人,均使用三维扫描仪"Foot Secret"扫描足部三维轮廓以获... 详细信息

目的探讨儿童足弓三维发育状态与儿童短距离奔跑(以下简称短跑)能力的相关性。方法本研究为回顾性研究。选择重庆市某学校7~15岁中小学生共640人作为研究对象,其中男324人,女316人,均使用三维扫描仪"Foot Secret"扫描足部三维轮廓以获得足弓指数及足弓体积,并测试受试者50米短跑成绩。根据性别及年龄将受试者分为6组:7~9岁男子组(93人),7~9岁女子组(103人);10~12岁男子组(116人),10~12岁女子组(112人);13~15岁男子组(115人),13~15岁女子组(101人)。对各组足弓指数、足弓体积与50米短跑成绩进行相关性分析。结果在7~9岁组中,男子组左右足与女子组左右足的负重足弓指数、非负重足弓指数以及50米短跑成绩比较,差异均无统计学意义(P>0.05);除7~9岁女子组左足负重足弓体积、左足非负重足弓体积与50米短跑成绩的相关系数无统计学意义(P>0.05)外,7~9岁男子组的左足负重足弓体积、左足非负重足弓体积、右足负重足弓体积、右足非负重足弓体积,以及7~9岁女子组右足负重足弓体积、右足非负重足弓体积与50米短跑成绩均呈弱相关性(r=-0.301、-0.294、-0.295、-0.207、-0.279、-0.278),且相关系数均有统计学意义(P0.05);除10~12岁女子组左足负重足弓体积、左足非负重足弓体积与50米短跑成绩的相关系数无统计学意义(P>0.05)外,10~12岁男子组左足负重足弓体积、左足非负重足弓体积、右足负重足弓体积、右足非负重足弓体积,以及10~12岁女子组右足脚负重足弓体积、右足非负重足弓体积与50米短跑成绩呈弱相关性(r=-0.273、-0.224、-0.236、-0.273、-0.224、-0.211),且相关系数均有统计学意义(P0.05);除13~15岁女子组左足非负重足弓体积、右足非负重足弓体积与50米短跑成绩呈弱相关性(r=-0.233、-0.225)且相关系数具有统计学意义(P0.05)。结论足弓体积作为三维指标,不仅能准确描述足弓发育状态,而且可为儿童运动能力的评估提供可靠依据。

关键词：足,生长和发育成像,三维竞技能力数据相关性儿童

应用阿洛西林钠时饮食不当致休克抢救成功1例的警示

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中国乡村医药 2024年第13期31卷 37-37,36页

作者：陶科伟浙江绍兴市第七人民医院心身障碍科 312000

阿洛西林是一种广谱的半合成青霉素,对革兰阳性菌、阴性菌及铜绿假单胞菌均有良好的抗菌作用,因抗菌谱广、抗菌作用强、疗效确切,且耐受性好,不良反应发生率低而在临床广泛应用。2023年,笔者收治应用阿洛西林钠时饮食不当致休克患者1例... 详细信息

阿洛西林是一种广谱的半合成青霉素,对革兰阳性菌、阴性菌及铜绿假单胞菌均有良好的抗菌作用,因抗菌谱广、抗菌作用强、疗效确切,且耐受性好,不良反应发生率低而在临床广泛应用。2023年,笔者收治应用阿洛西林钠时饮食不当致休克患者1例,最终抢救成功,现报道如下。1病历摘要患者女,58岁,因“失眠两个月,发热伴咳嗽、咳痰2 d”,在家属陪同下于2023年9月2日至我院门诊就诊。查体:意识清,对答尚切题;匹兹堡睡眠质量指数18.5分,主要表现为入睡困难、早醒,无其他精神症状;体温38.1℃,两肺呼吸音粗,可闻及少许痰鸣音,未闻及干湿啰音;心律齐,各瓣膜区未闻及病理性杂音。

关键词：阿洛西林钠饮食休克抢救

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器件结构设计对异质结像素探测器性能的影响

光电子．激光 2023年第4期34卷 337-343页

作者：宋鸿宇陶科李微王博龙罗威贾锐天津理工大学集成电路科学与工程学院天津300384 中国科学院微电子研究所北京100029

像素探测器一直是高分辨率、高速率粒子跟踪的工作平台。本文以多晶硅/氧化硅(poly-Si/SiO_(x))钝化接触异质结结构设计了硅像素探测器,为了实现探测器的超快响应,采用Silvaco TCAD对异质结硅像素探测器进行器件仿真,一方面研究了不同... 详细信息

