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检索条件"作者=陈特超"
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氮化铝高温隧道烧结炉截面加热单元温度均匀性研究
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电子工业专用设备 2023年 第3期52卷 15-18,36页
作者: 何永平 杨金 文正 陈特超 陈庆广 余洋 中国电子科技集团公司第四十八研究所 湖南长沙410111
建立氮化铝高温隧道烧结炉体截面加热单元仿真模型,针对加热器不同分布情况对温度场的影响进行分析计算,结果表明,在基片载盘两侧与上部布置发热体时基片载盘截面具有更好的加热均匀性。该加热器分布方式在实际研制设备上也取得了较好... 详细信息
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An investigation on improving the homogeneity of plasma generated by linear microwave plasma source with a length of 1550 mm
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Plasma Science and Technology 2021年 第2期23卷 7-16页
作者: 周继承 徐伟 陈特超 School of Energy Science and Engineering Central South UniversityChangsha 410083People's Republic of China Hunan Red Solar Photoelectricity Science and Technology Co. LtdChangsha 410083People's Republic of China
To develop a larger in-line plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)device,the length of the linear microwave plasma source needs to be increased to 1550 mm.This paper proposes a solution to the problem of pla... 详细信息
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太阳能电池用高温烧结炉传动系统的设计计算
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电子工业专用设备 2008年 第4期37卷 10-13页
作者: 陈特超 中国电子科技集团公司第四十八研究所 湖南长沙410111
介绍了太阳能电池生产线用高温烧结的特点、传动原理,提出了网带驱动力及其传递功率的理论计算方法,利用该方法进行设计计算,可在保证传动可靠的前提下,选择最合适的电机、减速机,减少安装位置,节约设备制造成本。作者根据计算结果应用... 详细信息
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离子束溅射制备的氧化钽层的绝缘特性
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微细加工技术 2002年 第4期 58-60页
作者: 禹庆荣 陈特超 中国电子科技集团公司第四十八研究所 长沙410111
介绍了一种具有高附着力和优良绝缘性能的Ta2 O5 介质膜 ,它由离子束溅射镀膜工艺制备而成。检测了在不同氧气流量下制备的氧化钽薄膜的绝缘性。结果表明 :在其余条件相同的情况下 ,氧气流量越大所制备的薄膜绝缘程度越高。但当氧气流... 详细信息
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一种新型离子束刻蚀装置的研制
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电子工业专用设备 2010年 第1期39卷 34-36页
作者: 张冬艳 陈特超 中国电子科技集团公司第四十八研究所 湖南长沙410111
介绍了一种新型离子束刻蚀装置。该装置具有如下特点:工件台可进行二维运动,带有自动挡板机构和独立的测束装置,中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的平行束离子源,以及分子泵加机械泵的真空系统。工艺试验结果表明,该设备是一台... 详细信息
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GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制
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电子工业专用设备 2015年 第6期44卷 31-35页
作者: 刘欣 魏唯 陈特超 中国电子科技集团公司第四十八研究所 湖南长沙410111
分析了GaN-MOCVD设备中MO源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定MO源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于Ga N-MOCVD中5种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO源注入摩尔流量精确控制的解决方案。
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太阳能电池生产线中的新型等离子体刻蚀机的研制
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电子工业专用设备 2010年 第8期39卷 41-44页
作者: 陈特超 谢利华 中国电子科技集团公司第四十八研究所 湖南长沙410111
介绍了用于太阳能电池片生产工艺中的新型等离子体刻蚀机及设备的工作原理、构造、简单的工艺试验结果。与现在生产线上普遍使用的老式等离子体刻蚀机相比,它大大提高了生产产能,减少了设备维护工作量。该设备操作简单,是一种实用、高... 详细信息
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用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备
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传感技术学报 2006年 第5A期19卷 1415-1418页
作者: 陈特超 禹庆荣 龚杰洪 张冬艳 伍波 李键志 中国电子科技集团公司第四十八研究所 长沙410111
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
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扩散炉反应管压力自平衡系统的设计
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电子工业专用设备 2012年 第7期41卷 32-35页
作者: 李克 郭立 毛朝斌 陈特超 李健志 中国电子科技集团公司第四十八研究所国家光伏装备工程技术研究中心 长沙410111
对晶体硅太阳能电池片生产用扩散炉反应管压力平衡系统的要求及原理进行了阐述,由于反应管内气流变化对扩散效果影响很大,本系统根据实际使用经验,对工艺管内压力进行检测,在外围尾气排放不稳定的条件下,对反应管内气体排放进行调节,从... 详细信息
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晶体硅太阳能电池生产线外围设施建设经验漫谈
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电子工业专用设备 2012年 第5期41卷 1-3,18页
作者: 陈特超 谢建国 李克 毛朝斌 中国电子科技集团公司第四十八研究所 湖南长沙410111
中国电子科技集团公司第四十八研究所是国内最早从事晶体硅太阳能电池整线交钥匙工程的单位,在国内已完成了几十家太阳能整线的建设。整线建设包括生产线设备的配置、安装,外围设施建设(厂房设计,净化间施工,水、电、气的设计施工),工... 详细信息
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