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墨子教育思想研究

墨子教育思想研究

丛书名：文史哲学集成

1981年

作者：陈维德

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究

物理学报 2006年第3期55卷 1407-1412页

作者：宋淑芳陈维德许振嘉徐叙 北京交通大学光电子研究所北京100044 中国科学院半导体研究所北京100083

利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0·270eV处有一个深能级;GaN注入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位... 详细信息

利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0·270eV处有一个深能级;GaN注入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位于导带下0·300eV,0·188eV,0·600eV和0·410eV;GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级,能级位置位于导带下0·280eV,0·190eV,0·610eV和0·390eV;对每一个深能级的来源进行了讨论.光谱研究表明,掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后,可以观察到Er的1538nm处的发光,而且对能量输运和发光过程进行了讨论.

关键词： GaN Er Pr 深能级

In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

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Journal of Semiconductors 1993年第7期14卷 410-415页

作者：陈维德陈宗圭崔玉德中国科学院半导体研究所

采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。

关键词： InGaAs 定量分析俄歇电子谱

硼磷硅玻璃在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

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Journal of Semiconductors 1991年第5期12卷 284-288页

作者：陈维德 H.Bender 中国科学院半导体研究所北京100083 比利时大学际微电子中心

本文研究了硼磷硅玻璃(BPSG)膜在俄歇电子谱(AES)分析中电子束和离子束辐照效应.结果表明,能量电子和离子非常容易引起辐照损伤.电子束辐照会引起还原和脱附效应以及磷硼的表面分凝;离子束辐照仅仅引起还原效应,不会产生磷和硼的表面堆... 详细信息

本文研究了硼磷硅玻璃(BPSG)膜在俄歇电子谱(AES)分析中电子束和离子束辐照效应.结果表明,能量电子和离子非常容易引起辐照损伤.电子束辐照会引起还原和脱附效应以及磷硼的表面分凝;离子束辐照仅仅引起还原效应,不会产生磷和硼的表面堆积现象.这说明磷和硼的表面分凝是与低能电子组成的表面负电荷有关.

关键词：硼磷硅玻璃 AES 电子束离子束

Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应

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Journal of Semiconductors 1990年第11期11卷 859-865页

作者：陈维德崔玉德许振嘉陶江中国科学院半导体所和中国科学院表面物理实验室北京大学微电子学研究所

利用四探针、AES、XRD、XPS和SEM等技术研究了快速热退火中Co与Si和SiO_2反应动力学、相序、层的形貌。测量了薄层电阻与退火温度和时间的关系。结果表明,随退火温度的升高,淀积在硅衬底上的钴膜逐步转变为Co_2Si、CoSi_(?)最后完全转化... 详细信息

利用四探针、AES、XRD、XPS和SEM等技术研究了快速热退火中Co与Si和SiO_2反应动力学、相序、层的形貌。测量了薄层电阻与退火温度和时间的关系。结果表明,随退火温度的升高,淀积在硅衬底上的钴膜逐步转变为Co_2Si、CoSi_(?)最后完全转化为CoSi_2。CoSi_2对应的电阻率最低。Co与SiO_2不会反应,即使在1050℃的高温下也没有观察到任何形成钴硅化物的证据。

关键词：钴硅快速退火俄歇电子谱 SiO2

掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究

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物理学报 2007年第3期56卷 1621-1626页

作者：宋淑芳陈维德许振嘉徐叙瑢北京交通大学光电子研究所北京100044 中国科学院半导体研究所北京100083

利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模,并讨论了共注入O对Er离子发光的影响.在Raman散射谱中,对于注Er的GaN样品出现了300cm-1和670cm-1两个新的Raman峰,而对于Er+O共注样品,除了上述两个峰外,在360cm-1处出现了另外... 详细信息

利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模,并讨论了共注入O对Er离子发光的影响.在Raman散射谱中,对于注Er的GaN样品出现了300cm-1和670cm-1两个新的Raman峰,而对于Er+O共注样品,除了上述两个峰外,在360cm-1处出现了另外一个新的峰,其中300cm-1峰可以用disorder-activated Raman scattering(DARS)来解释,670cm-1峰是由于与N空位相关的缺陷引起的,而360cm-1峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的.由于360cm-1模的缺陷出现,从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降.