像素探测器一直是高分辨率、高速率粒子跟踪的工作平台。本文以多晶硅/氧化硅(poly-Si/SiO_(x))钝化接触异质结结构设计了硅像素探测器,为了实现探测器的超快响应,采用Silvaco TCAD对异质结硅像素探测器进行器件仿真,一方面研究了不同衬底厚度对载流子输运和收集的影响,另一方面研究了器件结构设计对异质结像素探测器击穿电压的影响。仿真结果表明:在相同的偏置电压下,较薄的硅衬底可以获得更强的漂移电场,进而提高器件对信号电荷的输运与收集速率,有利于提高探测器的时间响应。较小的保护环-有源区间距有利于提高器件的击穿电压,而在保护环-有源区间距较大的情况下,在有源区边缘设计金属场板结构,也能够有效提高器件的击穿电压,使探测器可以工作在较高电压下,从而提升探测器的响应速率。

关键词：硅像素探测器仿真模拟异质结快速响应

基于宽禁带碳化硅薄膜的TOPCon晶体硅太阳电池研究

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基于宽禁带碳化硅薄膜的TOPCon晶体硅太阳电池研究

利用质子能损诊断部分电离等离子体靶中的束缚电子密度

第二届全国太阳能电池材料与器件大会

作者：陶科贾锐天津理工大学中国科学院微电子研究所

近年来,基于隧穿氧化物钝化接触结构(TOPCon)晶体硅太阳电池取得了飞速发展,大面积转换效率已经达到了25.2%,量产平均效率也能达到24.5%,极有可能成为继PERC电池之后的新一代主流电池技术。当前的TOPCon太阳电池采用硼扩散同质结作为发... 详细信息

近年来,基于隧穿氧化物钝化接触结构(TOPCon)晶体硅太阳电池取得了飞速发展,大面积转换效率已经达到了25.2%,量产平均效率也能达到24.5%,极有可能成为继PERC电池之后的新一代主流电池技术。当前的TOPCon太阳电池采用硼扩散同质结作为发射极及poly-Si/SiOx钝化接触结构作为背场。具有优异钝化特性的poly-Si/SiOx并不能直接放在电池前表面,因为多晶硅薄膜会产生光的寄生吸收损失,电池短路电流密度受到影响。为了解决该问题,本论文将宽禁带的硅碳薄膜应用于钝化接触结构,研究了碳原子掺杂浓度、退火问题及钝化寿命的相互关系,分析了碳原子掺杂浓度对硅碳薄膜电学及光学特性的影响规律。基于多晶硅碳薄膜的钝化样品少子寿命达到1.8毫秒,iVoc达到715mV。所制备的原型电池测试结果表明,基于宽禁带多晶硅碳薄膜的窗口层可以有效增强电池短波段的量子效率,进而提高电池的短路电流密度。

关键词：钝化接触宽禁带晶体硅太阳电池

来源： cnki会议评论

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物理学报 2024年第7期73卷 144-151页

作者：陈燕红王昭周泽贤陶科伟金雪剑史路林王国东喻佩雷瑜吴晓霞程锐杨杰中国科学院近代物理研究所兰州730000 中国科学院大学北京100049 西北师范大学物理与电子工程学院兰州730070 先进能源科学与技术广东省实验室惠州516000

部分电离等离子体是惯性约束聚变燃料及天体等离子体中的重要组成部分,该等离子体的输运及流体力学等性质受到束缚电子的显著影响,然而当前基于光谱学的技术手段难以对其进行高精度诊断.本文基于中国科学院近代物理研究所低能离子束与... 详细信息

部分电离等离子体是惯性约束聚变燃料及天体等离子体中的重要组成部分,该等离子体的输运及流体力学等性质受到束缚电子的显著影响,然而当前基于光谱学的技术手段难以对其进行高精度诊断.本文基于中国科学院近代物理研究所低能离子束与等离子体相互作用实验平台,精确测量了100 ke V质子束穿过部分电离氢等离子体靶后的能损,该能损是质子同靶区内自由电子与束缚电子碰撞共同作用的结果.利用已有的能损理论模型,结合激光干涉诊断获得的自由电子密度信息,最终得到了部分电离氢等离子体靶中沿离子路径上的束缚电子密度,并给出了该等离子体的离化度参数.该离子束诊断技术具有在线、原位、分辨率高等优势,为解决部分电离等离子体内部束缚电子密度的诊断问题提供了新的途径.

关键词：束缚电子密度质子能损自由电子密度离化度

紫花苜蓿根腐病生防菌的筛选、鉴定及发酵条件优化

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南方农业学报 2022年第8期53卷 2142-2152页

作者：刘博蒲乐莹陶科金洪侯太平四川大学生命科学学院/生物资源与生态环境教育部重点实验室四川成都610064

【目的】筛选获得对紫花苜蓿根腐病病原菌具有拮抗作用的菌株,并对其发酵条件进行优化,为紫花苜蓿根腐病生物防治提供菌株资源。【方法】以青藏高原的紫花苜蓿根际土壤为研究对象,以紫花苜蓿根腐病5种病原菌为靶标,利用稀释涂布法分离细... 详细信息

