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吸收光栅增益耦合DFB-LD电路模型

光电子．激光 1999年第1期10卷 9-13页

作者：陈维友刘式墉吉林大学电子工程系

本文以激光器单模速率方程为基础，针对ＤＦＢ－ＬＤ推导了光子寿命与激光器内部损耗及端面出射损耗的关系，以及端面出射光功率与平均光子密度的关系，给出吸收光栅（ＡＧ）增益耦合（ＧＣ）ＤＦＢ－ＬＤ电路模型。

关键词：吸收光栅增益耦合 DFB-LD 电路模型激光器

具有内部相移的分布反馈半导体激光器电路模型

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计算物理 1999年第4期16卷 428-435页

作者：陈维友刘式墉吉林大学电子工程系

以耦合波方程为基础，经过适当的近似处理，给出一个比较简单的适用于有内部相移的单模分布反馈半导体激光器电路模型。该模型可用于直流、交流和瞬态分析。适于在开发光电集成回路电路级模拟软件中采用，亦可加入到现有电路模拟软件中。

关键词：分布反馈半导体激光器内部相移电路模型

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光电子器件计算机辅助分析教程

InP／InGaAsP异质结双极晶体管发射极条长及基区宽度的选择

2008年

作者：陈维友

本书从光波导模式分析、光波导器件BPM模拟、MOCVD反应室模拟、半导体激光器模拟、OEIC模拟等几个方面，较系统地阐述了光电子器件计算机辅助分析(CAA)的基本思想和一些基础知识。通过《光电子器件计算机辅助分析教程》，可以使读者了... 详细信息

ISBN: (纸本)9787560139715

本书从光波导模式分析、光波导器件BPM模拟、MOCVD反应室模拟、半导体激光器模拟、OEIC模拟等几个方面，较系统地阐述了光电子器件计算机辅助分析(CAA)的基本思想和一些基础知识。通过《光电子器件计算机辅助分析教程》，可以使读者了解光电子器件CAA的概貌和较深入的理论知识……

关键词：光电子技术电子器件计算机辅助分析教材

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固体电子学研究与进展 1994年第1期14卷 33-39页

作者：陈维友刘式墉吉林大学电子科学系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区

本文以Ｅｂｅｒｓ－Ｍｏｌｌ模型为基础，对ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析，研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数，讨论了在一定的工作电流下，发射极条长及基区宽度对器件高频... 详细信息

本文以Ｅｂｅｒｓ－Ｍｏｌｌ模型为基础，对ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析，研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数，讨论了在一定的工作电流下，发射极条长及基区宽度对器件高频小信号调制性能的影响，给出了优化选择发射极条长及基区宽度的近似方法。

关键词：异质结双极晶体管优化设计 CAA

一个集成光波导器件计算机辅助分析系统及其应用

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Journal of Semiconductors 1994年第7期15卷 465-469页

作者：陈维友刘式墉集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学系

本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──ＩＯＣＡＤ，该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术，具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点，只要分析参数适当，ＩＯＣＡＤ具有... 详细信息

本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──ＩＯＣＡＤ，该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术，具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点，只要分析参数适当，ＩＯＣＡＤ具有足够精度．ＩＯＣＡＤ可对满足ＢＰＭ适用条件的多种折射率分布的任何结构的波导器件进行模拟分析．本文同时给出几个模拟实例．

关键词：光波导器件 IOCAD 束传播法光波导

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行波放大器增益饱和特性理论研究

光学学报 1996年第10期16卷 1479-1483页

作者：张哲民陈维友刘式墉黄德修华中理工大学光电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区

以行波放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对行波放大器的增益饱和特性进行了理论研究，讨论了增益饱和特性对电流注入水平、腔面反射率的依赖关系，以及俄歇复合过程在行波放大器增益放大中的作用，虽然俄歇复合过程可能提高饱... 详细信息

以行波放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对行波放大器的增益饱和特性进行了理论研究，讨论了增益饱和特性对电流注入水平、腔面反射率的依赖关系，以及俄歇复合过程在行波放大器增益放大中的作用，虽然俄歇复合过程可能提高饱和光强，但它会降低内量子效率及非饱和增益。

关键词：行波放大器增益饱和光电子器件光纤

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电极、互联线寄生电容数值分析新模型

Journal of Semiconductors 1991年第4期12卷 248-252页

作者：陈维友刘式墉吉林大学电子科学系长春130023

本文以矩量法和矩形面元上的自由空间格林函数为基础,采用多电像法给出一个计算电极,互联线寄生电容的新模型.采用该模型,我们开发了一个微机上运行实现自动矩形面元剖分的寄生电容计算程序,并对一个实际GaAs-MESFET的电极寄生电容进行... 详细信息

本文以矩量法和矩形面元上的自由空间格林函数为基础,采用多电像法给出一个计算电极,互联线寄生电容的新模型.采用该模型,我们开发了一个微机上运行实现自动矩形面元剖分的寄生电容计算程序,并对一个实际GaAs-MESFET的电极寄生电容进行计算,讨论了钝化层厚度,介电常数对电极寄生电容的影响.

关键词：集成电路互连线寄生电容相关性

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光电子器件模型与OEIC模拟版

弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计

2001年

作者：陈维友等

本书介绍了半导体发光器件电路模拟、半导体探测器电路模拟、OEIC常用的几种电子器件电路模型、OEIC PSPICE模拟。

ISBN: (纸本)7118023302

本书介绍了半导体发光器件电路模拟、半导体探测器电路模拟、OEIC常用的几种电子器件电路模型、OEIC PSPICE模拟。

关键词：工业技术无线电电子学、电信技术

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激光与红外 1994年第1期24卷 42-44页

作者：马东阁石家纬陈维友刘明大高鼎三集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子工程系

本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假... 详细信息

本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｒ＝５００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为９．５×１０－３。

关键词：发光二极管结构波导吸收区设计