关键词： GaN Er Raman 散射光致发光

Si/Co/GaAs体系中界面反应的竞争机制

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Journal of Semiconductors 1993年第11期14卷 681-686,T001页

作者：金高龙陈维德许振嘉中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院国家表面物理实验室北京100080

本文采用AES、XRD和TEM等技术对Si/Co/GaAs三层结构的界面反应作了较详细的研究。结果表明:Si/Co与Co/GaAs两界面的反应具有一定的相似性,即当退火温度低于300℃时,两界面都保持完整;当退火温度高于400℃时,两界面都发生了化学反应,并... 详细信息

本文采用AES、XRD和TEM等技术对Si/Co/GaAs三层结构的界面反应作了较详细的研究。结果表明:Si/Co与Co/GaAs两界面的反应具有一定的相似性,即当退火温度低于300℃时,两界面都保持完整;当退火温度高于400℃时,两界面都发生了化学反应,并形成相应的化合相。由于两界面的初始反应条件相近,因而界面反应存在着竞争机制,通过进一步的实验,结果表明;Si/Co界面的反应速度要比Co/GaAs的快,从而为在GaAs衬底上形成CoSi_2/GaAs金半接触提供了有利条件。

关键词：金属半导体界面结构 Si/Co/GaAs

Co-Si多层膜在稳态热退火中的固相界面反应

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Journal of Semiconductors 1993年第10期14卷 612-618页

作者：顾诠陈维德许振嘉中国科学院半导体所北京100083 中国科学院表面物理国家重点实验室北京100080

超高真空条件下,采用电子束蒸发工艺在Si(111)衬底上交替蒸镀200A的Co和Si薄膜形成多层膜结构,在恒温炉中作稳态热退火,然后用XRD、RBS及AES等技术作分析,研究了Co-Si多层膜固相反应的相序,用四探针测量了反应生成的钴硅化物的电阻率。... 详细信息

超高真空条件下,采用电子束蒸发工艺在Si(111)衬底上交替蒸镀200A的Co和Si薄膜形成多层膜结构,在恒温炉中作稳态热退火,然后用XRD、RBS及AES等技术作分析,研究了Co-Si多层膜固相反应的相序,用四探针测量了反应生成的钴硅化物的电阻率。结果表明,随着退火温度的升高,淀积在Si(111)上的Co膜逐步转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,最后完全转化为CoSi_2。在比单层膜低得多的温度下退火获得了电阻率较低、表面形态良好、晶粒很大的CoSi_2薄膜材料。

关键词： Co-Si 硅化物热退火固相界面

Cr/GaAs界面的反应特性及电子性质的研究

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Journal of Semiconductors 1991年第5期12卷 265-272页

作者：金高龙陈维德许振嘉中国科学院半导体研究所北京100083 中国科技大学结构分析中心

本文对金属Cr淀积在GaAs(100)清洁表面后引起的界面反应及电子性质的变化作了较详细的研究.我们给出了具体的模型描述初始界面的突发反应过程,分析了突发反应的起因,并认为初始As的析出是造成界面突发反应的一个重要因素.实验结果表明:... 详细信息

本文对金属Cr淀积在GaAs(100)清洁表面后引起的界面反应及电子性质的变化作了较详细的研究.我们给出了具体的模型描述初始界面的突发反应过程,分析了突发反应的起因,并认为初始As的析出是造成界面突发反应的一个重要因素.实验结果表明:随着覆盖度θ的增大,Cr2p结合能不断趋向纯金属的结合能,即向较高的结合能方向移动;同时峰形愈来愈对称,即拖尾效应减弱,这与Cr/Si界面Cr的变化规律极其相似,而与通常的过渡金属(TM)在TM/Si界面及 TM/GaAs界面的变化规律不同,显示出Cr特有的变化规律.随着退火温度的升高,Cr/CaAs界面的反应加剧;由于 Cr的内扩散加强,在界面处形成 CrAs,阻挡了As的外扩散,而界面余留的Ga原子随着温度升高外扩散有所增强.

关键词：金属/半导体接触面反应特性