【目的】筛选获得对紫花苜蓿根腐病病原菌具有拮抗作用的菌株,并对其发酵条件进行优化,为紫花苜蓿根腐病生物防治提供菌株资源。【方法】以青藏高原的紫花苜蓿根际土壤为研究对象,以紫花苜蓿根腐病5种病原菌为靶标,利用稀释涂布法分离细菌;利用平板对峙法筛选对苜蓿根腐病病原菌具有拮抗作用的菌株;利用平板对峙法和菌丝生长速率法测定拮抗菌株对5种苜蓿根腐病病原菌的抑菌活性;通过形态学观察、生理生化测定和16S r DNA序列分析确定拮抗菌株的分类地位;利用单因素试验和正交试验对拮抗菌株发酵条件进行优化。【结果】从紫花苜蓿根际土壤中共分离纯化出92株细菌,从中筛选出16株对供试病原菌具有较强拮抗作用的菌株,其中菌株LJ3-1的抑菌效果最强,且具有广谱抑菌活性。对菌株LJ3-1发酵滤液的抑菌活性测定结果显示,其发酵滤液对供试病原菌的抑制率为44.9%~77.4%。结合菌落形态特征、生理生化测定和16S rDNA序列分析结果,将菌株LJ3-1鉴定为枯草芽胞杆菌(Bacillus subtilis)。对菌株LJ3-1的发酵条件优化结果显示,其最适发酵培养基组分为3%葡萄糖、1%酵母浸粉和0.5%NaCl;最适发酵条件为初始pH 6.5~7.0、培养温度35℃、250 mL锥形瓶装液量80 mL、接种量3%、培养时间36 h、转速180 r/min。在优化后的发酵培养条件下,菌株LJ3-1对燕麦镰刀菌(Fusarium avenaceum)的抑菌活性由76.5%提高至89.3%。【结论】菌株LJ3-1对紫花苜蓿根腐病5种病原菌均具有良好的拮抗作用,可作为研制苜蓿根腐病生物防治菌剂的候选菌株。

关键词：紫花苜蓿根腐病病原菌枯草芽胞杆菌鉴定

单把ProGlide联合ExoSeal的吻合技术(PEK)在静脉-动脉体外膜氧合中动脉通路应用的单中心研究

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中华急诊医学杂志 2023年第10期32卷 1367-1370页

作者：陶科李江陈波潘妮芳顾雪峰钱天炜俞隼许春阳苏州大学附属常熟医院急诊科常熟215500 南京医科大学附属苏州医院急诊科苏州215000

由于经皮血管闭合装置(percutaneous vascularclosure devices,VCD)在临床的广泛运用,对于需要通过股动脉进行血管内治疗的患者,多数医生不在选择股动脉的切开,转而使用VCD管理股动脉穿刺口;其中通过双把ProGlide(雅培公司)在大直径股... 详细信息

由于经皮血管闭合装置(percutaneous vascularclosure devices,VCD)在临床的广泛运用,对于需要通过股动脉进行血管内治疗的患者,多数医生不在选择股动脉的切开,转而使用VCD管理股动脉穿刺口;其中通过双把ProGlide(雅培公司)在大直径股动脉穿刺口预埋血管缝线的技术,真正实现了大血管介入手术的全程微创。同样,在进行静-动脉体外膜肺氧合(veno-arterial extracorporeal membrane oxygenation,VA-ECMO)的建立过程中,越来越多的医生也在使用穿刺股动脉的方法,并使用ProGlide进行撤管后的血管闭合。

关键词：体外膜肺氧合血管内治疗股动脉穿刺吻合技术体外膜氧合 arterial ECMO

氢气氛退火对硅上低温外延制备的硅锗薄膜性能的影响

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无机材料学报 2017年第2期32卷 191-196页

作者：王锦陶科李国峰梁科蔡宏琨南开大学电子信息与光学工程学院天津300071 中国科学院微电子研究所北京100029

采用反应型热化学气相沉积系统在硅(100)衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,在低温条件下(350℃)制备了高质量的富锗硅锗薄膜。研究了氢退火对低温硅锗外延薄膜微结构和电学性能的... 详细信息

采用反应型热化学气相沉积系统在硅(100)衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,在低温条件下(350℃)制备了高质量的富锗硅锗薄膜。研究了氢退火对低温硅锗外延薄膜微结构和电学性能的影响。结果发现退火温度高于700℃时,外延薄膜的表面形貌随着退火温度的升高迅速恶化。当退火温度为650℃时,获得了最佳的退火效果。在该退火条件下,外延薄膜的螺旋位错密度从3.7×106 cm^(-2)下降到4.3×105 cm^(-2),表面粗糙度从1.27 nm下降到1.18 nm,而外延薄膜的结晶质量也有效提高。霍尔效应测试表明,经退火处理的样品载流子迁移率明显提高。这些结果表明,经过氢退火处理后,反应型热化学气相沉积制备的低温硅锗外延薄膜可以获得与高温下硅锗外延薄膜相比拟的性能。

关键词：硅锗薄膜低温外延氢退火螺旋位错